公开(公告)号：US08222066B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12061592

申请日：2008-04-02

申请人： Thanh Nghia Tu ,  Qi Luo ,  Chia Wei Yang ,  David Heald ,  Evgeni Gousev ,  Chih-Wei Chiang

发明人： Thanh Nghia Tu ,  Qi Luo ,  Chia Wei Yang ,  David Heald ,  Evgeni Gousev ,  Chih-Wei Chiang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B2201/047

摘要： Methods of making a microelectromechanical system (MEMS) device are described. In some embodiments, the method includes forming a sacrificial layer over a substrate, treating at least a portion of the sacrificial layer to form a treated sacrificial portion, forming an overlying layer over at least a part of the treated sacrificial portion, and at least partially removing the treated sacrificial portion to form a cavity situated between the substrate and the overlying layer, the overlying layer being exposed to the cavity.

摘要翻译： 描述制造微机电系统（MEMS）装置的方法。 在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成牺牲层，处理牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分，在经处理的牺牲部分的至少一部分上形成覆盖层，并且至少部分地 去除经处理的牺牲部分以形成位于衬底和上覆层之间的空腔，上覆层暴露于空腔。

公开(公告)号：US20100219155A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12527864

申请日：2008-02-18

申请人： Khurshid Syed Alam ,  Evgeni Gousev ,  Marc Maurice Mignard ,  David Heald ,  Ana R. Londergan ,  Philip Don Floyd

发明人： Khurshid Syed Alam ,  Evgeni Gousev ,  Marc Maurice Mignard ,  David Heald ,  Ana R. Londergan ,  Philip Don Floyd

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00531

摘要： Etching equipment and methods are disclosed herein for more efficient etching of sacrificial material from between permanent MEMS structures. An etching head includes an elongate etchant inlet structure, which may be slot-shaped or an elongate distribution of inlet holes. A substrate is supported in proximity to the etching head in a manner that defines a flow path substantially parallel to the substrate face, and permits relative motion for the etching head to scan across the substrate.

摘要翻译： 本文公开了蚀刻设备和方法，用于从永久MEMS结构之间更有效地蚀刻牺牲材料。 蚀刻头包括细长的蚀刻剂入口结构，其可以是槽形的或入口孔的细长分布。 衬底以限定基本上平行于衬底面的流动路径的方式支撑在蚀刻头附近，并且允许蚀刻头相对于衬底扫描的相对运动。

公开(公告)号：US07738158B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12163660

申请日：2008-06-27

申请人： Bangalore R. Natarajan ,  Kasra Khazeni ,  David Heald ,  Rihui He ,  Sriram Akella ,  Evgeni Gousev

发明人： Bangalore R. Natarajan ,  Kasra Khazeni ,  David Heald ,  Rihui He ,  Sriram Akella ,  Evgeni Gousev

IPC分类号： G02B26/00 ,  G02F1/03

CPC分类号： B81C1/0092 ,  B81B3/0005 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/112 ,  G02B26/001

摘要： Methods, devices, and systems provide MEMS devices exhibiting at least one of reduced stiction, reduced hydrophilicity, or reduced variability of certain electrical characteristics using MEMS devices treated with water vapor. The treatment is believed to form one or more passivated surfaces on the interior and/or exterior of the MEMS devices. Relatively gentle temperature and pressure conditions ensure modification of surface chemistry without excessive water absorption after removal of sacrificial material to release the MEMS devices.

摘要翻译： 方法，装置和系统提供使用用水蒸汽处理的MEMS装置展现降低的静摩擦，降低的亲水性或某些电气特性的变化性中的至少一个的MEMS装置。 认为处理在MEMS器件的内部和/或外部形成一个或多个钝化表面。 相对温和的温度和压力条件确保在去除牺牲材料以释放MEMS器件之后，不改变表面化学性质而不过度吸水。

公开(公告)号：US20080094687A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11960602

申请日：2007-12-19

申请人： David Heald

发明人： David Heald

IPC分类号： G02B26/00

CPC分类号： G02B26/001

摘要： A method of fabricating an array of MEMS devices includes the formation of support structures located at the edge of upper strip electrodes. A support structure is etched to form a pair of individual support structures located at the edges of a pair of adjacent electrodes. The electrodes themselves may be used as a hard mask during the etching of these support structures. A resultant array of MEMS devices includes support structures having a face located at the edge of an overlying electrode and coincident with the edge of the overlying electrode.

