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    Method for reducing metal silicide excessive encroachment defects in the manufacture of a semiconductor device having silicided source/drain regions
    1.
    发明申请
    Method for reducing metal silicide excessive encroachment defects in the manufacture of a semiconductor device having silicided source/drain regions 审中-公开
    在制造具有硅化物源极/漏极区域的半导体器件的过程中减少金属硅化物过度侵入缺陷的方法

    公开(公告)号：US20060024938A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10901697

    申请日：2004-07-29

    申请人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Jiong-Ping Lu ,  Thomas Bonifield ,  Noel Russell

    发明人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Jiong-Ping Lu ,  Thomas Bonifield ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653

    摘要： The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, and a method for manufacturing an integrated circuit including the semiconductor device, and a semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device, among other steps, includes forming source/drain regions (290) in a substrate (210), the source/drain regions (290) located proximate a gate structure having sidewall spacers (270) and positioned over the substrate (210), and modifying a footprint of the sidewall spacers (270) by forming protective regions (410) proximate a base of the sidewall spacers (270). The method further includes forming metal silicide regions (610) in the source/drain regions (290).

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及包括该半导体器件的集成电路的制造方法以及半导体器件。 除了其他步骤之外，制造半导体器件的方法包括在衬底（210）中形成源极/漏极区域（290），源/漏极区域（290）位于具有侧壁间隔物（270）的栅极结构附近并定位在 衬底（210），并且通过在侧壁间隔物（270）的基部附近形成保护区（410）来修改侧壁间隔物（270）的覆盖区。 该方法还包括在源/漏区（290）中形成金属硅化物区（610）。

    Metal-halogen physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction
    4.
    发明授权
    Metal-halogen physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction 有权
    用于半导体器件缺陷的金属卤素物理气相沉积

    公开(公告)号：US07208398B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10903805

    申请日：2004-07-30

    申请人： Peijun J. Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas E. Mercer ,  Noel Russell

    发明人： Peijun J. Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas E. Mercer ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, halogen atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a halogen-containing metal layer (140) on a semiconductor substrate (150). The halogen-containing metal layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400) comprising the metal silicide electrode.

    摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积沉积卤素原子（120）和过渡金属原子（130）以在半导体衬底（150）上形成含卤素的金属层（140）。 使含卤素金属层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造包括金属硅化物电极的集成电路（400）的方法。

    Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction
    5.
    发明申请
    Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction 有权
    金属锗物理气相沉积用于半导体器件缺陷减少

    公开(公告)号：US20060024963A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10903716

    申请日：2004-07-30

    申请人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

    发明人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, germanium atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a metal-germanium alloy layer (140) on a semiconductor substrate (150). The metal-germanium alloy layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400).

    摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积，锗原子（120）和过渡金属原子（130）沉积以在半导体衬底（150）上形成金属 - 锗合金层（140）。 使金属锗合金层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（400）的方法。

    METHOD FOR TREATING NON-PLANAR STRUCTURES USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING
    7.
    发明申请
    METHOD FOR TREATING NON-PLANAR STRUCTURES USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING 有权
    使用气体离子束处理处理非平面结构的方法

    公开(公告)号：US20110084216A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12575887

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H01J3/14

    CPC分类号： H01J37/3178 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3171 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method for treating a structure is described. One embodiment includes forming a structure on a substrate, wherein the structure has a plurality of surfaces including one or more first surfaces lying substantially parallel to a first plane parallel with said substrate and one or more second surfaces lying substantially perpendicular to the first plane. Additionally, the method comprises directing a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source toward the substrate with a direction of incidence, and orienting the substrate relative to the direction of incidence. The method further comprises treating the one or more second surfaces.

    摘要翻译： 描述了一种处理结构的方法。 一个实施例包括在基底上形成结构，其中该结构具有包括一个或多个第一表面的多个表面，该第一表面基本上平行于与所述基底平行的第一平面，以及基本上垂直于第一平面的一个或多个第二表面。 此外，该方法包括将由材料源形成的气体簇离子束（GCIB）引导到具有入射方向的衬底，并且使衬底相对于入射方向取向。 该方法还包括处理一个或多个第二表面。

    Methods and semiconductor devices with wiring layer fill structures to improve planarization uniformity
    9.
    发明授权
    Methods and semiconductor devices with wiring layer fill structures to improve planarization uniformity 有权
    具有布线层填充结构的方法和半导体器件以改善平坦化均匀性

    公开(公告)号：US06693357B1

    公开(公告)日：2004-02-17

    申请号：US10388042

    申请日：2003-03-13

    申请人： Christopher Lyle Borst ,  Alwin J. Tsao ,  Bobby David Strong ,  Noel Russell

    发明人： Christopher Lyle Borst ,  Alwin J. Tsao ,  Bobby David Strong ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01L2348

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Semiconductor devices and manufacturing methods therefor are disclosed, in which conductive fill structures are provided in fill regions in an interconnect wiring layer between conductive wiring structures to facilitate planarization uniformity during metalization processing. One approach employs fill structures of varying sizes where smaller fill structures are formed near wiring regions having high aspect ratio wiring structures and larger fill structures are located near wiring regions with lower aspect ratio wiring structures. Another approach provides fill structures with varying amounts of openings, with fill structures having few or no openings being provided near low aspect ratio wiring structures and fill structures having more openings being located near higher aspect ratio wiring structures.

    摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法，其中在导电布线结构之间的互连布线层中的填充区域中提供导电填充结构，以促进金属化处理期间的平坦化均匀性。 一种方法采用不同尺寸的填充结构，其中在具有高纵横比布线结构的布线区域附近形成较小的填充结构，并且较大的填充结构位于具有较低纵横比布线结构的布线区附近。 另一种方法提供具有不同数量的开口的填充结构，其中填充结构在低纵横比布线结构附近提供很少的或没有开口，并且具有更多开口的填充结构位于较高纵横比布线结构附近。

    Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing
    10.
    发明授权
    Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing 有权
    在气体簇离子束处理过程中倾斜衬底的方法和系统

    公开(公告)号：US08237136B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12575931

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： G01J5/00

    CPC分类号： H01J37/3053 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method and system for treating a non-planar structure is described. The method includes forming a non-planar structure on a substrate. Additionally, the method includes generating a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source for treatment of the non-planar structure, tilting the substrate relative to the GCIB, and irradiating the non-planar structure with the GCIB. The system includes a substrate tilt actuator coupled to a substrate holder and configured to tilt the substrate holder relative to a GCIB.

    摘要翻译： 描述了一种用于处理非平面结构的方法和系统。 该方法包括在衬底上形成非平面结构。 此外，该方法包括生成由材料源形成的用于处理非平面结构的气体簇离子束（GCIB），相对于GCIB倾斜衬底，以及用GCIB照射非平面结构。 该系统包括耦合到衬底保持器并且被配置为相对于GCIB倾斜衬底保持器的衬底倾斜致动器。