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    Method of forming contact plug on silicide structure
    2.
    发明授权
    Method of forming contact plug on silicide structure 有权
    在硅化物结构上形成接触塞的方法

    公开(公告)号：US07256137B2

    公开(公告)日：2007-08-14

    申请号：US11052938

    申请日：2005-02-07

    申请人： Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue ,  Ju-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai

    发明人： Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue ,  Ju-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided comprising the steps of: (a) forming a semiconductor element on a substrate, the semiconductor element having at least one nickel silicide contact region, a first etch stop layer formed over the element and an insulating layer formed over the first etch stop layer; (b) forming an opening through the insulating layer over the contact region at least to the first etch stop layer; (c) removing a portion of the first etch stop layer contacting a selected contact region using a process that does not substantially oxidize with the contact region, to form a contact opening to the contact region; and (d) filling the contact opening with conductive material to form a contact.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：（a）在衬底上形成半导体元件，所述半导体元件具有至少一个硅化镍接触区域，形成在元件上的第一蚀刻停止层和绝缘层 形成在第一蚀刻停止层上; （b）至少在所述第一蚀刻停止层上在所述接触区域上形成穿过所述绝缘层的开口; （c）使用不与接触区域基本上氧化的工艺去除与所选择的接触区域接触的第一蚀刻停止层的一部分，以形成到接触区域的接触开口; 和（d）用导电材料填充接触开口以形成接触。

    Method of forming contact plug on silicide structure
    3.
    发明申请
    Method of forming contact plug on silicide structure 有权
    在硅化物结构上形成接触塞的方法

    公开(公告)号：US20050158986A1

    公开(公告)日：2005-07-21

    申请号：US11052938

    申请日：2005-02-07

    申请人： Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue ,  Ju-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai

    发明人： Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue ,  Ju-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided comprising the steps of: (a) forming a semiconductor element on a substrate, the semiconductor element having at least one nickel silicide contact region, a first etch stop layer formed over the element and an insulating layer formed over the first etch stop layer; (b) forming an opening through the insulating layer over the contact region at least to the first etch stop layer; (c) removing a portion of the first etch stop layer contacting a selected contact region using a process that does not substantially oxidize with the contact region, to form a contact opening to the contact region; and (d) filling the contact opening with conductive material to form a contact.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：（a）在衬底上形成半导体元件，所述半导体元件具有至少一个硅化镍接触区域，形成在元件上的第一蚀刻停止层和绝缘层 形成在第一蚀刻停止层上; （b）至少在所述第一蚀刻停止层上在所述接触区域上形成穿过所述绝缘层的开口; （c）使用不与接触区域基本上氧化的工艺去除与所选择的接触区域接触的第一蚀刻停止层的一部分，以形成到接触区域的接触开口; 和（d）用导电材料填充接触开口以形成接触。

    Silicide formation on SiGe
    8.
    发明授权
    Silicide formation on SiGe 有权
    SiGe上的硅化物形成

    公开(公告)号：US07432559B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US11523683

    申请日：2006-09-19

    申请人： Jerry Lai ,  Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue

    发明人： Jerry Lai ,  Chii-Ming Wu ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue

    IPC分类号： H01L29/40

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933

    摘要： A semiconductor structure includes a first silicon-containing layer comprising an element selected from the group consisting essentially of carbon and germanium wherein the silicon-containing layer has a first atomic percentage of the element to the element and silicon, a second silicon-containing layer comprising the element over the first silicon-containing layer, and a silicide layer on the second silicon-containing layer. The element in the second silicon-containing layer has a second atomic percentage of the element to the element and silicon, wherein the second atomic percentage is substantially lower than the first atomic percentage.

    摘要翻译： 半导体结构包括第一含硅层，其包含选自基本上由碳和锗组成的组的元素，其中所述含硅层具有元素与元素和硅的元素的第一原子百分比，第二含硅层包含 第一含硅层上的元素，以及第二含硅层上的硅化物层。 第二含硅层中的元素具有与元素和硅的元素的第二原子百分比，其中第二原子百分比基本上低于第一原子百分比。

    Method for silicide formation on semiconductor devices
    9.
    发明申请
    Method for silicide formation on semiconductor devices 有权
    在半导体器件上形成硅化物的方法

    公开(公告)号：US20070178696A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：US11343648

    申请日：2006-01-30

    申请人： Chii-Ming Wu ,  Shih-Wei Chou ,  Gin Wang ,  Cheng-Tung Lin ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue

    发明人： Chii-Ming Wu ,  Shih-Wei Chou ,  Gin Wang ,  Cheng-Tung Lin ,  Chih-Wei Chang ,  Shau-Lin Shue

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： A method for forming nickel silicide includes degassing a semiconductor substrate that includes a silicon surface. After the degassing operation, the substrate is cooled prior to a metal deposition process, during a metal deposition process, or both. The cooling suppresses the temperature of the substrate to a temperature less than the temperature required for the formation of nickel silicide. Nickel diffusion is minimized during the deposition process. After deposition, an annealing process is used to urge the formation of a uniform silicide film. In various embodiments, the metal film may include a binary phase alloy containing nickel and a further element.

    摘要翻译： 一种形成硅化镍的方法包括对包含硅表面的半导体衬底脱气。 在脱气操作之后，在金属沉积工艺，金属沉积工艺期间或两者之间冷却基板。 冷却将基板的温度抑制到低于形成硅化镍所需的温度的温度。 在沉积过程中镍的扩散最小化。 沉积后，使用退火工艺来促使形成均匀的硅化物膜。 在各种实施例中，金属膜可以包括含有镍和另一元素的二元相合金。