摘要翻译： 制造MEMS器件阵列的方法包括形成位于上条带电极边缘处的支撑结构。 蚀刻支撑结构以形成位于一对相邻电极的边缘处的一对单独的支撑结构。 在蚀刻这些支撑结构期间，电极本身可用作硬掩模。 所得到的MEMS器件阵列包括支撑结构，其具有位于上覆电极的边缘处并与上覆电极的边缘重合的面。

公开(公告)号：US20070187768A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11695728

申请日：2007-04-03

申请人： Xiangfeng Duan ,  Calvin Chow ,  David Heald ,  Chunming Niu ,  J. Parce ,  David Stumbo

发明人： Xiangfeng Duan ,  Calvin Chow ,  David Heald ,  Chunming Niu ,  J. Parce ,  David Stumbo

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  G03G5/00 ,  G03G5/02 ,  G03G5/04 ,  G03G5/043 ,  G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  G03G5/08214 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/18 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7887 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/936

摘要： Methods and apparatuses for nanoenabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays are described. In an aspect, a memory device includes a substrate, a source region of the substrate, and a drain region of the substrate. A population of nanoelements is deposited on the substrate above a channel region, the population of nanolements in one embodiment including metal quantum dots. A tunnel dielectric layer is formed on the substrate overlying the channel region, and a metal migration barrier layer is deposited over the dielectric layer. A gate contact is formed over the thin film of nanoelements. The nanoelements allow for reduced lateral charge transfer. The memory device may be a single or multistate memory device. In a multistate memory device which comprises one or more quantum dots or molecules having a plurality of discrete energy levels, a method is disclosed for charging and/or discharging the device which comprises filling each of the plurality of discrete energy levels of each dot or molecule with one or more electrons, and subsequently removing individual electrons at a time from each discrete energy level of the one or more dots or molecules.

摘要翻译： 描述了用于纳米存储器件和各向异性带电载体阵列的方法和装置。 在一方面，存储器件包括衬底，衬底的源极区域和衬底的漏极区域。 纳米元素的群体沉积在通道区域上方的衬底上，在一个实施方案中纳米的群体包括金属量子点。 隧道介电层形成在覆盖沟道区的衬底上，金属迁移势垒层沉积在电介质层上。 在纳米元件的薄膜上形成栅极接触。 纳米元件允许减少横向电荷转移。 存储器件可以是单个或多个存储器件。 在包括具有多个离散能级的一个或多个量子点或分子的多状态存储器件中，公开了一种用于对该器件进行充电和/或放电的方法，该方法包括填充每个点或分子的多个离散能级中的每一个 与一个或多个电子，并随后从一个或多个点或分子的每个离散能级一次去除单个电子。

公开(公告)号：US20070012985A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11525121

申请日：2006-09-22

申请人： David Stumbo ,  Jian Chen ,  David Heald ,  Yaoling Pan

发明人： David Stumbo ,  Jian Chen ,  David Heald ,  Yaoling Pan

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/93 ,  Y10S977/762

摘要： A nanowire capacitor and methods of making the same are disclosed. The nanowire capacitor includes a substrate and a semiconductor nanowire that is supported by the substrate. An insulator is formed on a portion of the surface of the nanowire. Additionally, an outer coaxial conductor is formed on a portion of the insulator and a contact coupled to the nanowire.

摘要翻译： 公开了一种纳米线电容器及其制造方法。 纳米线电容器包括由衬底支撑的衬底和半导体纳米线。 绝缘体形成在纳米线表面的一部分上。 此外，在绝缘体的一部分上形成一个外部同轴导体和一个与纳米线相连的触点。

公开(公告)号：US20120206462A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13453844

申请日：2012-04-23

申请人： Ana R. Londergan ,  Bangalore R. Natarajan ,  Evgeni Gousev ,  James Randolph Webster ,  David Heald

发明人： Ana R. Londergan ,  Bangalore R. Natarajan ,  Evgeni Gousev ,  James Randolph Webster ,  David Heald

IPC分类号： G02B26/00 ,  B05D5/06 ,  G06T1/00

CPC分类号： G02B26/001 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/047

摘要： Devices, methods, and systems comprising a MEMS device, for example, an interferometric modulator, that comprises a cavity in which a layer coats multiple surfaces. The layer is conformal or non-conformal. In some embodiments, the layer is formed by atomic layer deposition (ALD). Preferably, the layer comprises a dielectric material. In some embodiments, the MEMS device also exhibits improved characteristics, such as improved electrical insulation between moving electrodes, reduced stiction, and/or improved mechanical properties.

