公开(公告)号：US08545998B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13333509

申请日：2011-12-21

申请人： Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Zhi-Wen Sun ,  Jinhong Tong

发明人： Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Zhi-Wen Sun ,  Jinhong Tong

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/1052 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/24917

摘要： Embodiments of the current invention describe a method of plating platinum selectively on a copper film using a self-initiated electroless process. In particular, platinum films are plated onto very thin copper films having a thickness of less than 300 angstroms. The electroless plating solution and the resulting structure are also described. This process has applications in the semiconductor processing of logic devices, memory devices, and photovoltaic devices.

公开(公告)号：US20100055422A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12200841

申请日：2008-08-28

申请人： Bob Kong ,  Zhi-Wen Sun ,  Igor Ivanov ,  Jinhong Tong

发明人： Bob Kong ,  Zhi-Wen Sun ,  Igor Ivanov ,  Jinhong Tong

IPC分类号： B32B3/10 ,  C23C18/44 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/1052 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/24917

摘要： Embodiments of the current invention describe a method of plating platinum selectively on a copper film using a self-initiated electroless process. In particular, platinum films are plated onto very thin copper films having a thickness of less than 300 angstroms. The electroless plating solution and the resulting structure are also described. This process has applications in the semiconductor processing of logic devices, memory devices, and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明的实施方案描述了使用自引发的无电镀方法在铂膜上选择性镀铂的方法。 特别地，铂膜被镀在厚度小于300埃的非常薄的铜膜上。 还描述了化学镀溶液和所得结构。 该方法在逻辑器件，存储器件和光伏器件的半导体处理中具有应用。

公开(公告)号：US08278215B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US13098926

申请日：2011-05-02

申请人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  Y02E10/50

摘要： Processes for minimizing contact resistance when using nickel silicide (NiSi) and other similar contact materials are described. These processes include optimizing silicide surface cleaning, silicide surface passivation against oxidation and techniques for diffusion barrier/catalyst layer deposition. Additionally, processes for generating a noble metal (for example platinum, iridium, rhenium, ruthenium, and alloys thereof) activation layer that enables the electroless barrier layer deposition on a NiSi-based contact material are described. The processes may be employed when using NiSi-based materials in other end products. The processes may be employed on silicon-based materials.

摘要翻译： 描述了当使用硅化镍（NiSi）和其他类似的接触材料时使接触电阻最小化的方法。 这些方法包括优化硅化物表面清洗，硅化物表面钝化与氧化以及用于扩散阻挡层/催化剂层沉积的技术。 另外，描述了能够在NiSi基接触材料上产生无电极阻挡层沉积的贵金属（例如铂，铱，铼，钌及其合金）活化层的方法。 当在其它最终产品中使用NiSi基材料时，可以采用这些方法。 该方法可以用于硅基材料。

公开(公告)号：US20110207320A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13098926

申请日：2011-05-02

申请人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  Y02E10/50

摘要： Processes for minimizing contact resistance when using nickel silicide (NiSi) and other similar contact materials are described. These processes include optimizing silicide surface cleaning, silicide surface passivation against oxidation and techniques for diffusion barrier/catalyst layer deposition. Additionally, processes for generating a noble metal (for example platinum, iridium, rhenium, ruthenium, and alloys thereof) activation layer that enables the electroless barrier layer deposition on a NiSi-based contact material are described. The processes may be employed when using NiSi-based materials in other end products. The processes may be employed on silicon-based materials

摘要翻译： 描述了当使用硅化镍（NiSi）和其他类似的接触材料时使接触电阻最小化的方法。 这些方法包括优化硅化物表面清洗，硅化物表面钝化与氧化以及用于扩散阻挡层/催化剂层沉积的技术。 另外，描述了能够在NiSi基接触材料上产生无电极阻挡层沉积的贵金属（例如铂，铱，铼，钌及其合金）活化层的方法。 当在其它最终产品中使用NiSi基材料时，可以采用这些方法。 该方法可以用于硅基材料

公开(公告)号：US07968462B1

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12267298

申请日：2008-11-07

申请人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Tony Chiang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  Y02E10/50

摘要： Processes for minimizing contact resistance when using nickel silicide (NiSi) and other similar contact materials are described. These processes include optimizing silicide surface cleaning, silicide surface passivation against oxidation and techniques for diffusion barrier/catalyst layer deposition. Additionally, processes for generating a noble metal (for example platinum, iridium, rhenium, ruthenium, and alloys thereof) activation layer that enables the electroless barrier layer deposition on a NiSi-based contact material are described. The processes may be employed when using NiSi-based materials in other end products. The processes may be employed on silicon-based materials.

