公开(公告)号：US07541275B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US10828592

申请日：2004-04-21

申请人： Betty Shu Mercer ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Byron Lovell Williams ,  Laurinda W. Ng ,  Alec J. Morton ,  C. Matthew Thompson

发明人： Betty Shu Mercer ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Byron Lovell Williams ,  Laurinda W. Ng ,  Alec J. Morton ,  C. Matthew Thompson

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： The present invention provides an interconnect for use in an integrated circuit, a method for manufacturing the interconnect, and a method for manufacturing an integrated circuit including the interconnect. The interconnect (100), among other elements, includes a surface conductive lead (160) located in an opening formed within a protective overcoat (110), and a barrier layer (140) located between the protective overcoat (110) and the surface conductive lead (160), a portion of the barrier layer (140) forming a skirt (145) that extends outside a footprint of the surface conductive lead (160).

摘要翻译： 本发明提供了一种用于集成电路的互连，一种用于制造该互连的方法，以及一种用于制造包括该互连的集成电路的方法。 除了其它元件之外，互连（100）包括位于形成在保护外涂层（110）内的开口中的表面导电引线（160）和位于保护外涂层（110）和表面导电 导线（160），阻挡层（140）的形成裙部（145）的部分延伸到表面导电引线（160）的覆盖区外部。

公开(公告)号：US20080213927A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11681556

申请日：2007-03-02

申请人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： H01L21/62 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5228 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided, in one embodiment, is a method for manufacturing a resistive structure. This method, without limitation, includes forming a substrate, and forming a tantalum-aluminum-nitride resistive layer over the substrate. Moreover, a bulk resistivity of the tantalum-aluminum-nitride resistive layer may be adjusted by varying at least one deposition condition selected from the group consisting of a flow rate ratio of nitrogen to argon, power, pressure, temperature and radio frequency (RF) bias voltage.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于制造电阻结构的方法。 该方法，但不限于，包括形成衬底，以及在衬底上形成钽 - 氮化铝电阻层。 此外，可以通过改变选自氮与氩的流量比，功率，压力，温度和射频（RF）的至少一种沉积条件来调节钽 - 氮化铝电阻层的体电阻率， 偏压。

公开(公告)号：US08409458B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US11681483

申请日：2007-03-02

申请人： Erika Leigh Shoemaker ,  Maria Wang ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Erika Leigh Shoemaker ,  Maria Wang ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： H01L21/31122 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3146 ,  H01L29/7833

摘要： Provided is a process for manufacturing a diamond like carbon layer. The process for manufacturing the diamond like carbon layer includes, without limitation, forming a layer of diamond like carbon over a substrate, and reactive ion etching the layer of diamond like carbon.

摘要翻译： 提供了一种制造类金刚石碳层的方法。 金刚石碳层的制造方法包括但不限于在基底上形成类似金刚石的碳层，反应离子蚀刻类金刚石碳。

公开(公告)号：US20080214007A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11681582

申请日：2007-03-02

申请人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/4405

摘要： Provided is a method for removing diamond like carbon residue from a deposition chamber. This method, in one embodiment, may include subjecting a deposition chamber including diamond like carbon residue to a plasma clean in the presence of fluorine containing gas and oxygen containing gas. The method may further include purging the deposition chamber having been subjected to the plasma clean with an inert gas, and pumping the deposition chamber having been subjected to the plasma clean.

摘要翻译： 提供了从沉积室除去类金刚石碳残渣的方法。 在一个实施方案中，该方法可以包括在含氟气体和含氧气体存在的情况下对包括类金刚石碳残余物的沉积室进行等离子体清洁。 该方法可以进一步包括用惰性气体清洗已经进行等离子体清洁的沉积室，并泵送已经经过等离子体清洁的沉积室。

公开(公告)号：US07795070B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11693833

申请日：2007-03-30

申请人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/02304 ,  B41J2/14072 ,  B41J2/14129 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L28/75

摘要： Provided is a method for manufacturing a semiconductor device. The method for manufacturing the semiconductor device, without limitation, includes forming a first semiconductor layer over a substrate, and forming a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, wherein an amorphous nitrided silicon adhesion layer is located between and adheres the first and second semiconductor layers.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法，但不限于，在衬底上形成第一半导体层，并在第一半导体层上形成第二半导体层，其中无定形氮化硅粘合层位于第一和第二半导体 层。

公开(公告)号：US20080237865A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11693833

申请日：2007-03-30

申请人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Maria Wang ,  Erika Leigh Shoemaker ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02304 ,  B41J2/14072 ,  B41J2/14129 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L28/75

摘要： Provided is a method for manufacturing a semiconductor device. The method for manufacturing the semiconductor device, without limitation, includes forming a first semiconductor layer over a substrate, and forming a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, wherein an amorphous nitrided silicon adhesion layer is located between and adheres the first and second semiconductor layers.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法，但不限于，在衬底上形成第一半导体层，并在第一半导体层上形成第二半导体层，其中无定形氮化硅粘合层位于第一和第二半导体 层。

公开(公告)号：US20080214016A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11681483

申请日：2007-03-02

申请人： Erika Leigh Shoemaker ,  Maria Wang ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

发明人： Erika Leigh Shoemaker ,  Maria Wang ,  Mary Roby ,  Stuart Jacobsen

IPC分类号： H01L21/00 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31122 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3146 ,  H01L29/7833

摘要： Provided is a process for manufacturing a diamond like carbon layer. The process for manufacturing the diamond like carbon layer includes, without limitation, forming a layer of diamond like carbon over a substrate, and reactive ion etching the layer of diamond like carbon.

摘要翻译： 提供了一种制造类金刚石碳层的方法。 金刚石碳层的制造方法包括但不限于在基底上形成类似金刚石的碳层，反应离子蚀刻类金刚石碳。