公开(公告)号：US20110103077A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12908793

申请日：2010-10-20

申请人： Chih-Chien Pan ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Junichi Sonoda

发明人： Chih-Chien Pan ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Junichi Sonoda

IPC分类号： F21V29/00 ,  H05K13/00

CPC分类号： H01L33/483 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0091 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A packaging method for light emitting diodes provides both high light extraction and heat dissipation using a transparent vertical stand structure. A light emitting diode (LED) is attached to a vertical stand structure for supporting the LED, wherein the LED is bonded to the vertical stand structure, so that one of the LED's sides faces vertically upwards, another of the LED's sides faces vertically downwards, a top surface of the LED faces horizontally sideways in one direction, and a bottom surface of the LED faces horizontally sideways in another direction. The vertical stand structure comprises a connecting stem between the LED and a header, and is made of a material that provides for heat dissipation and may also be transparent to light generated in the LED, such as sapphire or zinc oxide. The LED and the vertical stand structure may be encapsulated within a mold.

摘要翻译： 用于发光二极管的封装方法使用透明的垂直支架结构提供高光提取和散热。 发光二极管（LED）附接到用于支撑LED的垂直支架结构，其中LED结合到垂直支架结构，使得LED的一个侧面垂直向上，另一个LED侧面垂直向下， LED的顶面在一个方向上水平地水平地横向，并且LED的底表面在另一个方向上水平地侧向地面对。 垂直支架结构包括在LED和集管之间的连接杆，并且由提供散热的材料制成，并且还可以对诸如蓝宝石或氧化锌的LED中产生的光透明。 LED和垂直支架结构可以封装在模具内。

公开(公告)号：US20120126198A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13283193

申请日：2011-10-27

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting diode (LED) device structure with a reduced Droop effect, and a method for fabricating the LED device structure. The LED is a III-nitride-based LED having an active layer or emitting layer comprised of a multi-quantum-well (MQW) structure, wherein there are eight or more quantum wells (QWs) in the MQW structure, and more preferably, at least nine QWs in the MQW structure. Moreover, the QWs in the MQW structure are grown at temperatures different from barrier layers in the MQW structure, wherein the barrier layers in the MQW structure are grown a temperatures at least 40° C. higher than the QWs in the MQW structure.

摘要翻译： 具有降低的Droop效应的发光二极管（LED）器件结构以及制造LED器件结构的方法。 LED是具有由多量子阱（MQW）结构构成的有源层或发射层的III族氮化物基LED，其中在MQW结构中存在八个或更多个量子阱（QW），更优选地， MQW结构中至少有九个QW。 此外，MQW结构中的QWs在不同于MQW结构中的阻挡层的温度下生长，其中MQW结构中的阻挡层的生长比MQW结构中的QW高至少40℃。

公开(公告)号：US20120126283A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13283259

申请日：2011-10-27

申请人： Yuji Zhao ,  Junichi Sonoda ,  Chih-Chien Pan ,  Shinichi Tanaka ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Yuji Zhao ,  Junichi Sonoda ,  Chih-Chien Pan ,  Shinichi Tanaka ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： A III-nitride light emitting diode grown on a semipolar {20-2-1} plane of a substrate and characterized by high power, high efficiency and low efficiency droop.

摘要翻译： 在衬底的半极{20-2-1}平面上生长的III族氮化物发光二极管，其特征在于高功率，高效率和低效率下垂。

公开(公告)号：US20120313076A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13493430

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting diode structure of (Al,Ga,In)N thin films grown on a gallium nitride (GaN) semipolar substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) that exhibits reduced droop. The device structure includes a quantum well (QW) active region of two or more periods, n-type superlattice layers (n-SLs) located below the QW active region, and p-type superlattice layers (p-SLs) above the QW active region. The present invention also encompasses a method of fabricating such a device.

摘要翻译： 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在氮化镓（GaN）半极性衬底上生长的（Al，Ga，In）N薄膜的发光二极管结构，其呈现减小的下垂。 该器件结构包括两个或多个周期的量子阱（QW）有源区，位于QW有源区下面的n型超晶格层（n-SL）以及QW有源区以上的p型超晶格层（p-SL） 地区。 本发明还包括制造这种装置的方法。

公开(公告)号：US20110266551A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12938948

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A high brightness III-Nitride based Light Emitting Diode (LED), comprising multiple surfaces covered by Zinc Oxide (ZnO) layers, wherein the ZnO layers are grown in a low temperature aqueous solution and each have a (0001) c-orientation and a top surface that is a (0001) plane.

摘要翻译： 一种高亮度III-Nitride型发光二极管（LED），包括由氧化锌（ZnO）层覆盖的多个表面，其中ZnO层在低温水溶液中生长，并且各自具有（0001）c取向和 （0001）面的顶面。

公开(公告)号：US08686397B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13493430

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting diode structure of (Al,Ga,In)N thin films grown on a gallium nitride (GaN) semipolar substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) that exhibits reduced droop. The device structure includes a quantum well (QW) active region of two or more periods, n-type superlattice layers (n-SLs) located below the QW active region, and p-type superlattice layers (p-SLs) above the QW active region. The present invention also encompasses a method of fabricating such a device.

摘要翻译： 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在氮化镓（GaN）半极性衬底上生长的（Al，Ga，In）N薄膜的发光二极管结构，其呈现减小的下垂。 该器件结构包括两个或多个周期的量子阱（QW）有源区，位于QW有源区下面的n型超晶格层（n-SL）以及QW有源区以上的p型超晶格层（p-SL） 地区。 本发明还包括制造这种装置的方法。

公开(公告)号：US20120313077A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13493483

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Daniel F. Feezell ,  Chih-Chien Pan ,  Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Daniel F. Feezell ,  Chih-Chien Pan ,  Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

摘要： High emission power and low efficiency droop semipolar blue light emitting diodes (LEDs).

摘要翻译： 高发射功率和低效率下垂半极蓝光发光二极管（LED）。

公开(公告)号：US08536618B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US20110108873A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/26 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US08637334B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12938948

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A high brightness III-Nitride based Light Emitting Diode (LED), comprising multiple surfaces covered by Zinc Oxide (ZnO) layers, wherein the ZnO layers are grown in a low temperature aqueous solution and each have a (0001) c-orientation and a top surface that is a (0001) plane.

摘要翻译： 一种高亮度III-Nitride型发光二极管（LED），包括由氧化锌（ZnO）层覆盖的多个表面，其中ZnO层在低温水溶液中生长，并且各自具有（0001）c取向和 （0001）面的顶面。