利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

23 条记录 (耗时 0.029 秒)

    Excited gas injection for ion implant control
    1.
    发明授权
    Excited gas injection for ion implant control 有权
    激发气体注入用于离子注入控制

    公开(公告)号：US08501624B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US12328096

    申请日：2008-12-04

    申请人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    发明人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

    摘要： An ion source that utilizes exited and/or atomic gas injection is disclosed. In an ion beam application, the source gas can be used directly, as it is traditionally supplied. Alternatively or additionally, the source gas can be altered by passing it through a remote plasma source prior to being introduced to the ion source chamber. This can be used to create excited neutrals, heavy ions, metastable molecules or multiply charged ions. In another embodiment, multiple gasses are used, where one or more of the gasses are passed through a remote plasma generator. In certain embodiments, the gasses are combined in a single plasma generator before being supplied to the ion source chamber. In plasma immersion applications, plasma is injected into the process chamber through one or more additional gas injection locations. These injection locations allow the influx of additional plasma, produced by remote plasma sources external to the process chamber.

    摘要翻译： 公开了一种利用离子源和/或原子气体注入的离子源。 在离子束施加中，源气体可以直接使用，如通常提供的。 或者或另外，源气体可以在被引入离子源室之前通过将其通过远程等离子体源来改变。 这可以用于产生兴奋的中性粒子，重离子，亚稳分子或多电荷离子。 在另一个实施例中，使用多个气体，其中一个或多个气体通过远程等离子体发生器。 在某些实施方案中，气体在被提供给离子源室之前组合在单个等离子体发生器中。 在等离子体浸渍应用中，通过一个或多个另外的气体注入位置将等离子体注入到处理室中。 这些注入位置允许通过处理室外部的远程等离子体源产生的附加等离子体的流入。

    EXCITED GAS INJECTION FOR ION IMPLANT CONTROL
    2.
    发明申请
    EXCITED GAS INJECTION FOR ION IMPLANT CONTROL 有权
    激光注射用于离子植入控制

    公开(公告)号：US20100140077A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12328096

    申请日：2008-12-04

    申请人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    发明人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    IPC分类号： B01J19/08 ,  C23C16/513

    CPC分类号： H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

    摘要： An ion source that utilizes exited and/or atomic gas injection is disclosed. In an ion beam application, the source gas can be used directly, as it is traditionally supplied. Alternatively or additionally, the source gas can be altered by passing it through a remote plasma source prior to being introduced to the ion source chamber. This can be used to create excited neutrals, heavy ions, metastable molecules or multiply charged ions. In another embodiment, multiple gasses are used, where one or more of the gasses are passed through a remote plasma generator. In certain embodiments, the gasses are combined in a single plasma generator before being supplied to the ion source chamber. In plasma immersion applications, plasma is injected into the process chamber through one or more additional gas injection locations. These injection locations allow the influx of additional plasma, produced by remote plasma sources external to the process chamber.

    摘要翻译： 公开了一种利用离子源和/或原子气体注入的离子源。 在离子束施加中，源气体可以直接使用，如通常提供的。 或者或另外，源气体可以在被引入离子源室之前通过将其通过远程等离子体源来改变。 这可以用于产生兴奋的中性粒子，重离子，亚稳分子或多电荷离子。 在另一个实施例中，使用多个气体，其中一个或多个气体通过远程等离子体发生器。 在某些实施方案中，气体在被提供给离子源室之前组合在单个等离子体发生器中。 在等离子体浸渍应用中，通过一个或多个另外的气体注入位置将等离子体注入到处理室中。 这些注入位置允许通过处理室外部的远程等离子体源产生的附加等离子体的流入。

    TECHNIQUES FOR GENERATING UNIFORM ION BEAM
    4.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR GENERATING UNIFORM ION BEAM 审中-公开
    用于产生均匀离子束的技术

    公开(公告)号：US20110143527A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：US12964357

    申请日：2010-12-09

    申请人： Wilhelm P. PLATOW ,  Neil J. Bassom ,  Peter F. Kurunczi ,  Alexander S. Perel ,  Craig R. Chaney

