公开(公告)号：US06962731B2

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：US10669662

申请日：2003-09-23

申请人： W. Alan Propp ,  Mark D. Argyle ,  Stuart K. Janikowski ,  Robert V. Fox ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

发明人： W. Alan Propp ,  Mark D. Argyle ,  Stuart K. Janikowski ,  Robert V. Fox ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

IPC分类号： B05D1/02 ,  B05D7/00 ,  C03C25/12 ,  D06B3/04 ,  D06B23/16 ,  B05D1/18 ,  C23C16/00

CPC分类号： D06B3/045 ,  B05D1/025 ,  B05D7/52 ,  B05D2256/00 ,  B05D2401/90 ,  C03C25/12 ,  D06B23/16

摘要： The present invention is related to the modifying of substrates with multiple modifying agents in a single continuous system. At least two processing chambers are configured for modifying the substrate in a continuous feed system. The processing chambers can be substantially isolated from one another by interstitial seals. Additionally, the two processing chambers can be substantially isolated from the surrounding atmosphere by end seals. Optionally, expansion chambers can be used to separate the seals from the processing chambers.

摘要翻译： 本发明涉及在单一连续系统中用多种改性剂改性底物。 至少两个处理室被配置用于在连续进料系统中修改基材。 处理室可以通过间隙密封基本上彼此隔离。 此外，两个处理室可以通过端部密封基本上与周围的大气隔离。 可选地，膨胀室可用于将密封件与处理室分离。

公开(公告)号：US06652654B1

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09671459

申请日：2000-09-27

申请人： W. Alan Propp ,  Mark D. Argyle ,  Stuart K. Janikowski ,  Robert V. Fox ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

发明人： W. Alan Propp ,  Mark D. Argyle ,  Stuart K. Janikowski ,  Robert V. Fox ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： D06B3/045 ,  B05D1/025 ,  B05D7/52 ,  B05D2256/00 ,  B05D2401/90 ,  C03C25/12 ,  D06B23/16

摘要： The present invention is related to the modifying of substrates with multiple modifying agents in a single continuous system. At least two processing chambers are configured for modifying the substrate in a continuous feed system. The processing chambers can be substantially isolated from one another by interstitial seals. Additionally, the two processing chambers can be substantially isolated from the surrounding atmosphere by end seals. Optionally, expansion chambers can be used to separate the seals from the processing chambers.

摘要翻译： 本发明涉及在单一连续系统中用多种改性剂改性底物。 至少两个处理室被配置用于在连续进料系统中修改基材。 处理室可以通过间隙密封基本上彼此隔离。 此外，两个处理室可以通过端部密封基本上与周围的大气隔离。 可选地，膨胀室可用于将密封件与处理室分离。

公开(公告)号：US06495204B1

公开(公告)日：2002-12-17

申请号：US09671709

申请日：2000-09-27

申请人： Charles A. Allen ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  Daniel M. Ginosar ,  Stuart K. Janikowski ,  David L. Miller ,  W. Alan Propp ,  William J. Toth

发明人： Charles A. Allen ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  Daniel M. Ginosar ,  Stuart K. Janikowski ,  David L. Miller ,  W. Alan Propp ,  William J. Toth

IPC分类号： B05D700

CPC分类号： D02J1/00 ,  B05D7/20 ,  B05D2401/90 ,  C03C25/22

摘要： The present invention is related to the modifying of substrates such as monofilaments, bundles of monofilaments, and fibrous structural material with a modifying agent. The modifying agent is suspended or dissolved in a supercritical fluid, near-critical fluid, superheated fluid, superheated liquid, or a liquified gas and is deposited by rapidly altering the pressure in a chamber to deposit the modifying material onto the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及使用改性剂改性诸如单丝，单丝束和纤维结构材料的基底。 改性剂悬浮或溶解在超临界流体，临界临界流体，过热流体，过热液体或液化气体中，并通过快速改变腔室中的压力沉积到沉积改性材料到基底上而沉积。

公开(公告)号：US06623686B1

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09677336

申请日：2000-09-28

申请人： Stuart K. Janikowski ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  W. Alan Propp ,  David L. Miller

发明人： Stuart K. Janikowski ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  W. Alan Propp ,  David L. Miller

IPC分类号： B05D500

CPC分类号： D06M23/105 ,  B05D1/18 ,  B05D7/20 ,  B05D2252/02 ,  B05D2252/10 ,  B05D2401/90 ,  C03C25/12 ,  C03C25/22

摘要： The present invention is related to systems and methods for modifying various non-equidimensional substrates with modifying agents. The system comprises a processing chamber configured for passing the non-equidimensional substrate therethrough, wherein the processing chamber is further configured to accept a treatment mixture into the chamber during movement of the non-equidimensional substrate through the processing chamber. The treatment mixture can comprise of the modifying agent in a carrier medium, wherein the carrier medium is selected from the group consisting of a supercritical fluid, a near-critical fluid, a superheated fluid, a superheated liquid, and a liquefied gas. Thus, the modifying agent can be applied to the non-equidimensional substrate upon contact between the treatment mixture and the non-equidimensional substrate.

