公开(公告)号：US07301172B2

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US11100807

申请日：2005-04-06

申请人： Harry A. Atwater ,  Robert J. Walters

发明人： Harry A. Atwater ,  Robert J. Walters

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/08 ,  Y10S977/95

摘要： A light emitting device including a transistor structure formed on a semiconductor substrate. The transistor structure having a source region, a drain region, a channel region between the source and drain regions, and a gate oxide on the channel region. The light emitting device including a plurality of nanocrystals embedded in the gate oxide, and a gate contact made of semitransparent or transparent material formed on the gate oxide. The nanocrystals are adapted to be first charged with first type charge carriers, and then provided second type charge carriers, such that the first and second type charge carriers form excitons used to emit light.

摘要翻译： 一种发光器件，包括形成在半导体衬底上的晶体管结构。 晶体管结构具有源极区，漏极区，源区和漏区之间的沟道区以及沟道区上的栅极氧化物。 该发光器件包括嵌入栅极氧化物中的多个纳米晶体，以及由栅极氧化物上形成的半透明或透明材料制成的栅极接触。 纳米晶体适于首先带有第一类型的电荷载体，然后提供第二类型的载流子，使得第一和第二类型的载流子形成用于发光的激子。

公开(公告)号：US06771410B1

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10465355

申请日：2003-06-18

申请人： George I. Bourlanoff ,  Robert Lindstedt ,  Harry A. Atwater ,  Maria Giorgi ,  Robert J. Walters ,  Julie D. Casperson ,  Pieter G. Kik

发明人： George I. Bourlanoff ,  Robert Lindstedt ,  Harry A. Atwater ,  Maria Giorgi ,  Robert J. Walters ,  Julie D. Casperson ,  Pieter G. Kik

IPC分类号： G02F103

CPC分类号： G02B6/0229 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/0239 ,  G02F1/011 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2202/36

摘要： A method and apparatus for modulating light with an array of nanocrystals. First photons are directed onto an array of nanocrystals and at least a portion of the first photons ate directed by the array of nanocrystals. In one embodiment, the array of nanocrystals emit second photons. A wavelength of the second photons is modulated responsive to a signal. In one embodiment, dopants are formed proximate to the array of nanocrystals and energy from the absorbed portion of the first photons is coupled to the dopants to cause the to emit third photons. An intensity of the third photons is modulated responsive to a signal.

摘要翻译： 一种用纳米晶体阵列调制光的方法和装置。 第一光子被引导到纳米晶体的阵列上，并且第一光子的至少一部分由纳米晶体阵列引导。 在一个实施例中，纳米晶体阵列发射第二光子。 响应于信号调制第二光子的波长。 在一个实施例中，掺杂剂形成在纳米晶体阵列附近，并且来自第一光子的被吸收部分的能量被耦合到掺杂剂以引起第三光子的发射。 响应于信号调制第三光子的强度。

公开(公告)号：US07121474B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10465354

申请日：2003-06-18

申请人： George I. Bourianoff ,  Robert Lindstedt ,  Harry A. Atwater ,  Maria Giorgi ,  Robert J. Walters ,  Julie D. Casperson ,  Pieter G. Kik

发明人： George I. Bourianoff ,  Robert Lindstedt ,  Harry A. Atwater ,  Maria Giorgi ,  Robert J. Walters ,  Julie D. Casperson ,  Pieter G. Kik

IPC分类号： G06K19/06

CPC分类号： G11C13/047 ,  G11C11/21 ,  G11C11/22

摘要： A memory device. The memory device includes a substrate and an array of nanocrystals formed proximate to the substrate. The array of nanocrystals is electrically insulated to hold charge carriers therein. A presence of charge carriers within the array of nanocrystals represents a first logic state of the memory device. An absence of the charge carriers within the array of nanocrystals represents a second logic state of the memory device. The presence and the absence of the charge carriers is determinable via directing a beam of photons onto the array of nanocrystals and sensing an optical response.

公开(公告)号：US09455146B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US12928762

申请日：2010-12-17

申请人： Harry A. Atwater ,  Marina S. Leite ,  Emily C. Warmann ,  Dennis M. Callahan

发明人： Harry A. Atwater ,  Marina S. Leite ,  Emily C. Warmann ,  Dennis M. Callahan

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L21/187

摘要： A virtual substrate includes a handle support and a strain-relieved single crystalline layer on the handle support. A method of making the virtual substrate includes growing a coherently-strained single crystalline layer on an initial growth substrate, removing the initial growth substrate to relieve the strain on the single crystalline layer, and applying the strain-relieved single crystalline layer on a handle support.

摘要翻译： 虚拟衬底包括手柄支撑件和手柄支撑件上的应变消除的单晶层。 制造虚拟衬底的方法包括在初始生长衬底上生长相干应变的单晶层，去除初始生长衬底以减轻单晶层上的应变，并将应变消除的单晶层施加在手柄支撑件上 。

公开(公告)号：US08808933B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US12957065

申请日：2010-11-30

申请人： Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Briggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

发明人： Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Briggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

IPC分类号： H01M6/30 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A structure comprising an array of semiconductor structures, an infill material between the semiconductor materials, and one or more light-trapping elements is described. Photoconverters and photoelectrochemical devices based on such structure also described.

