公开(公告)号：US20100071720A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12234447

申请日：2008-09-19

申请人： Dirk Heinrich Ehm ,  Stefan Schmidt ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Dirk Heinrich Ehm ,  Stefan Schmidt ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： B08B5/04 ,  B08B7/00 ,  C03C25/70

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0071 ,  G03F7/70925

摘要： Inside a vacuum chamber 200 a cleaning unit 204 provides atomic hydrogen or atomic deuterium for cleaning a surface 202 at a pressure of less than 10−4 Torr or of more than 10−3 Torr. The surface 202 is heated by the heating unit 203 to a temperature of at least 50° C. This allows achieving cleaning rates of more than 60 Å/h. Preferably, the surface 202 is the surface of a multilayer mirror 201 as used in an EUV lithography apparatus.

摘要翻译： 在真空室200内，清洁单元204提供原子氢或原子氘，以在小于10-4乇或大于10-3乇的压力下清洁表面202。 表面202由加热单元203加热到至少50℃的温度。这样可实现大于60埃/小时的清洁率。 优选地，表面202是在EUV光刻设备中使用的多层反射镜201的表面。

公开(公告)号：US08885141B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13088299

申请日：2011-04-15

申请人： Wolfgang Singer ,  Yim-Bun-Patrick Kwan ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Wolfgang Singer ,  Yim-Bun-Patrick Kwan ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42 ,  G03F7/20 ,  G03F1/86 ,  G03F1/82

CPC分类号： G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

摘要： An EUV lithography device including an illumination device for illuminating a mask at an illumination position in the EUV lithography device and a projection device for imaging a structure provided on the mask onto a light-sensitive substrate. The EUV lithography device has a processing device (15) for processing an optical element (6a), in particular the mask, preferably in a locally resolved manner, at a processing position in the EUV lithography device. For activating at least one gas component of the gas stream (27), the processing device (15) includes a particle generator (30) for generating a particle beam, in particular an electron beam (30a), and/or a high-frequency generator.

摘要翻译： 一种EUV光刻设备，包括用于在EUV光刻设备中的照明位置处照射掩模的照明设备和用于将设置在掩模上的结构成像到感光基板上的投影设备。 EUV光刻设备具有处理装置（15），用于在EUV光刻设备中的处理位置优选地以局部分辨的方式处理光学元件（6a），特别是掩模。 为了激活气体流（27）的至少一种气体成分，处理装置（15）包括用于产生粒子束（特别是电子束（30a））和/或高频的粒子发生器（30） 发电机。

公开(公告)号：US09046794B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US12883247

申请日：2010-09-16

申请人： Stefan Hembacher ,  Dieter Kraus ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Stefan Wiesner ,  Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Stefan Hembacher ,  Dieter Kraus ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Stefan Wiesner ,  Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70925

摘要： In order to clean optical components (35) inside an EUV lithography device in a gentle manner, a cleaning module for an EUV lithography device includes a supply line for molecular hydrogen and a heating filament for producing atomic hydrogen and hydrogen ions for cleaning purposes. The cleaning module also has an element, (33) arranged to apply an electric and/or magnetic field, downstream of the heating filament (29) in the direction of flow of the hydrogen (31, 32). The element can be designed as a deflection unit, as a filter unit and/or as an acceleration unit for the ion beam (32).

摘要翻译： 为了以平缓的方式清洗EUV光刻设备内的光学元件（35），用于EUV光刻设备的清洁模块包括用于分子氢的供应管线和用于产生原子氢和氢离子用于清洁目的的加热丝。 清洁模块还具有一个元件（33），其布置成沿着氢气（31,32）的流动方向在加热丝（29）的下游施加电场和/或磁场。 元件可以设计为偏转单元，作为过滤器单元和/或用作离子束（32）的加速单元。

公开(公告)号：US20110279799A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13088299

