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    Synthetic quartz glass
    1.
    发明申请
    Synthetic quartz glass 审中-公开
    合成石英玻璃

    公开(公告)号：US20050176572A1

    公开(公告)日：2005-08-11

    申请号：US10509029

    申请日：2003-03-26

    申请人： Hideo Hosono ,  Kouichi Kajihara ,  Masahiro Hirano ,  Yoshiaki Ikuta ,  Shinya Kikukawa

    发明人： Hideo Hosono ,  Kouichi Kajihara ,  Masahiro Hirano ,  Yoshiaki Ikuta ,  Shinya Kikukawa

    IPC分类号： C03B20/00 ,  C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C23/00 ,  G02B1/02 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70958 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03C3/06 ,  C03C23/0025 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/40 ,  C03C2203/50 ,  G02B1/02 ,  Y02P40/57

    摘要： Disclosed is a synthetic silica glass for use with light having a wavelength of 150 to 200 nm, which has an OH group at a concentration of less than 1 ppm, an oxygen-excess type defect at a concentration of 1×1016 defects/cm3 or less, a hydrogen molecule at a concentration of less than 1×1017 molecules/cm3, and a non-bridging oxygen radical at a concentration of 1×1016 radicals/cm3 or less in the state after the synthetic silica glass is irradiated with light of a xenon excimer lamp having an energy density of 10 mW/cm2 and 3 kJ/cm2 or with light of an F2 laser by 107 pulses at an energy density of 10 mJ/cm2/pulse. The synthetic silica glass can exhibit excellent resistance to ultraviolet light with a wavelength of 150 to 190 nm when incorporated in a device using ultraviolet light with a wavelength of 150 to 190 nm as a light source.

    摘要翻译： 公开了一种合成石英玻璃，其用于波长为150至200nm的光，其具有浓度小于1ppm的OH基，浓度为1×10 16的氧过量型缺陷， SUP>缺陷/ cm 3以下，浓度小于1×10 17分子/ cm 3的氢分子， 在合成石英玻璃用具有能量密度的氙准分子灯的光照射之后的状态下，以1×10 16个/ cm 3以下的浓度桥接氧自由基 10mW / cm 2和3kJ / cm 2的光，或者具有10 2激光的光的10 / >脉冲，能量密度为10mJ / cm 2 /脉冲。 合成石英玻璃当掺入使用波长为150〜190nm的紫外光的装置中作为光源时，可以表现出优异的抗紫外线，波长为150〜190nm。

    SWITCHING ELEMENT
    5.
    发明申请
    SWITCHING ELEMENT 审中-公开
    开关元件

    公开(公告)号：US20120012838A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：US13243244

    申请日：2011-09-23

    申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

    发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

    IPC分类号： H01L29/26

    CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

    摘要： A switching element of LCDs or organic EL displays which uses a thin film transistor device, includes: a drain electrode, a source electrode, a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer comprises indium-gallium-zinc oxide having a transparent, amorphous state of a composition equivalent to InGaO3(ZnO)m (wherein m is a natural number less than 6) in a crystallized state, and the channel layer has a semi-insulating property represented by an electron mobility of more than 1 cm2/(V·sec) and an electron carrier concentration is less than 1018/cm3, a gate electrode, and a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel layer.

    摘要翻译： 使用薄膜晶体管器件的LCD或有机EL显示器的开关元件包括：漏电极，源电极，与漏电极和源电极接触的沟道层，其中沟道层包括铟镓锌氧化物 具有在结晶化状态下等价于InGaO 3（ZnO）m（其中m为小于6的自然数）的组成的透明非晶状态，并且沟道层具有以电子迁移率表示的半绝缘性 1cm 2 /（V·sec），电子载流子浓度小于1018 / cm3，栅电极和栅极绝缘膜位于栅电极和沟道层之间。