公开(公告)号：US20130161634A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335383

申请日：2011-12-22

申请人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

发明人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

IPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402

摘要： A method for fabricating an edge termination, which can be used in conjunction with GaN-based materials, includes providing a substrate of a first conductivity type. The substrate has a first surface and a second surface. The method also includes forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The substrate, the first GaN epitaxial layer and the second GaN epitaxial layer can be referred to as an epitaxial structure.

摘要翻译： 可以与GaN基材料一起使用的用于制造边缘终端的方法包括提供第一导电类型的衬底。 基板具有第一表面和第二表面。 该方法还包括形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 衬底，第一GaN外延层和第二GaN外延层可以被称为外延结构。

公开(公告)号：US08741707B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13335383

申请日：2011-12-22

申请人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

发明人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Linda Romano ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/18 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402

摘要： A method for fabricating an edge termination, which can be used in conjunction with GaN-based materials, includes providing a substrate of a first conductivity type. The substrate has a first surface and a second surface. The method also includes forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The substrate, the first GaN epitaxial layer and the second GaN epitaxial layer can be referred to as an epitaxial structure.

摘要翻译： 可以与GaN基材料一起使用的用于制造边缘终端的方法包括提供第一导电类型的衬底。 基板具有第一表面和第二表面。 该方法还包括形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 衬底，第一GaN外延层和第二GaN外延层可以被称为外延结构。

公开(公告)号：US08829574B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13334514

申请日：2011-12-22

申请人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Hui Nie ,  Linda Romano ,  Richard J. Brown ,  Madhan Raj

发明人： Donald R. Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Hui Nie ,  Linda Romano ,  Richard J. Brown ,  Madhan Raj

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/335 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66924 ,  H01L21/027 ,  H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8086

摘要： A semiconductor device includes a III-nitride substrate, a first III-nitride epitaxial layer coupled to the III-nitride substrate and having a mesa, and a second III-nitride epitaxial layer coupled to a top surface of the mesa. The semiconductor device further includes a III-nitride gate structure coupled to a side surface of the mesa, and a spacer configured to provide electrical insulation between the second III-nitride epitaxial layer and the III-nitride gate structure.

摘要翻译： 半导体器件包括III族氮化物衬底，耦合到III族氮化物衬底并具有台面的第一III族氮化物外延层和耦合到台面的顶表面的第二III族氮化物外延层。 半导体器件还包括耦合到台面的侧表面的III族氮化物栅极结构，以及被配置为在第二III族氮化物外延层和III族氮化物栅极结构之间提供电绝缘的间隔物。

公开(公告)号：US08749015B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13299254

申请日：2011-11-17

申请人： Donald R. Disney ,  Andrew P. Edwards ,  Hui Nie ,  Richard J. Brown ,  Isik C. Kizilyalli ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Donald R. Disney ,  Andrew P. Edwards ,  Hui Nie ,  Richard J. Brown ,  Isik C. Kizilyalli ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/266 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872

摘要： A method for fabricating an edge termination structure includes providing a substrate having a first surface and a second surface and a first conductivity type, forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate, and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The method also includes implanting ions into a first region of the second GaN epitaxial layer to electrically isolate a second region of the second GaN epitaxial layer from a third region of the second GaN epitaxial layer. The method further includes forming an active device coupled to the second region of the second GaN epitaxial layer and forming the edge termination structure coupled to the third region of the second GaN epitaxial layer.

摘要翻译： 一种用于制造边缘终端结构的方法包括提供具有第一表面和第二表面和第一导电类型的衬底，形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成第二 与第一导电类型相反的第二导电类型的GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 该方法还包括将离子注入第二GaN外延层的第一区域以将第二GaN外延层的第二区域与第二GaN外延层的第三区域电隔离。 该方法还包括形成耦合到第二GaN外延层的第二区域并形成耦合到第二GaN外延层的第三区域的边缘端接结构的有源器件。

公开(公告)号：US20130126885A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13299254

申请日：2011-11-17

申请人： Donald R. Disney ,  Andrew P. Edwards ,  Hui Nie ,  Richard J. Brown ,  Isik C. Kizilyalli ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Donald R. Disney ,  Andrew P. Edwards ,  Hui Nie ,  Richard J. Brown ,  Isik C. Kizilyalli ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/266 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872

摘要： A method for fabricating an edge termination structure includes providing a substrate having a first surface and a second surface and a first conductivity type, forming a first GaN epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the substrate, and forming a second GaN epitaxial layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The second GaN epitaxial layer is coupled to the first GaN epitaxial layer. The method also includes implanting ions into a first region of the second GaN epitaxial layer to electrically isolate a second region of the second GaN epitaxial layer from a third region of the second GaN epitaxial layer. The method further includes forming an active device coupled to the second region of the second GaN epitaxial layer and forming the edge termination structure coupled to the third region of the second GaN epitaxial layer.

