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    Selective deposition of noble metal thin films
    2.
    发明授权
    Selective deposition of noble metal thin films 有权
    选择性沉积贵金属薄膜

    公开(公告)号：US08927403B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13188087

    申请日：2011-07-21

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    Systems and methods for avoiding base address collisions
    3.
    发明申请
    Systems and methods for avoiding base address collisions 有权
    避免基地址冲突的系统和方法

    公开(公告)号：US20070026654A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：US11376704

    申请日：2006-03-14

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    Selective deposition of noble metal thin films
    4.
    发明授权
    Selective deposition of noble metal thin films 有权
    选择性沉积贵金属薄膜

    公开(公告)号：US07985669B2

    公开(公告)日：2011-07-26

    申请号：US12649817

    申请日：2009-12-30

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    SELECTIVE DEPOSITION OF NOBLE METAL THIN FILMS
    5.
    发明申请
    SELECTIVE DEPOSITION OF NOBLE METAL THIN FILMS 有权
    选择性沉积金属薄膜

    公开(公告)号：US20100136776A1

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：US12649817

    申请日：2009-12-30

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    Selective Deposition of Noble Metal Thin Films
    6.
    发明申请
    Selective Deposition of Noble Metal Thin Films 有权
    贵金属薄膜的选择性沉积

    公开(公告)号：US20080200019A9

    公开(公告)日：2008-08-21

    申请号：US11376704

    申请日：2006-03-14

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    SELECTIVE DEPOSITION OF NOBLE METAL THIN FILMS
    7.
    发明申请
    SELECTIVE DEPOSITION OF NOBLE METAL THIN FILMS 有权
    选择性沉积金属薄膜

    公开(公告)号：US20120009773A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13188087

    申请日：2011-07-21

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。

    Selective deposition of noble metal thin films
    8.
    发明授权
    Selective deposition of noble metal thin films 有权
    选择性沉积贵金属薄膜

    公开(公告)号：US07666773B2

    公开(公告)日：2010-02-23

    申请号：US11376704

    申请日：2006-03-14

    申请人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    发明人： Hannu Huotari ,  Marko Tuominen ,  Miika Leinikka

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

    摘要： Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitride or other conductive metal compound while avoiding deposition on a lower k insulator such as silicon oxide. The ability to deposit on a first surface, such as a high-k material, while avoiding deposition on a second surface, such as a silicon oxide or silicon nitride surface, may be utilized, for example, in the formation of a gate electrode.

    摘要翻译： 提供了用于通过气相沉积工艺在衬底上选择性地沉积包括一种或多种贵金属的薄膜的工艺。 在一些实施例中，原子层沉积（ALD）工艺用于在高k材料，金属，金属氮化物或其它导电金属化合物上沉积含有贵金属的薄膜，同时避免沉积在诸如氧化硅的下部k绝缘体上。 例如在栅电极的形成中，可以使用在第一表面上沉积的能力，例如高k材料，同时避免沉积在第二表面上，例如氧化硅或氮化硅表面。