摘要翻译： 本发明涉及用修饰剂修饰各种非等维底物的系统和方法。 该系统包括被配置用于使非等距衬底通过其中的处理腔室，其中处理室还被配置成在非等量衬底通过处理室运动期间接受处理混合物进入腔室。 处理混合物可以在载体介质中包含改性剂，其中载体介质选自超临界流体，近临界流体，过热流体，过热液体和液化气体。 因此，在处理混合物和非等尺寸底物之间接触时，改性剂可以施加到非等维基底上。

公开(公告)号：US07241340B2

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US10627530

申请日：2003-07-24

申请人： Stuart K. Janikowski ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  W. Alan Propp ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

发明人： Stuart K. Janikowski ,  Mark D. Argyle ,  Robert V. Fox ,  W. Alan Propp ,  William J. Toth ,  Daniel M. Ginosar ,  Charles A. Allen ,  David L. Miller

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： D06M23/105 ,  B05D1/18 ,  B05D7/20 ,  B05D2252/02 ,  B05D2252/10 ,  B05D2401/90 ,  C03C25/12 ,  C03C25/22

摘要： The present invention is related to systems and methods for modifying various non-equidimensional substrates with modifying agents. The system comprises a processing chamber configured for passing the non-equidimensional substrate therethrough, wherein the processing chamber is further configured to accept a treatment mixture into the chamber during movement of the non-equidimensional substrate through the processing chamber. The treatment mixture can comprise of the modifying agent in a carrier medium, wherein the carrier medium is selected from the group consisting of a supercritical fluid, a near-critical fluid, a superheated fluid, a superheated liquid, and a liquefied gas. Thus, the modifying agent can be applied to the non-equidimensional substrate upon contact between the treatment mixture and the non-equidimensional substrate.

摘要翻译： 本发明涉及用修饰剂修饰各种非等维底物的系统和方法。 该系统包括被配置用于使非等量基底通过其中的处理室，其中处理室还被配置成在非等量基底通过处理室运动期间接受处理混合物进入腔室。 处理混合物可以在载体介质中包含改性剂，其中载体介质选自超临界流体，近临界流体，过热流体，过热液体和液化气体。 因此，在处理混合物和非等尺寸底物之间接触时，改性剂可以施加到非等维基底上。

公开(公告)号：US4568413A

公开(公告)日：1986-02-04

申请号：US582274

申请日：1984-02-22

申请人： James J. Toth ,  William J. Toth

发明人： James J. Toth ,  William J. Toth

IPC分类号： B32B38/10 ,  C23C14/00 ,  H05K3/02 ,  C25D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B31/00

CPC分类号： B32B38/10 ,  C23C14/0005 ,  H05K3/025 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0156 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/0726 ,  Y10T428/12396 ,  Y10T428/31681

摘要： A carrier (10) is vapor-vacuum deposited with a vapor-vacuum deposited first metallic layer (14) of 10-90 nm in thickness. The carrier and vapor-vacuum deposited metal layers are selected of materials which, after vapor-vacuum depositing, adhere with less than about 3 pounds per linear inch of width, e.g., aluminum and copper or copper and copper. A second metallic layer (16) is electrolytically deposited to the vapor-vacuum deposited layer to increase the thickness of the first and second metal layers, taken together, to about 1-12 microns. The carrier and first and second metal layers are bonded under heat and pressure to a dielectric substrate (18). Thereafter, the carrier is peeled away leaving the vapor-vacuum deposited and electrolytically plated layers adhered to the dielectric substrate. Although the vapor-vacuum deposited layer and the electrolytically deposited layers may both be the same metal, such as copper which is preferred for circuit boards, the vapor-vacuum deposited layer may also be a relatively inactive metal, such as aluminum, chrome, zinc, or nickel, to protect the underlying electrolytically deposited metal layer from corrosion and staining.

摘要翻译： 用厚度为10-90nm的蒸气 - 真空沉积的第一金属层（14）对载体（10）进行气相真空沉积。 载体和蒸气 - 真空沉积的金属层选自在蒸气真空沉积之后以小于约3磅每线性英寸宽度粘附的材料，例如铝和铜或铜和铜。 将第二金属层（16）电解沉积到蒸气 - 真空沉积层，以将第一和第二金属层的厚度一起提高到约1-12微米。 载体和第一和第二金属层在热和压力下结合到电介质基板（18）。 此后，将载体剥离，留下蒸镀真空沉积并电解电镀的层粘附到电介质基片上。 虽然蒸气 - 真空沉积层和电解沉积层可以都是相同的金属，例如优选用于电路板的铜，但蒸气真空沉积层也可以是相对不活泼的金属，例如铝，铬，锌 或镍，以保护底层的电解沉积金属层免受腐蚀和污染。