申请日：2011-04-15

申请人： Wolfgang Singer ,  Yim-Bun-Patrick Kwan ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Wolfgang Singer ,  Yim-Bun-Patrick Kwan ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Dirk Heinrich Ehm ,  Dieter Kraus ,  Stefan Wiesner ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

摘要： An EUV lithography device including an illumination device for illuminating a mask at an illumination position in the EUV lithography device and a projection device for imaging a structure provided on the mask onto a light-sensitive substrate. The EUV lithography device has a processing device (15) for processing an optical element (6a), in particular the mask, preferably in a locally resolved manner, at a processing position in the EUV lithography device. For activating at least one gas component of the gas stream (27), the processing device (15) comprises a particle generator (30) for generating a particle beam, in particular an electron beam (30a), and/or a high-frequency generator.

摘要翻译： 一种EUV光刻设备，包括用于在EUV光刻设备中的照明位置处照射掩模的照明设备和用于将设置在掩模上的结构成像到感光基板上的投影设备。 EUV光刻设备具有处理装置（15），用于在EUV光刻设备中的处理位置优选地以局部分辨的方式处理光学元件（6a），特别是掩模。 为了激活气流（27）的至少一种气体成分，处理装置（15）包括用于产生粒子束，特别是电子束（30a）和/或高频的粒子发生器（30） 发电机。

公开(公告)号：US20110043774A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12883247

申请日：2010-09-16

申请人： Stefan HEMBACHER ,  Dieter Kraus ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Stefan Wiesner ,  Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Stefan HEMBACHER ,  Dieter Kraus ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang Schmidt ,  Stefan Koehler ,  Almut Czap ,  Stefan Wiesner ,  Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： G03B27/52 ,  G21G5/00

CPC分类号： G03F7/70925

摘要： In order to clean optical components (35) inside an EUV lithography device in a gentle manner, a cleaning module for an EUV lithography device includes a supply line for molecular hydrogen and a heating filament for producing atomic hydrogen and hydrogen ions for cleaning purposes. The cleaning module also has an element, (33) arranged to apply an electric and/or magnetic field, downstream of the heating filament (29) in the direction of flow of the hydrogen (31, 32). The element can be designed as a deflection unit, as a filter unit and/or as an acceleration unit for the ion beam (32).

摘要翻译： 为了以平缓的方式清洗EUV光刻设备内的光学元件（35），用于EUV光刻设备的清洁模块包括用于分子氢的供应管线和用于产生原子氢和氢离子用于清洁目的的加热丝。 清洁模块还具有一个元件（33），其布置成沿着氢气（31,32）的流动方向在加热丝（29）的下游施加电场和/或磁场。 元件可以设计为偏转单元，作为过滤器单元和/或用作离子束（32）的加速单元。

公开(公告)号：US20100007866A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12504844

申请日：2009-07-17

申请人： Berndt Warm ,  Siegfried Rennon ,  Guenther Dengel ,  Juergen Baier ,  Udo Dinger ,  Stefan Burkart ,  Christos Kourouklis ,  Hin Yiu Anthony Chung ,  Stefan Wiesner ,  Hartmut Enkisch

发明人： Berndt Warm ,  Siegfried Rennon ,  Guenther Dengel ,  Juergen Baier ,  Udo Dinger ,  Stefan Burkart ,  Christos Kourouklis ,  Hin Yiu Anthony Chung ,  Stefan Wiesner ,  Hartmut Enkisch

IPC分类号： G03B27/70

CPC分类号： G02B5/08 ,  B29D11/00596 ,  G02B5/09 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70825

摘要： The disclosure relates to methods for producing mirrors, in particular facet mirrors, and projection exposure apparatuses equipped with the mirrors.