摘要翻译： 描述了包括半导体结构阵列，半导体材料之间的填充材料和一个或多个光俘获元件的结构。 基于这种结构的光转换器和光电化学装置也被描述。

公开(公告)号：US20130298985A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13876652

申请日：2011-09-29

申请人： Davis S. Darvish ,  Harry A. Atwater

发明人： Davis S. Darvish ,  Harry A. Atwater

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0336 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C30B23/04 ,  C30B29/16 ,  H01L29/242 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03365 ,  H01L31/072 ,  H01L33/005 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides strategies for making higher quality p-n heterojunctions that incorporate cuprous oxide and another material suitable for forming the heterojunction. When incorporated into microelectronic devices, these improved heterojunctions would be expected to provide improved microelectronic properties such as improved defect density, in particular lower interfacial defect density at the p-n heterojunction, leading to improved microelectronic devices such as solar cell devices with improved open circuit voltage, fill factor, efficiency, current density, and the like.

摘要翻译： 本发明提供了制造更高质量p-n异质结的策略，其中掺入了氧化亚铜和适用于形成异质结的另一种材料。 当纳入微电子器件时，预期这些改进的异质结将提供改进的微电子特性，例如改善的缺陷密度，特别是在pn异质结处的较低的界面缺陷密度，导致改进的微电子器件，例如具有改进的开路电压的太阳能电池器件， 填充因子，效率，电流密度等。

公开(公告)号：US20130240026A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13602115

申请日：2012-09-01

申请人： Harry A. Atwater ,  Naomi Coronel ,  Lise Lahourcade

发明人： Harry A. Atwater ,  Naomi Coronel ,  Lise Lahourcade

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： The disclosure provides semiconductive material derived from group IV elements that are useful for photovoltaic applications.

摘要翻译： 本公开提供衍生自可用于光伏应用的IV族元素的半导体材料。

公开(公告)号：US08507307B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13160681

申请日：2011-06-15

申请人： Gregory M. Kimball ,  Marty W. DeGroot ,  Nathan S. Lewis ,  Harry A. Atwater

发明人： Gregory M. Kimball ,  Marty W. DeGroot ,  Nathan S. Lewis ,  Harry A. Atwater

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： The present invention relates to devices, particularly photovoltaic devices, incorporating Group IIB/VA semiconductors such phosphides, arsenides, and/or antimonides of one or more of Zn and/or Cd. In particular, the present invention relates to methodologies, resultant products, and precursors thereof in which electronic performance of the semiconductor material is improved by causing the Group IIB/VA semiconductor material to react with at least one metal-containing species (hereinafter co-reactive species) that is sufficiently co-reactive with at least one Group VA species incorporated into the Group IIB/VA semiconductor as a lattice substituent (recognizing that the same and/or another Group VA species also optionally may be incorporated into the Group IIB/VA semiconductor in other ways, e.g., as a dopant or the like).

摘要翻译： 本发明涉及装置，特别是掺入了IIB / VA族半导体的光伏器件，例如Zn和/或Cd中的一种或多种的磷化物，砷化物和/或锑化物。 特别地，本发明涉及其中通过使IIB / VA族半导体材料与至少一种含金属物质（以下称为共反应性物质）反应来改善半导体材料的电子性能的方法，产物及其前体 物种），其与并入作为晶格取代基的IIB / VA族半导体中的至少一种VA族物质具有充分的共反应性（认识到相同的和/或另一种VA族也可以并入IIB / VA族 半导体以其他方式，例如，作为掺杂剂等）。

公开(公告)号：US20110186119A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12928964

申请日：2010-12-23

申请人： Harry A. Atwater ,  Vivian Ferry ,  Albert Polman ,  Ruud Schropp ,  Marc Verschuuren

发明人： Harry A. Atwater ,  Vivian Ferry ,  Albert Polman ,  Ruud Schropp ,  Marc Verschuuren

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： A solar cell includes a nano-scale patterned back contact layer; a spacer layer on the nano-scale patterned back contact layer; a semiconductor layer on the spacer layer; and a light transmissive first electrode on the semiconductor layer.

摘要翻译： 太阳能电池包括纳米级图案化的背接触层; 在纳米尺度图案化的背接触层上的间隔层; 间隔层上的半导体层; 以及半导体层上的透光第一电极。

公开(公告)号：US20090057839A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12176065

申请日：2008-07-18

申请人： Nathan S. LEWIS ,  Katherine E. Plass ,  Joshua M. Spurgeon ,  Harry A. Atwater

发明人： Nathan S. LEWIS ,  Katherine E. Plass ,  Joshua M. Spurgeon ,  Harry A. Atwater

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： A structure consisting of well-ordered semiconductor structures embedded in a binder material which maintains the ordering and orientation of the semiconductor structures. Methods for forming such a structure include forming the semiconductor structures on a substrate, casting a binder material onto the substrate to embed the semiconductor structures in the binder material, and separating the binder material from the substrate at the substrate. These methods provide for the retention of the orientation and order of highly ordered semiconductor structures in the separated binder material.

摘要翻译： 由嵌入在粘合剂材料中的有序半导体结构组成的结构，其维持半导体结构的排序和取向。 用于形成这种结构的方法包括在基底上形成半导体结构，将粘合剂材料浇铸到基底上以将半导体结构嵌入粘合剂材料中，并在基片上将粘合剂材料与基底分离。 这些方法提供了在分离的粘合剂材料中保持高度有序的半导体结构的取向和顺序。