    发明人： Wilhelm P. PLATOW ,  Neil J. Bassom ,  Peter F. Kurunczi ,  Alexander S. Perel ,  Craig R. Chaney

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/3171

    摘要： Herein an improved technique for generating uniform ion beam is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for processing a substrate with an ion implanter comprising an ion source. The method may comprise: introducing dopant into an ion source chamber of the ion source, the dopant may comprise molecules containing boron and hydrogen; introducing diluent into the ion source chamber, the diluent containing halogen; ionizing the dopant and the diluent into molecular ions and halogen containing ions, the molecular ions containing boron and hydrogen; extracting the molecular ions and the halogen containing ions from the ions source chamber; and directing the molecular ions toward the substrate, where the halogen containing ions may improve uniformity of the molecular ions extracted from the ion source and extend the lifetime of the ion source.

    摘要翻译： 本发明公开了一种用于产生均匀离子束的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于使用包括离子源的离子注入机来处理衬底的方法。 该方法可以包括：将掺杂剂引入到离子源的离子源室中，掺杂剂可以包含含有硼和氢的分子; 将稀释剂引入离子源室，稀释剂含有卤素; 将掺杂剂和稀释剂电离成分子离子和含卤素的离子，含有硼和氢的分子离子; 从离子源室中提取分子离子和含卤素离子; 并且将分子离子引导到衬底，其中含卤素的离子可以改善从离子源提取的分子离子的均匀性并延长离子源的寿命。

    Gallium ION Source and Materials Therefore
    8.
    发明申请
    Gallium ION Source and Materials Therefore 有权
    因此，镓离子源和材料

    公开(公告)号：US20130313971A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：US13477253

    申请日：2012-05-22

    申请人： Costel Biloiu ,  Craig R. Chaney ,  Neil J. Bassom ,  Benjamin Colombeau ,  Dennis P. Rodier

    发明人： Costel Biloiu ,  Craig R. Chaney ,  Neil J. Bassom ,  Benjamin Colombeau ,  Dennis P. Rodier

    IPC分类号： H01J27/20

    CPC分类号： H01J27/20 ,  H01J7/24 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

    摘要： In one embodiment, a method for generating an ion beam having gallium ions includes providing at least a portion of a gallium compound target in a plasma chamber, the gallium compound target comprising gallium and at least one additional element. The method also includes initiating a plasma in the plasma chamber using at least one gaseous species and providing a source of gaseous etchant species to react with the gallium compound target to form a volatile gallium species.

    摘要翻译： 在一个实施方案中，用于产生具有镓离子的离子束的方法包括在等离子体室中提供镓化合物靶的至少一部分，所述镓化合物靶包含镓和至少一个附加元素。 该方法还包括使用至少一种气态物质在等离子体室中引发等离子体，并提供气态蚀刻剂物质源以与镓化合物靶反应以形成挥发性镓物质。

    Cleaning of an extraction aperture of an ion source
    9.
    发明授权
    Cleaning of an extraction aperture of an ion source 有权
    清洁离子源的提取孔

    公开(公告)号：US08455839B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12720960

    申请日：2010-03-10

    申请人： Craig R. Chaney ,  Alexander S. Perel ,  Neil J. Bassom ,  Leo V. Klos

    发明人： Craig R. Chaney ,  Alexander S. Perel ,  Neil J. Bassom ,  Leo V. Klos

    IPC分类号： H01J37/28 ,  B08B7/00

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/024

    摘要： An ion source includes an arc chamber housing defining an arc chamber having an extraction aperture, and a wiper. The wiper is positioned within the arc chamber in a parked position and configured to be driven from the parked position to operational positions to clean the extraction aperture. A cleaning sub-assembly for an ion source includes a wiper configured to be positioned within an arc chamber of the ion source when in a parked position and driven from the parked position to operational positions to clean an extraction aperture of the ion source.

    摘要翻译： 离子源包括限定具有提取孔的电弧室的电弧室壳体和擦拭器。 擦拭器位于电弧室内处于停放位置，并且构造成从停放位置驱动到操作位置以清洁提取孔。 用于离子源的清洁子组件包括擦拭器，其构造成当处于停放位置时定位在离子源的电弧室内并且从停放位置驱动到操作位置以清洁离子源的提取孔。