摘要翻译： 本公开涉及用于制造镜子，特别是小平面反射镜的方法和配备有反射镜的投影曝光设备。

公开(公告)号：US09176399B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13360374

申请日：2012-01-27

申请人： Hin Yiu Anthony Chung

发明人： Hin Yiu Anthony Chung

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/68 ,  G03F7/20 ,  B29D11/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B7/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/38

CPC分类号： G03F7/70916 ,  B29D11/0073 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B7/00 ,  G03F1/14 ,  G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70825 ,  G03F7/70841 ,  G21K2201/067 ,  Y10T156/10

摘要： To improve the bonding of two parts (401, 403) of a component (400) of an EUV or UV lithography apparatus such that the probability of occurrence of additional stress over time in the bonded parts (401, 403) is lessened, a component (400) of an EUV or UV lithography apparatus comprising two parts (401, 403) bonded to each other by adhesive material (405) is proposed, wherein the adhesive material (405) is coated with a protective layer (407) insulating the adhesive material (405) from the surrounding gas environment.

摘要翻译： 为了改善EUV或UV光刻设备的部件（400）的两个部分（401,403）的粘合，使得在接合部分（401,403）中发生附加应力随时间的可能性减小，部件 提出了包括通过粘合材料（405）彼此结合的两个部分（401,403）的EUV或UV光刻设备（400），其中粘合材料（405）涂覆有绝缘粘合剂的保护层（407） 材料（405）来自周围的气体环境。

公开(公告)号：US08927090B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13248987

申请日：2011-09-29

申请人： Hin Yiu Anthony Chung ,  Dirk Schaffer

发明人： Hin Yiu Anthony Chung ,  Dirk Schaffer

IPC分类号： B32B3/00 ,  B32B3/02 ,  B32B3/22 ,  C09J5/00 ,  B29C63/02 ,  G03F7/20 ,  B29C63/48 ,  F16B11/00

CPC分类号： C09J5/00 ,  B29C63/02 ,  B29C2063/485 ,  C09J2463/00 ,  F16B11/006 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/7095 ,  Y10T156/10 ,  Y10T403/47 ,  Y10T403/473 ,  Y10T428/24752 ,  Y10T428/24777

摘要： A method for bonding a first body (2) to a second, panel-shaped body (3) at bonding surfaces (2a, 3a) lying opposite each other, the second body (3) projecting in at least one direction (X) beyond an edge (2′) of the first body (2). The method includes: producing a plurality of spacers (4a to 4e, 4a′ to 4e′) on at least one of the bonding surfaces (2a), applying adhesive (5) into intermediate spaces (6a to 6d) between the spacers beyond an outer spacer (4e, 4e′) as far as an adhesive periphery (5a), which is formed at an edge (2′) of the first body (2), and bonding the bodies (2, 3) by bringing the bonding surfaces (2a, 3a) into contact at the spacers (4a′ to 4e′). A prescribed distance (d) between the adhesive periphery (5a) and the outermost spacer (4e) is set to provide a desired state of deformation of the panel-shaped body (3) after a shrinkage of the applied adhesive (5) (e.g. minimized bending of the body.) In an associated composite body (1), the prescribed distance (d) lies between 20 μm and 250 μm, preferably between 30 μm and 200 μm, in particular between 40 μm and 150 μm.

摘要翻译： 一种在彼此相对的接合表面（2a，3a）处将第一主体（2）接合到第二板状主体（3）的方法，所述第二主体（3）在至少一个方向（X）上突出超过 第一主体（2）的边缘（2'）。 该方法包括：在至少一个接合表面（2a）上产生多个间隔物（4a至4e，4a'至4e'），将粘合剂（5）施加到隔离件之间的中间空间（6a至6d）中， 外部间隔件（4e，4e'）直到形成在第一主体（2）的边缘（2'）处的粘合周边（5a），并且通过使粘合表面 （2a，3a）在间隔件（4a'至4e'）处接触。 在粘合剂周边（5a）和最外侧间隔物（4e）之间的规定距离（d）被设定为在所施加的粘合剂（5）收缩之后提供所述面板状体（3）的期望变形状态（例如， 最小化身体的弯曲。）在相关联的复合体（1）中，规定距离（d）在20μm和250μm之间，优选在30μm和200μm之间，特别是在40μm和150μm之间。