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    Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
    2.
    发明授权
    Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers 失效
    半导体晶片可变模式等离子体增强处理的系统和方法

    公开(公告)号：US06379576B2

    公开(公告)日：2002-04-30

    申请号：US09192810

    申请日：1998-11-16

    申请人： Leroy Luo ,  Rene George ,  Stephen E. Savas ,  Craig Ranft ,  Wolfgang Helle ,  Robert Guerra

    发明人： Leroy Luo ,  Rene George ,  Stephen E. Savas ,  Craig Ranft ,  Wolfgang Helle ,  Robert Guerra

    IPC分类号： C23F100

    CPC分类号： H01L21/02071 ,  G03F7/427 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

    摘要： Variable mode plasma system and method for processing a semiconductor wafer. The modulation of the plasma potential relative to the semiconductor wafer is varied for different process steps. A capacitive shield may be selectively grounded to vary the level of capacitive coupling and modulation of the plasma. Process pressures, gases and power level may also be modified for different process steps. Plasma properties may easily be tailored to specific layers and materials being processed on the surface of the wafer. Variable mode processes may be adapted for (i) removal of photoresist after high-dose ion implant, (ii) post metal etch polymer removal, (iii) via clean, and (iv) other plasma enhanced processes.

    摘要翻译： 可变模式等离子体系统和半导体晶片的处理方法。 对于不同的工艺步骤，等离子体电位相对于半导体晶片的调制是不同的。 可以选择性地接地电容屏蔽以改变等离子体的电容耦合和调制的电平。 过程压力，气体和功率水平也可以针对不同的工艺步骤进行修改。 等离子体性质可以容易地适应于在晶片表面上被处理的特定层和材料。 可变模式工艺可以适用于（i）高剂量离子注入后去除光致抗蚀剂，（ii）金属后蚀刻聚合物去除，（iii）通过清洁，和（iv）其它等离子体增强过程。

    Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
    6.
    发明申请
    Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing 审中-公开
    集成电路制造中光刻胶剥离和残留处理的系统和方法

    公开(公告)号：US20050022839A1

    公开(公告)日：2005-02-03

    申请号：US10890059

    申请日：2004-07-12

    申请人： Stephen Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    发明人： Stephen Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    IPC分类号： F16B33/02 ,  F16B35/04 ,  F16B39/30 ,  H01L21/316 ,  C25F3/30 ,  B23K10/00

    CPC分类号： F16B39/30 ,  F16B33/02 ,  F16B35/04 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138

    摘要： Plasma systems and methods for supplying activation energy to remove cross-linked photoresist crust using ion bombardment of the substrate from a plasma, at reduced temperature, achieved in part by operating the processing chamber at low pressures. Reduced temperatures prevent “popping” of the photoresist which can cause particulate contamination. The gas flow may comprise a principal gas, an inert diluent gas, and an additive gas. Principal gases for HDIS may comprise oxygen, hydrogen, and water vapor at pressures less than about 200 mTorr and a bias may be applied to the substrate support. When low-k dielectric material is present on vertical surfaces, reduced ion bombardment on vertical surfaces may be used, and a protective layer may be deposited on those surfaces.

    摘要翻译： 等离子体系统和用于提供活化能以消除交联的光致抗蚀剂外壳的方法，其一部分通过在低压下操作该处理室来实现，该等离子体系在降低的温度下使用离子轰击等离子体的基板进行离子轰击。 降低的温度可防止可能引起颗粒污染的光致抗蚀剂的“爆裂”。 气流可以包括主要气体，惰性稀释气体和添加气体。 用于HDIS的主要气体可以包括氧气，氢气和水蒸汽，压力小于约200毫托，并且可以将偏压施加到基底支撑件。 当低k介电材料存在于垂直表面上时，可以使用垂直表面上的减少的离子轰击，并且可以在这些表面上沉积保护层。

    Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
    7.
    发明申请
    Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing 审中-公开
    集成电路制造中光刻胶和残留处理的系统和方法

    公开(公告)号：US20070193602A1

    公开(公告)日：2007-08-23

    申请号：US11692171

    申请日：2007-03-27

    申请人： Stephen Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    发明人： Stephen Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    IPC分类号： B08B3/12 ,  B08B6/00

    CPC分类号： G03F7/427 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138

    摘要： Plasma systems and methods for supplying activation energy to remove cross-linked photoresist crust using ion bombardment of the substrate from a plasma, at reduced temperature, achieved in part by operating the processing chamber at low pressures. Reduced temperatures prevent “popping” of the photoresist which can cause particulate contamination. The gas flow may comprise a principal gas, an inert diluent gas, and an additive gas. Principal gases for HDIS may comprise oxygen, hydrogen, and water vapor at pressures less than about 200 mTorr and a bias may be applied to the substrate support. When low-k dielectric material is present on vertical surfaces, reduced ion bombardment on vertical surfaces may be used, and a protective layer may be deposited on those surfaces.

    摘要翻译： 等离子体系统和用于提供活化能以消除交联的光致抗蚀剂外壳的方法，其一部分通过在低压下操作该处理室来实现，该等离子体系在降低的温度下使用离子轰击等离子体的基板进行离子轰击。 降低的温度可防止可能引起颗粒污染的光致抗蚀剂的“爆裂”。 气流可以包括主要气体，惰性稀释气体和添加气体。 用于HDIS的主要气体可以包括氧气，氢气和水蒸汽，压力小于约200毫托，并且可以将偏压施加到基底支撑件。 当低k介电材料存在于垂直表面上时，可以使用垂直表面上的减少的离子轰击，并且可以在这些表面上沉积保护层。

    Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
    9.
    发明授权
    Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing 失效
    集成电路制造中光刻胶剥离和残留处理的系统和方法

    公开(公告)号：US06805139B1

    公开(公告)日：2004-10-19

    申请号：US09692255

    申请日：2000-10-19

    申请人： Stephen E. Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    发明人： Stephen E. Savas ,  John Zajac ,  Robert Guerra ,  Wolfgang Helle

    IPC分类号： B08B704

    CPC分类号： H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31138

    摘要： Plasma systems and methods for supplying activation energy to remove cross-linked photoresist crust using ion bombardment of the substrate from a plasma, at reduced temperature, achieved in part by operating the processing chamber at low pressures. Reduced temperatures prevent “popping” of the photoresist which can cause particulate contamination. The gas flow may comprise a principal gas, an inert diluent gas, and an additive gas. Principal gases for HDIS may comprise oxygen, hydrogen, and water vapor at pressures less than about 200 mTorr and a bias may be applied to the substrate support. When low-k dielectric material is present on vertical surfaces, reduced ion bombardment on vertical surfaces may be used, and a protective layer may be deposited on those surfaces.

    摘要翻译： 等离子体系统和用于提供活化能以消除交联的光致抗蚀剂外壳的方法，其一部分通过在低压下操作该处理室来实现，该等离子体系在降低的温度下使用离子轰击等离子体的基板进行离子轰击。 降低的温度可防止可能引起颗粒污染的光致抗蚀剂的“爆裂”。 气流可以包括主要气体，惰性稀释气体和添加气体。 用于HDIS的主要气体可以包括氧气，氢气和水蒸汽，压力小于约200毫托，并且可以将偏压施加到基底支撑件。 当低k介电材料存在于垂直表面上时，可以使用垂直表面上的减少的离子轰击，并且可以在这些表面上沉积保护层。