公开(公告)号：US20140048903A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US13586330

申请日：2012-08-15

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik Kizilyalli ,  Dave Bour

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik Kizilyalli ,  Dave Bour

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083

摘要： A method for fabricating edge termination structures in gallium nitride (GaN) materials includes providing an n-type GaN substrate having a first surface and a second surface, forming an n-type GaN epitaxial layer coupled to the first surface of the n-type GaN substrate, and forming one or more p-type regions in the n-type GaN epitaxial layer by using a first ion implantation. At least one of the one or more p-type regions includes an edge termination structure.

摘要翻译： 一种用于制造氮化镓（GaN）材料中的边缘端接结构的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN衬底，形成耦合到n型GaN的第一表面的n型GaN外延层 并且通过使用第一离子注入在n型GaN外延层中形成一个或多个p型区域。 一个或多个p型区域中的至少一个包括边缘终端结构。

公开(公告)号：US08558242B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13315705

申请日：2011-12-09

申请人： Richard J. Brown ,  Hui Nie ,  Andrew Edwards ,  Isik Kizilyalli ,  David Bour ,  Thomas Prunty ,  Linda Romano ,  Madhan Raj

发明人： Richard J. Brown ,  Hui Nie ,  Andrew Edwards ,  Isik Kizilyalli ,  David Bour ,  Thomas Prunty ,  Linda Romano ,  Madhan Raj

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate having a top surface and an opposing bottom surface and a first III-nitride layer of a first conductivity type coupled to the top surface of the III-nitride substrate. The semiconductor structure also includes a second III-nitride layer of a second conductivity type coupled to the first III-nitride layer along a vertical direction and a third III-nitride layer of a third conductivity type coupled to the second III-nitride layer along the vertical direction. The semiconductor structure further includes a first trench extending through a portion of the third III-nitride layer to the first III-nitride layer, a second trench extending through another portion of the third III-nitride layer to the second III-nitride layer, and a first metal layer coupled to the second and the third III-nitride layers.

摘要翻译： 半导体结构包括具有顶表面和相对底表面的III族氮化物衬底和与III族氮化物衬底的顶表面耦合的第一导电类型的第一III族氮化物层。 半导体结构还包括沿着垂直方向耦合到第一III族氮化物层的第二导电类型的第二III族氮化物层，以及沿着沿着垂直方向耦合到第二III族氮化物层的第三导电类型的第三III族氮化物层 垂直方向 半导体结构还包括延伸穿过第三III族氮化物层的一部分到第一III族氮化物层的第一沟槽，延伸穿过第三III族氮化物层的另一部分到第二III族氮化物层的第二沟槽，以及 耦合到第二和第三III族氮化物层的第一金属层。

公开(公告)号：US09224828B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13270606

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/66 ,  H01L29/808 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate with a first side and a second side opposing the first side. The III-nitride substrate is characterized by a first conductivity type and a first dopant concentration. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the III-nitride substrate, a first metallic structure electrically coupled to the second surface of the III-nitride substrate, and a III-nitride epitaxial structure of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The III-nitride epitaxial structure comprises at least one edge termination structure.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的III族氮化物衬底。 III族氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。 半导体结构还包括耦合到III族氮化物衬底的第一表面的第一导电类型的III族氮化物外延层，电耦合到III族氮化物衬底的第二表面的第一金属结构和III族氮化物 耦合到III族氮化物外延层的第二导电类型的外延结构。 III族氮化物外延结构包括至少一个边缘端接结构。

公开(公告)号：US20130161634A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335383

申请日：2011-12-22

申请人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

发明人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

IPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402

摘要： A method for fabricating an edge termination, which can be used in conjunction with GaN-based materials, includes providing a substrate of a first conductivity type. The substrate has a first surface and a second surface. The method also includes forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The substrate, the first GaN epitaxial layer and the second GaN epitaxial layer can be referred to as an epitaxial structure.

摘要翻译： 可以与GaN基材料一起使用的用于制造边缘终端的方法包括提供第一导电类型的衬底。 基板具有第一表面和第二表面。 该方法还包括形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 衬底，第一GaN外延层和第二GaN外延层可以被称为外延结构。

公开(公告)号：US20130087879A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13270641

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate characterized by a first conductivity type and having a first side and a second side opposing the first side, a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first side of the III-nitride substrate, and a plurality of III-nitride epitaxial structures of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial formation of the first conductivity type coupled to the plurality of III-nitride epitaxial structures, and a metallic structure forming a Schottky contact with the III-nitride epitaxial formation and coupled to at least one of the plurality of III-nitride epitaxial structures.