摘要翻译： 描述了当使用硅化镍（NiSi）和其他类似的接触材料时使接触电阻最小化的方法。 这些方法包括优化硅化物表面清洗，硅化物表面钝化与氧化以及用于扩散阻挡层/催化剂层沉积的技术。 另外，描述了能够在NiSi基接触材料上产生无电极阻挡层沉积的贵金属（例如铂，铱，铼，钌及其合金）活化层的方法。 当在其它最终产品中使用NiSi基材料时，可以采用这些方法。 该方法可以用于硅基材料。

公开(公告)号：US20120091590A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13333509

申请日：2011-12-21

申请人： Bob Kong ,  Zhi-Wen Sun ,  Igor Ivanov ,  Jihong Tong

发明人： Bob Kong ,  Zhi-Wen Sun ,  Igor Ivanov ,  Jihong Tong

IPC分类号： H01L23/535

CPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/1052 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/24917

摘要： Embodiments of the current invention describe a method of plating platinum selectively on a copper film using a self-initiated electroless process. In particular, platinum films are plated onto very thin copper films having a thickness of less than 300 angstroms. The electroless plating solution and the resulting structure are also described. This process has applications in the semiconductor processing of logic devices, memory devices, and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明的实施方案描述了使用自引发的无电镀方法在铂膜上选择性镀铂的方法。 特别地，铂膜被镀在厚度小于300埃的非常薄的铜膜上。 还描述了化学镀溶液和所得结构。 该方法在逻辑器件，存储器件和光伏器件的半导体处理中具有应用。

公开(公告)号：US07972652B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11549644

申请日：2006-10-14

申请人： Igor Ivanov ,  Robert D. Tas ,  Shashank Ravindra Kulkarni ,  Ron Rulkens

发明人： Igor Ivanov ,  Robert D. Tas ,  Shashank Ravindra Kulkarni ,  Ron Rulkens

IPC分类号： B05D5/12 ,  B28B19/00 ,  B29B15/10 ,  C23C18/00 ,  C23C20/00 ,  C23C24/00 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01C17/06 ,  H05K3/00

CPC分类号： C23C18/1683 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1682

摘要： An electroless plating system includes a plating solution, and controlling reducing agents in the plating solution for deposition over outlier features smaller than about five hundred nanometers and isolated by about one thousand nanometers.

摘要翻译： 无电解电镀系统包括电镀液，并且控制电镀液中的还原剂，用于沉积超过约五百纳米并隔离约一千纳米的离子值特征。

公开(公告)号：US20090175856A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12084740

申请日：2006-11-13

申请人： Katja Wosikowski-Buters ,  Christoph Schaab ,  Marino Schuhmacher ,  Franz Obermayr ,  Igor Ivanov

发明人： Katja Wosikowski-Buters ,  Christoph Schaab ,  Marino Schuhmacher ,  Franz Obermayr ,  Igor Ivanov

IPC分类号： A61K39/395 ,  A61K31/517 ,  A61K31/7064 ,  A61K31/505 ,  A61P35/00

CPC分类号： A61K31/555 ,  A61K31/505 ,  A61K33/24 ,  A61K45/06 ,  A61K2300/00

摘要： The present invention describes a method or uses of prevention and/or treatment of a cancer or a tumor, and in particular to a combination therapy, methods, compositions and pharmaceutical packages comprising an inhibitor of receptors of the EGFR family or a chemotherapeutically active pyrimidine analogue and certain platinum-based chemotherapeutic agents.

摘要翻译： 本发明描述了预防和/或治疗癌症或肿瘤的方法或用途，特别是涉及包含EGFR家族受体抑制剂或化学治疗活性嘧啶类似物的组合疗法，方法，组合物和药物包装 和某些铂类化疗剂。

公开(公告)号：US20070284746A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11742328

申请日：2007-04-30

申请人： Sergey Lopatin ,  Robert Fiordalice ,  Faivel Pintchovski ,  Igor Ivanov ,  Wen Kong ,  Artur Kolics

发明人： Sergey Lopatin ,  Robert Fiordalice ,  Faivel Pintchovski ,  Igor Ivanov ,  Wen Kong ,  Artur Kolics

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76874 ,  Y10S977/723

摘要： An integrated circuit is provided including an integrated circuit having a trench and via provided in a dielectric layer. A nano-electrode-array is over the dielectric layer in the trench and via, and a conductor is over the nano-electrode-array. The conductor and the nano-electrode-array are coplanar with a surface of the dielectric layer.

摘要翻译： 提供一种集成电路，其包括具有在电介质层中设置的沟槽和通孔的集成电路。 纳米电极阵列位于沟槽和通孔中的电介质层的上方，导体在纳米电极阵列的上方。 导体和纳米电极阵列与电介质层的表面共面。

公开(公告)号：US20060193492A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11415120

申请日：2006-05-02

申请人： Vsevolod Kuzmich ,  Igor Ivanov

发明人： Vsevolod Kuzmich ,  Igor Ivanov

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T1/0021 ,  G06T2201/0051 ,  G06T2201/0052

摘要： A method of generating a protected digital media content, is provided. According to an embodiment of the present invention, the method includes generating a protected digital media content, comprising: generating a first control signal for use in an authorization signature of digital media content, generating a second control signal for use in a certification of the content owner's right, and generating information about the digital media content; and adding the first control signal, the second control signal, and the information to the digital media content to provide a protected content.

摘要翻译： 提供了一种产生受保护的数字媒体内容的方法。 根据本发明的实施例，该方法包括生成受保护的数字媒体内容，包括：产生用于数字媒体内容的授权签名的第一控制信号，产生用于内容认证的第二控制信号 所有者权利，并生成有关数字媒体内容的信息; 以及将第一控制信号，第二控制信号和信息添加到数字媒体内容以提供受保护的内容。