摘要翻译： 一种用于制造边缘终端结构的方法包括提供具有第一表面和第二表面和第一导电类型的衬底，形成耦合到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层，并形成第二 与第一导电类型相反的第二导电类型的GaN外延层。 第二GaN外延层耦合到第一GaN外延层。 该方法还包括将离子注入第二GaN外延层的第一区域以将第二GaN外延层的第二区域与第二GaN外延层的第三区域电隔离。 该方法还包括形成耦合到第二GaN外延层的第二区域并形成耦合到第二GaN外延层的第三区域的边缘端接结构的有源器件。

公开(公告)号：US09224828B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13270606

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/66 ,  H01L29/808 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate with a first side and a second side opposing the first side. The III-nitride substrate is characterized by a first conductivity type and a first dopant concentration. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first surface of the III-nitride substrate, a first metallic structure electrically coupled to the second surface of the III-nitride substrate, and a III-nitride epitaxial structure of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The III-nitride epitaxial structure comprises at least one edge termination structure.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的III族氮化物衬底。 III族氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。 半导体结构还包括耦合到III族氮化物衬底的第一表面的第一导电类型的III族氮化物外延层，电耦合到III族氮化物衬底的第二表面的第一金属结构和III族氮化物 耦合到III族氮化物外延层的第二导电类型的外延结构。 III族氮化物外延结构包括至少一个边缘端接结构。

公开(公告)号：US08933532B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13270641

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/808 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/868 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate characterized by a first conductivity type and having a first side and a second side opposing the first side, a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first side of the III-nitride substrate, and a plurality of III-nitride epitaxial structures of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial formation of the first conductivity type coupled to the plurality of III-nitride epitaxial structures, and a metallic structure forming a Schottky contact with the III-nitride epitaxial formation and coupled to at least one of the plurality of III-nitride epitaxial structures.

公开(公告)号：US20130143392A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13312055

申请日：2011-12-06

申请人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

发明人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A method of fabricating a diode in gallium nitride (GaN) materials includes providing a n-type GaN substrate having a first surface and a second surface and forming a n-type GaN drift layer coupled to the first surface of the n-type GaN substrate. The method also includes forming an in-situ SixNy layer coupled to the n-type GaN drift layer opposite the n-type GaN substrate and at least partially removing portions of the SixNy layer and the n-type GaN drift layer to form a plurality of void regions and a remaining portion of the SixNy layer. The method further includes selectively regrowing a p-type epitaxial layer in the void regions.

摘要翻译： 制造氮化镓（GaN）材料中的二极管的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN衬底，并形成耦合到n型GaN衬底的第一表面的n型GaN漂移层 。 该方法还包括形成与n型GaN衬底相对的n型GaN漂移层耦合的原位SixNy层，并且至少部分去除SixNy层和n型GaN漂移层的部分以形成多个 空隙区域和SixNy层的剩余部分。 该方法还包括在空隙区域中选择性地重新生长p型外延层。

公开(公告)号：US20130087879A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13270641

申请日：2011-10-11

申请人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

发明人： Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  David P. Bour ,  Linda Romano ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate characterized by a first conductivity type and having a first side and a second side opposing the first side, a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first side of the III-nitride substrate, and a plurality of III-nitride epitaxial structures of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial formation of the first conductivity type coupled to the plurality of III-nitride epitaxial structures, and a metallic structure forming a Schottky contact with the III-nitride epitaxial formation and coupled to at least one of the plurality of III-nitride epitaxial structures.

公开(公告)号：US20130164893A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335355

申请日：2011-12-22

申请人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

发明人： Linda Romano ,  David P. Bour ,  Andrew Edwards ,  Hui Nie ,  Isik C. Kizilyalli ,  Richard J. Brown ,  Thomas R. Prunty

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A method for fabricating edge termination structures in gallium nitride (GaN) materials includes providing a n-type GaN substrate having a first surface and a second surface, forming an n-type GaN epitaxial layer coupled to the first surface of the n-type GaN substrate, and forming a growth mask coupled to the n-type GaN epitaxial layer. The method further includes patterning the growth mask to expose at least a portion of the n-type GaN epitaxial layer, and forming at least one p-type GaN epitaxial structure coupled to the at least a portion of the n-type GaN epitaxial layer. The at least one p-type GaN epitaxial structure comprises at least one portion of an edge termination structure. The method additionally includes forming a first metal structure electrically coupled to the second surface of the n-type GaN substrate.

摘要翻译： 一种用于制造氮化镓（GaN）材料中的边缘端接结构的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN衬底，形成耦合到n型GaN的第一表面的n型GaN外延层 并且形成耦合到n型GaN外延层的生长掩模。 该方法进一步包括图案化生长掩模以暴露n型GaN外延层的至少一部分，以及形成耦合到n型GaN外延层的至少一部分的至少一个p型GaN外延结构。 所述至少一个p型GaN外延结构包括边缘端接结构的至少一部分。 该方法还包括形成电耦合到n型GaN衬底的第二表面的第一金属结构。