公开(公告)号：US08933532B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13270641

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/808 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/868 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate characterized by a first conductivity type and having a first side and a second side opposing the first side, a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first side of the III-nitride substrate, and a plurality of III-nitride epitaxial structures of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial formation of the first conductivity type coupled to the plurality of III-nitride epitaxial structures, and a metallic structure forming a Schottky contact with the III-nitride epitaxial formation and coupled to at least one of the plurality of III-nitride epitaxial structures.

公开(公告)号：US20130143392A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13312055

申请日：2011-12-06

申请人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

发明人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A method of fabricating a diode in gallium nitride (GaN) materials includes providing a n-type GaN substrate having a first surface and a second surface and forming a n-type GaN drift layer coupled to the first surface of the n-type GaN substrate. The method also includes forming an in-situ SixNy layer coupled to the n-type GaN drift layer opposite the n-type GaN substrate and at least partially removing portions of the SixNy layer and the n-type GaN drift layer to form a plurality of void regions and a remaining portion of the SixNy layer. The method further includes selectively regrowing a p-type epitaxial layer in the void regions.

摘要翻译： 制造氮化镓（GaN）材料中的二极管的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN衬底，并形成耦合到n型GaN衬底的第一表面的n型GaN漂移层 。 该方法还包括形成与n型GaN衬底相对的n型GaN漂移层耦合的原位SixNy层，并且至少部分去除SixNy层和n型GaN漂移层的部分以形成多个 空隙区域和SixNy层的剩余部分。 该方法还包括在空隙区域中选择性地重新生长p型外延层。

公开(公告)号：US20130164893A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335355

申请日：2011-12-22

申请人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

发明人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A method for fabricating edge termination structures in gallium nitride (GaN) materials includes providing a n-type GaN substrate having a first surface and a second surface, forming an n-type GaN epitaxial layer coupled to the first surface of the n-type GaN substrate, and forming a growth mask coupled to the n-type GaN epitaxial layer. The method further includes patterning the growth mask to expose at least a portion of the n-type GaN epitaxial layer, and forming at least one p-type GaN epitaxial structure coupled to the at least a portion of the n-type GaN epitaxial layer. The at least one p-type GaN epitaxial structure comprises at least one portion of an edge termination structure. The method additionally includes forming a first metal structure electrically coupled to the second surface of the n-type GaN substrate.

摘要翻译： 一种用于制造氮化镓（GaN）材料中的边缘端接结构的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN衬底，形成耦合到n型GaN的第一表面的n型GaN外延层 并且形成耦合到n型GaN外延层的生长掩模。 该方法进一步包括图案化生长掩模以暴露n型GaN外延层的至少一部分，以及形成耦合到n型GaN外延层的至少一部分的至少一个p型GaN外延结构。 所述至少一个p型GaN外延结构包括边缘端接结构的至少一部分。 该方法还包括形成电耦合到n型GaN衬底的第二表面的第一金属结构。

公开(公告)号：US20130087835A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13270606

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/20 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate with a first side and a second side opposing the first side. The III-nitride substrate is characterized by a first conductivity type and a first dopant concentration. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the III-nitride substrate, a first metallic structure electrically coupled to the second surface of the III-nitride substrate, and a III-nitride epitaxial structure of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The III-nitride epitaxial structure comprises at least one edge termination structure.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的III族氮化物衬底。 III族氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。 半导体结构还包括耦合到III族氮化物衬底的第一表面的第一导电类型的III族氮化物外延层，电耦合到III族氮化物衬底的第二表面的第一金属结构和III族氮化物 耦合到III族氮化物外延层的第二导电类型的外延结构。 III族氮化物外延结构包括至少一个边缘端接结构。

公开(公告)号：US08741707B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13335383

申请日：2011-12-22

申请人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

发明人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/18 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402

摘要： A method for fabricating an edge termination, which can be used in conjunction with GaN-based materials, includes providing a substrate of a first conductivity type. The substrate has a first surface and a second surface. The method also includes forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The substrate, the first GaN epitaxial layer and the second GaN epitaxial layer can be referred to as an epitaxial structure.

摘要翻译： 可以与GaN基材料一起使用的用于制造边缘终端的方法包括提供第一导电类型的衬底。 基板具有第一表面和第二表面。 该方法还包括形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 衬底，第一GaN外延层和第二GaN外延层可以被称为外延结构。