摘要翻译： 包括MEMS器件（例如干涉式调制器）的器件，方法和系统，其包括其中层涂覆多个表面的空腔。 该层是保形的或非保形的。 在一些实施例中，该层由原子层沉积（ALD）形成。 优选地，该层包括电介质材料。 在一些实施例中，MEMS器件还表现出改进的特性，例如移动电极之间的改善的电绝缘性，降低的静摩擦力和/或改善的机械性能。

公开(公告)号：US08164815B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12795294

申请日：2010-06-07

申请人： Ana R. Londergan ,  Bangalore R. Natarajan ,  Evgeni Gousev ,  James Randolph Webster ,  David Heald

发明人： Ana R. Londergan ,  Bangalore R. Natarajan ,  Evgeni Gousev ,  James Randolph Webster ,  David Heald

IPC分类号： G02F1/00

CPC分类号： G02B26/001 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/047

摘要： Devices, methods, and systems comprising a MEMS device, for example, an interferometric modulator, that comprises a cavity in which a layer coats multiple surfaces. The layer is conformal or non-conformal. In some embodiments, the layer is formed by atomic layer deposition (ALD). Preferably, the layer comprises a dielectric material. In some embodiments, the MEMS device also exhibits improved characteristics, such as improved electrical insulation between moving electrodes, reduced stiction, and/or improved mechanical properties.

摘要翻译： 包括MEMS器件（例如干涉式调制器）的器件，方法和系统，其包括其中层涂覆多个表面的空腔。 该层是保形的或非保形的。 在一些实施例中，该层由原子层沉积（ALD）形成。 优选地，该层包括电介质材料。 在一些实施例中，MEMS器件还表现出改进的特性，例如移动电极之间的改善的电绝缘性，降低的静摩擦力和/或改善的机械性能。

公开(公告)号：US20110012219A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12680503

申请日：2007-09-28

申请人： Yen Hua Lin ,  Rihui He ,  Lingling Wu ,  Lauren Palmateer ,  David Heald

发明人： Yen Hua Lin ,  Rihui He ,  Lingling Wu ,  Lauren Palmateer ,  David Heald

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/18

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C1/00674

摘要： A MEMS device may be package with a desiccant to provide a moisture-free environment. In order to avoid undesirable effects on the MEMS device, the desiccant may be selected or treated so as to be compatible with a particular MEMS device. This treatment may include baking of the desiccant to as to cause outgassing of moisture or other undesirable material. The structure of the MEMS device may also be altered to improve compatibility with particular desiccants.

摘要翻译： MEMS器件可以用干燥剂包装以提供无湿度的环境。 为了避免对MEMS器件的不期望的影响，可以选择或处理干燥剂以便与特定的MEMS器件兼容。 这种处理可以包括烘烤干燥剂，以引起除湿或其它不期望的物质。 还可以改变MEMS器件的结构，以改善与特定干燥剂的相容性。

公开(公告)号：US20090071933A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12210026

申请日：2008-09-12

申请人： Philip Floyd ,  Evgeni Gousev ,  David Heald ,  Ben Ward Hertzler ,  Chok Ho ,  Teruo Sasagawa ,  Xiaoming Yan ,  Todd Lyle Zion

发明人： Philip Floyd ,  Evgeni Gousev ,  David Heald ,  Ben Ward Hertzler ,  Chok Ho ,  Teruo Sasagawa ,  Xiaoming Yan ,  Todd Lyle Zion

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/32135 ,  B01D53/002 ,  B01D2257/11 ,  B01D2257/2027 ,  H01L21/31116

摘要： The efficiency of an etching process may be increased in various ways, and the cost of an etching process may be decreased. Unused etchant may be isolated and recirculated during the etching process. Etching byproducts may be collected and removed from the etching system during the etching process. Components of the etchant may be isolated and used to general additional etchant. Either or both of the etchant or the layers being etched may also be optimized for a particular etching process.

摘要翻译： 可以以各种方式增加蚀刻工艺的效率，并且可以降低蚀刻工艺的成本。 未蚀刻的蚀刻剂可以在蚀刻过程中被隔离并再循环。 蚀刻副产物可以在蚀刻过程中从蚀刻系统中收集和去除。 蚀刻剂的组分可以被分离并用于一般的另外的蚀刻剂。 蚀刻剂或被蚀刻的层中的任一个或两者也可以针对特定的蚀刻工艺进行优化。