公开(公告)号：US20120313076A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13493430

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting diode structure of (Al,Ga,In)N thin films grown on a gallium nitride (GaN) semipolar substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) that exhibits reduced droop. The device structure includes a quantum well (QW) active region of two or more periods, n-type superlattice layers (n-SLs) located below the QW active region, and p-type superlattice layers (p-SLs) above the QW active region. The present invention also encompasses a method of fabricating such a device.

摘要翻译： 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在氮化镓（GaN）半极性衬底上生长的（Al，Ga，In）N薄膜的发光二极管结构，其呈现减小的下垂。 该器件结构包括两个或多个周期的量子阱（QW）有源区，位于QW有源区下面的n型超晶格层（n-SL）以及QW有源区以上的p型超晶格层（p-SL） 地区。 本发明还包括制造这种装置的方法。

公开(公告)号：US08686397B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13493430

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Daniel F. Feezell ,  Yuji Zhao ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting diode structure of (Al,Ga,In)N thin films grown on a gallium nitride (GaN) semipolar substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) that exhibits reduced droop. The device structure includes a quantum well (QW) active region of two or more periods, n-type superlattice layers (n-SLs) located below the QW active region, and p-type superlattice layers (p-SLs) above the QW active region. The present invention also encompasses a method of fabricating such a device.

摘要翻译： 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在氮化镓（GaN）半极性衬底上生长的（Al，Ga，In）N薄膜的发光二极管结构，其呈现减小的下垂。 该器件结构包括两个或多个周期的量子阱（QW）有源区，位于QW有源区下面的n型超晶格层（n-SL）以及QW有源区以上的p型超晶格层（p-SL） 地区。 本发明还包括制造这种装置的方法。

公开(公告)号：US20120313077A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13493483

申请日：2012-06-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Daniel F. Feezell ,  Chih-Chien Pan ,  Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Daniel F. Feezell ,  Chih-Chien Pan ,  Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

摘要： High emission power and low efficiency droop semipolar blue light emitting diodes (LEDs).

摘要翻译： 高发射功率和低效率下垂半极蓝光发光二极管（LED）。

公开(公告)号：US20120273796A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13459963

申请日：2012-04-30

申请人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： A Group-III nitride optoelectronic device fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a Gallium Nitride (GaN) substrate is characterized by a high Indium uptake and a high polarization ratio.

摘要翻译： 在氮化镓（GaN）衬底的半极（20-2-1）平面上制造的III族氮化物光电子器件的特征在于高的铟吸收和高的偏振比。

公开(公告)号：US20120126283A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13283259

申请日：2011-10-27

申请人： Yuji Zhao ,  Junichi Sonoda ,  Chih-Chien Pan ,  Shinichi Tanaka ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Yuji Zhao ,  Junichi Sonoda ,  Chih-Chien Pan ,  Shinichi Tanaka ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： A III-nitride light emitting diode grown on a semipolar {20-2-1} plane of a substrate and characterized by high power, high efficiency and low efficiency droop.

摘要翻译： 在衬底的半极{20-2-1}平面上生长的III族氮化物发光二极管，其特征在于高功率，高效率和低效率下垂。

公开(公告)号：US20120126198A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13283193

申请日：2011-10-27

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Shinichi Tanaka ,  Junichi Sonoda ,  Hung Tse Chen ,  Chih-Chien Pan

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting diode (LED) device structure with a reduced Droop effect, and a method for fabricating the LED device structure. The LED is a III-nitride-based LED having an active layer or emitting layer comprised of a multi-quantum-well (MQW) structure, wherein there are eight or more quantum wells (QWs) in the MQW structure, and more preferably, at least nine QWs in the MQW structure. Moreover, the QWs in the MQW structure are grown at temperatures different from barrier layers in the MQW structure, wherein the barrier layers in the MQW structure are grown a temperatures at least 40° C. higher than the QWs in the MQW structure.

摘要翻译： 具有降低的Droop效应的发光二极管（LED）器件结构以及制造LED器件结构的方法。 LED是具有由多量子阱（MQW）结构构成的有源层或发射层的III族氮化物基LED，其中在MQW结构中存在八个或更多个量子阱（QW），更优选地， MQW结构中至少有九个QW。 此外，MQW结构中的QWs在不同于MQW结构中的阻挡层的温度下生长，其中MQW结构中的阻挡层的生长比MQW结构中的QW高至少40℃。

公开(公告)号：US09040327B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13495231

申请日：2012-06-13

申请人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang-Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang-Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating AlxGa1-xN-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

摘要翻译： 一种制造Al x Ga 1-x N不包覆非极性III族氮化物基激光二极管或发光二极管的方法。 由于在非极性晶面中没有极化场，这些非极性器件具有用作光波导的厚量子阱，以有效地将光学模式限制在有源区，并且不需要含Al波导覆层。

公开(公告)号：US20120256158A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13495231

申请日：2012-06-13

申请人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating AlxGa1-xN-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

摘要翻译： 一种制造Al x Ga 1-x N不包覆非极性III族氮化物基激光二极管或发光二极管的方法。 由于在非极性晶面中没有极化场，这些非极性器件具有用作光波导的厚量子阱，以有效地将光学模式限制在有源区，并且不需要含Al波导覆层。

公开(公告)号：US20080198881A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US12030124

申请日：2008-02-12

申请人： Robert M. Farrell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hisashi Masui ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert M. Farrell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hisashi Masui ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/06

CPC分类号： H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

摘要： Optical gain of a nonpolar or semipolar Group-III nitride diode laser is controlled by orienting an axis of light propagation in relation to an optical polarization direction or crystallographic orientation of the diode laser. The axis of light propagation is substantially perpendicular to the mirror facets of the diode laser, and the optical polarization direction is determined by the crystallographic orientation of the diode laser. To maximize optical gain, the axis of light propagation is oriented substantially perpendicular to the optical polarization direction or crystallographic orientation.

摘要翻译： 非极性或半极性III族氮化物二极管激光器的光学增益通过相对于二极管激光器的光学偏振方向或晶体取向定向光传播的轴来控制。 光传播的轴线基本上垂直于二极管激光器的镜面，并且光学偏振方向由二极管激光器的晶体取向决定。 为了使光学增益最大化，光传播的轴线基本上垂直于光学偏振方向或结晶取向。

公开(公告)号：US20080191192A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12030117

申请日：2008-02-12

申请人： Daniel F. Feezell ,  Matthew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel F. Feezell ,  Matthew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating AlxGa1-xN-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

摘要翻译： 一种用于制造Al x Ga 1-x N不包覆非极性III族氮化物基激光二极管或发光二极管的方法。 由于在非极性晶面中没有极化场，这些非极性器件具有用作光波导的厚量子阱，以有效地将光学模式限制在有源区，并且不需要含Al波导覆层。