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    Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems
    2.
    发明授权
    Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems 失效
    制造用于制造半导体电路和系统的图案化多层膜的方法

    公开(公告)号：US4908298A

    公开(公告)日：1990-03-13

    申请号：US117383

    申请日：1987-10-30

    申请人： George J. Hefferon ,  Hiroshi Ito ,  Scott A. MacDonald ,  Carlton G. Willson

    发明人： George J. Hefferon ,  Hiroshi Ito ,  Scott A. MacDonald ,  Carlton G. Willson

    IPC分类号： G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/405 ,  Y10S438/948

    摘要： A method is provided for creating multilayer patterned films wherein at least one layer is an etch-resistant patterned layer, and wherein either positive or negative tone patterns can be obtained.The etch-resistant patterned layer is obtained by reacting a patterned polymeric film containing reactive functional groups with an organometallic reagent such as a silicon-containing compound. The pattern is subsequently transferred through adjacent polymeric layers using an oxygen plasma or equivalent dry-etch method.

    摘要翻译： 提供了一种用于产生多层图案化膜的方法，其中至少一层是耐蚀刻图案层，并且其中可以获得正或负色调图案。 通过使含有反应性官能团的图案化聚合物膜与有机金属试剂如含硅化合物反应，获得耐蚀刻图案层。 随后使用氧等离子体或等效的干法蚀刻方法将图案转移通过相邻的聚合物层。

    Top imaged resists
    7.
    发明授权
    Top imaged resists 失效
    顶级成像抗皱剂

    公开(公告)号：US4810601A

    公开(公告)日：1989-03-07

    申请号：US880212

    申请日：1986-06-30

    申请人： Robert D. Allen ,  Kaolin N. Chiong ,  Ming-Fea Chow ,  Scott A. MacDonald ,  Jer-Ming Yang ,  Carlton G. Willson

    发明人： Robert D. Allen ,  Kaolin N. Chiong ,  Ming-Fea Chow ,  Scott A. MacDonald ,  Jer-Ming Yang ,  Carlton G. Willson

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G03C3/00 ,  B05D3/06 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/265 ,  G03F7/038 ,  G03F7/2022 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

    摘要： The present invention is concerned with methods of converting a single resist layer into a multilayered resist.The upper portion of the single resist layer can be converted into a dry-etch resistant form. The conversion can be a blanket conversion of the upper portion of the resist layer or can be a patterned conversion of areas within the upper portion of the layer. A patternwise-converted resist can be oxygen plasma developed.The upper portion of the single resist layer can be patternwise converted into a chemically different composition or structure having altered absorptivity toward radiation. The difference in radiation absorptivity within the patterned upper portion of the resist enables subsequent use of blanket irradiation of the resist surface to create differences in chemical solubility between areas having the altered absorptivity toward radiation and non-altered areas. The difference in chemical solubility enables wet development of the patterned resist.

    摘要翻译： 本发明涉及将单个抗蚀剂层转化为多层抗蚀剂的方法。 单个抗蚀剂层的上部可以转化成耐干蚀刻形式。 该转换可以是抗蚀剂层的上部的覆盖转化，或者可以是层的上部内的区域的图案化转换。 图案转换的抗蚀剂可以是氧等离子体显影。 单个抗蚀剂层的上部可以被图案化地转换成具有改变的对辐射的吸收率的化学上不同的组成或结构。 在图案化的抗蚀剂上部中的辐射吸收率的差异使得随后可以使用抗蚀剂表面的毯式照射，从而在对辐射和未改变的区域具有改变的吸收率的区域之间产生化学溶解度的差异。 化学溶解度的差异使得图案化抗蚀剂的湿显影。