公开(公告)号：US20080018232A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11779638

申请日：2007-07-18

申请人： Daihua Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Xiaolei Liu ,  Evgueni Polikarpov ,  James Ly ,  Mark Thompson ,  Chongwu Zhou ,  Cody Schlenker

发明人： Daihua Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Xiaolei Liu ,  Evgueni Polikarpov ,  James Ly ,  Mark Thompson ,  Chongwu Zhou ,  Cody Schlenker

IPC分类号： H01L51/50 ,  B05D3/00

CPC分类号： H01L51/0003 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/742

摘要： An electrode for use in an organic optoelectronic device is provided. The electrode includes a thin film of single-wall carbon nanotubes. The film may be deposited on a substrate of the device by using an elastomeric stamp. The film may be enhanced by spin-coating a smoothing layer on the film and/or doping the film to enhance conductivity. Electrodes according to the present invention may have conductivities, transparencies, and other features comparable to other materials typically used as electrodes in optoelectronic devices.

摘要翻译： 提供了一种用于有机光电子器件的电极。 电极包括单壁碳纳米管的薄膜。 可以通过使用弹性体印记将膜沉积在装置的基板上。 可以通过在膜上旋涂平滑层和/或掺杂薄膜来提高导电性来增强薄膜。 根据本发明的电极可以具有与通常用作光电子器件中的电极的其它材料相当的电导率，透明度和其它特征。

公开(公告)号：US07834545B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11779638

申请日：2007-07-18

申请人： Daihua Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Xiaolei Liu ,  Evgueni Polikarpov ,  James Ly ,  Mark E. Thompson ,  Chongwu Zhou ,  Cody Schlenker

发明人： Daihua Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Xiaolei Liu ,  Evgueni Polikarpov ,  James Ly ,  Mark E. Thompson ,  Chongwu Zhou ,  Cody Schlenker

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J1/02

CPC分类号： H01L51/0003 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/742

摘要： An electrode for use in an organic optoelectronic device is provided. The electrode includes a thin film of single-wall carbon nanotubes. The film may be deposited on a substrate of the device by using an elastomeric stamp. The film may be enhanced by spin-coating a smoothing layer on the film and/or doping the film to enhance conductivity. Electrodes according to the present invention may have conductivities, transparencies, and other features comparable to other materials typically used as electrodes in optoelectronic devices.

摘要翻译： 提供了一种用于有机光电子器件的电极。 电极包括单壁碳纳米管的薄膜。 可以通过使用弹性体印记将膜沉积在装置的基板上。 可以通过在膜上旋涂平滑层和/或掺杂薄膜来提高导电性来增强薄膜。 根据本发明的电极可以具有与通常用作光电子器件中的电极的其它材料相当的电导率，透明度和其它特征。

公开(公告)号：US08847313B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US12538597

申请日：2009-08-10

申请人： Chongwu Zhou ,  Fumiaki Ishikawa ,  Hsiao-Kang Chang ,  Koungmin Ryu

发明人： Chongwu Zhou ,  Fumiaki Ishikawa ,  Hsiao-Kang Chang ,  Koungmin Ryu

IPC分类号： H01L27/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/003 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Methods and devices for transparent electronics are disclosed. According to an embodiment, transparent electronics are provided based on transfer printed carbon nanotubes that can be disposed on both rigid and flexible substrates. Methods are provided to enable highly aligned single-walled carbon nanotubes (SWNTs) to be used in transparent electronics for achieving high carrier mobility while using low-temperature processing. According to one method, highly aligned nanotubes can be grown on a first substrate. Then, the aligned nanotubes can be transferred to a rigid or flexible substrate having pre-patterned gate electrodes. Source and drain electrodes can be formed on the transferred nanotubes. The subject devices can be integrated to provide logic gates and analog circuitry for a variety of applications.

摘要翻译： 公开了用于透明电子器件的方法和装置。 根据一个实施例，基于可以设置在刚性和柔性基板上的转印印刷碳纳米管提供透明电子器件。 提供了使得高度对准的单壁碳纳米管（SWNT）用于透明电子学中以实现高载流子迁移率同时使用低温处理的方法。 根据一种方法，高度排列的纳米管可以在第一衬底上生长。 然后，可以将取向的纳米管转移到具有预图案化栅电极的刚性或柔性衬底。 源极和漏极可以在转移的纳米管上形成。 可以将主题装置集成以提供用于各种应用的逻辑门和模拟电路。

公开(公告)号：US20110101302A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12940674

申请日：2010-11-05

申请人： Chongwu Zhou ,  Chuan Wang ,  Jialu Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Lewis Gomez De Arco

发明人： Chongwu Zhou ,  Chuan Wang ,  Jialu Zhang ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Lewis Gomez De Arco

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L51/52 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L27/3248 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

摘要： Methods, materials, systems and apparatus are described for depositing a separated nanotube networks, and fabricating, separated nanotube thin-film transistors and N-type separated nanotube thin-film transistors. In one aspect, a method of depositing a wafer-scale separated nanotube networks includes providing a substrate with a dielectric layer. The method includes cleaning a surface of the wafer substrate to cause the surface to become hydrophilic. The cleaned surface of the wafer substrate is functionalized by applying a solution that includes linker molecules terminated with amine groups. High density, uniform separated nanotubes are assembled over the functionalized surface by applying to the functionalized surface a separated nanotube solution that includes semiconducting nanotubes.

摘要翻译： 描述了用于沉积分离的纳米管网络的方法，材料，系统和装置，以及制造分离的纳米管薄膜晶体管和N型分离的纳米管薄膜晶体管。 在一个方面，沉积晶片级隔离的纳米管网络的方法包括向基片提供介电层。 该方法包括清洁晶片衬底的表面以使表面变得亲水。 通过施加包含以胺基封端的连接分子的溶液来使晶片衬底的清洁表面功能化。 通过向功能化表面施加包括半导体纳米管的分离的纳米管溶液，在功能化表面上组装高密度均匀分离的纳米管。

公开(公告)号：US08618612B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13447105

申请日：2012-04-13

申请人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

发明人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02527 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L27/092 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0545

摘要： Techniques, apparatus and systems are described for wafer-scale processing of aligned nanotube devices and integrated circuits. In one aspect, a method can include growing aligned nanotubes on at least one of a wafer-scale quartz substrate or a wafer-scale sapphire substrate. The method can include transferring the grown aligned nanotubes onto a target substrate. Also, the method can include fabricating at least one device based on the transferred nanotubes.

公开(公告)号：US08354291B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12625543

申请日：2009-11-24

申请人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

发明人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02527 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L27/092 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0545

摘要： Techniques, apparatus and systems are described for wafer-scale processing of aligned nanotube devices and integrated circuits. In one aspect, a method can include growing aligned nanotubes on at least one of a wafer-scale quartz substrate or a wafer-scale sapphire substrate. The method can include transferring the grown aligned nanotubes onto a target substrate. Also, the method can include fabricating at least one device based on the transferred nanotubes.

摘要翻译： 描述了用于对准的纳米管器件和集成电路的晶片级处理的技术，装置和系统。 在一个方面，一种方法可以包括在晶片级石英衬底或晶片级蓝宝石衬底中的至少一个上生长取向的纳米管。 该方法可以包括将生长的取向的纳米管转移到靶基质上。 此外，该方法可以包括基于所转移的纳米管制造至少一个器件。

公开(公告)号：US08860137B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13492547

申请日：2012-06-08

申请人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

发明人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L29/66 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66477 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： RF transistors are fabricated at complete wafer scale using a nanotube deposition technique capable of forming high-density, uniform semiconducting nanotube thin films at complete wafer scale, and electrical characterization reveals that such devices exhibit gigahertz operation, linearity, and large transconductance and current drive.

摘要翻译： RF晶体管使用纳米管沉积技术在完整的晶片尺度上制造，该技术能够在完整的晶片尺度上形成高密度，均匀的半导体纳米管薄膜，而电气特性表明这些器件表现出千兆赫兹的操作，线性度和大的跨导电流驱动。

公开(公告)号：US20120261646A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13447105

申请日：2012-04-13

申请人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

发明人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

IPC分类号： H01L29/76 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L21/02527 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L27/092 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0545

摘要： Techniques, apparatus and systems are described for wafer-scale processing of aligned nanotube devices and integrated circuits one. In one aspect, a method can include growing aligned nanotubes on at least one of a wafer-scale quartz substrate or a wafer-scale sapphire substrate. The method can include transferring the grown aligned nanotubes onto a target substrate. Also, the method can include fabricating at least one device based on the transferred nanotubes.

摘要翻译： 描述了用于对准纳米管器件和集成电路的晶片级处理的技术，装置和系统。 在一个方面，一种方法可以包括在晶片级石英衬底或晶片级蓝宝石衬底中的至少一个上生长取向的纳米管。 该方法可以包括将生长的取向的纳米管转移到靶基质上。 此外，该方法可以包括基于所转移的纳米管制造至少一个器件。

公开(公告)号：US20100133511A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12625543

申请日：2009-11-24

申请人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

发明人： Chongwu Zhou ,  Koungmin Ryu ,  Alexander Badmaev ,  Chuan Wang

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02527 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L27/092 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0545

摘要： Techniques, apparatus and systems are described for wafer-scale processing of aligned nanotube devices and integrated circuits. In one aspect, a method can include growing aligned nanotubes on at least one of a wafer-scale quartz substrate or a wafer-scale sapphire substrate. The method can include transferring the grown aligned nanotubes onto a target substrate. Also, the method can include fabricating at least one device based on the transferred nanotubes.

摘要翻译： 描述了用于对准的纳米管器件和集成电路的晶片级处理的技术，装置和系统。 在一个方面，一种方法可以包括在晶片级石英衬底或晶片级蓝宝石衬底中的至少一个上生长取向的纳米管。 该方法可以包括将生长的取向的纳米管转移到靶基质上。 此外，该方法可以包括基于所转移的纳米管制造至少一个器件。

公开(公告)号：US20100204062A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12614239

申请日：2009-11-06

申请人： Mark Thompson ,  Richard Roberts ,  Richard Cote ,  Chongwu Zhou

发明人： Mark Thompson ,  Richard Roberts ,  Richard Cote ,  Chongwu Zhou

IPC分类号： C40B40/06 ,  C40B40/10 ,  G01N35/00

CPC分类号： B82Y15/00 ,  B82Y35/00 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G01N35/00693

摘要： The present invention relates to the calibration of devices using a secondary binding agent or reference material. In one embodiment, the present invention provides a method of calibrating a nanosensor by providing a nanosensor comprising an analyte binder attached to a reference binder, extracting a calibration curve from binding a reference material to the reference binder, and calibrating the nanosensor by using the calibration curve to correct for device variation.

摘要翻译： 本发明涉及使用二次结合剂或参考物质的装置的校准。 在一个实施方案中，本发明提供了一种校准纳米传感器的方法，该方法通过提供纳米传感器，该纳米传感器包括附着于参考粘合剂的分析物粘合剂，从校正曲线结合参考物质到参考粘合剂，以及通过使用校准来校准纳米传感器 曲线以校正设备变化。