公开(公告)号：US09397167B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US13729713

申请日：2012-12-28

申请人： Hisashi Yoshida ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Hisashi Yoshida ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride semiconductor wafer includes a silicon substrate, a stacked multilayer unit, a silicon-containing unit, and an upper layer unit. The silicon substrate has a major surface. The stacked multilayer unit is provided on the major surface. The stacked multilayer unit includes N number of buffer layers. The buffer layers include an i-th buffer layer, and an (i+1)-th buffer layer provided on the i-th buffer layer. The i-th buffer layer has an i-th lattice length Wi in a first direction parallel to the major surface. The (i+1)-th buffer layer has an (i+1)-th lattice length W(i+1) in the first direction. A relation that (W(i+1)−Wi)/Wi≦0.008 is satisfied for all the buffer layers. The silicon-containing unit is provided on the stacked multilayer unit. The upper layer unit is provided on the silicon-containing unit.

摘要翻译： 氮化物半导体晶片包括硅衬底，堆叠多层单元，含硅单元和上层单元。 硅衬底具有主表面。 堆叠的多层单元设置在主表面上。 堆叠的多层单元包括N个缓冲层。 缓冲层包括第i个缓冲层和设置在第i个缓冲层上的第（i + 1）个缓冲层。 第i个缓冲层在平行于主表面的第一方向上具有第i个晶格长度Wi。 第（i + 1）个缓冲层在第一方向具有第（i + 1）个格子长度W（i + 1）。 对于所有缓冲层，满足（W（i + 1）-Wi）/ Wi＆nlE; 0.008的关系。 含硅单元设置在堆叠的多层单元上。 上层单元设置在含硅单元上。

公开(公告)号：US09349590B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13604183

申请日：2012-09-05

申请人： Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a nitride semiconductor layer is disclosed. The method can include forming a first lower layer on a major surface of a substrate and forming a first upper layer on the first lower layer. The first lower layer has a first lattice spacing along a first axis parallel to the major surface. The first upper layer has a second lattice spacing along the first axis larger than the first lattice spacing. At least a part of the first upper layer has compressive strain. A ratio of a difference between the first and second lattice spacing to the first lattice spacing is not less than 0.005 and not more than 0.019. A growth rate of the first upper layer in a direction parallel to the major surface is larger than that in a direction perpendicular to the major surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。 该方法可以包括在基底的主表面上形成第一下层，并在第一下层上形成第一上层。 第一下层沿着平行于主表面的第一轴线具有第一格子间距。 第一上层具有沿着第一轴线的第二格子间距大于第一格子间距。 第一上层的至少一部分具有压缩应变。 第一和第二格子间隔之间的差与第一格子间隔的比率不小于0.005且不大于0.019。 第一上层在与主表面平行的方向上的生长速率大于垂直于主表面的方向的生长速率。

公开(公告)号：US08680537B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13602868

申请日：2012-09-04

申请人： Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： According to one embodiment, a nitride semiconductor element includes a foundation layer, a functional layer and a stacked body. The stacked body is provided between the foundation layer and the functional layer. The stacked body includes a first stacked intermediate layer including a first GaN intermediate layer, a first high Al composition layer of Alx1Ga1-x1N (0

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基底层，功能层和层叠体。 层叠体设置在基础层和功能层之间。 层叠体包括第一层叠中间层，其包括第一GaN中间层，Al x Ga 1-x N 1的第一高Al组成层（0

公开(公告)号：US09053931B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13626265

申请日：2012-09-25

申请人： Hisashi Yoshida ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Hisashi Yoshida ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： According to one embodiment, a nitride semiconductor wafer includes: a silicon substrate; a buffer section provided on the silicon substrate; and a functional layer provided on the buffer section and contains nitride semiconductor. The buffer section includes first to n-th buffer layers (n being an integer of 4 or more) containing nitride semiconductor. An i-th buffer layer (i being an integer of 1 or more and less than n) of the first to n-th buffer layers has a lattice length Wi in a first direction parallel to a major surface of the first buffer layer. An (i+1)-th buffer layer provided on the i-th buffer layer has a lattice length W(i+1) in the first direction. In the first to n-th buffer layers the i-th buffer layer and the (i+1)-th buffer layer satisfy relation of (W(i+1)−Wi)/Wi≦0.008.

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体晶片包括：硅衬底; 设置在所述硅基板上的缓冲部; 以及设置在缓冲部上并包含氮化物半导体的功能层。 缓冲部包括含有氮化物半导体的第一〜第n缓冲层（n为4以上的整数）。 第一至第n缓冲层的第i个缓冲层（i为1以上且小于n的整数）在平行于第一缓冲层的主面的第一方向上具有晶格长度Wi。 设置在第i个缓冲层上的第（i + 1）个缓冲层在第一方向上具有晶格长度W（i + 1）。 在第一至第n缓冲层中，第i个缓冲层和第（i + 1）个缓冲层满足关系式（W（i + 1）-Wi）/ W i＆nlE; 0。008。

公开(公告)号：US20140061693A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13626265

申请日：2012-09-25

申请人： Hisashi YOSHIDA ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Hisashi YOSHIDA ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L21/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： According to one embodiment, a nitride semiconductor wafer includes: a silicon substrate; a buffer section provided on the silicon substrate; and a functional layer provided on the buffer section and contains nitride semiconductor. The buffer section includes first to n-th buffer layers (n being an integer of 4 or more) containing nitride semiconductor. An i-th buffer layer (i being an integer of 1 or more and less than n) of the first to n-th buffer layers has a lattice length Wi in a first direction parallel to a major surface of the first buffer layer. An (i+1)-th buffer layer provided on the i-th buffer layer has a lattice length W(i+1) in the first direction. In the first to n-th buffer layers the i-th buffer layer and the (i+1)-th buffer layer satisfy relation of (W(i+1)−Wi)/Wi≦0.008.

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体晶片包括：硅衬底; 设置在所述硅基板上的缓冲部; 以及设置在缓冲部上并包含氮化物半导体的功能层。 缓冲部包括含有氮化物半导体的第一〜第n缓冲层（n为4以上的整数）。 第一至第n缓冲层的第i个缓冲层（i为1以上且小于n的整数）在平行于第一缓冲层的主面的第一方向上具有晶格长度Wi。 设置在第i个缓冲层上的第（i + 1）个缓冲层在第一方向上具有晶格长度W（i + 1）。 在第一至第n缓冲层中，第i个缓冲层和第（i + 1）个缓冲层满足关系式（W（i + 1）-Wi）/ Wi0.008。

公开(公告)号：US20130234151A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13602868

申请日：2012-09-04

申请人： Toshiki HIKOSAKA ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Toshiki HIKOSAKA ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： According to one embodiment, a nitride semiconductor element includes a foundation layer, a functional layer and a stacked body. The stacked body is provided between the foundation layer and the functional layer. The stacked body includes a first stacked intermediate layer including a first GaN intermediate layer, a first high Al composition layer of Alx1Ga1-x1N (0

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基底层，功能层和层叠体。 层叠体设置在基础层和功能层之间。 层叠体包括第一层叠中间层，其包括第一GaN中间层，Al x Ga 1-x N 1的第一高Al组成层（0

公开(公告)号：US20140084296A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13729713

申请日：2012-12-28

申请人： Hisashi YOSHIDA ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Hisashi YOSHIDA ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride semiconductor wafer includes a silicon substrate, a stacked multilayer unit, a silicon-containing unit, and an upper layer unit. The silicon substrate has a major surface. The stacked multilayer unit is provided on the major surface. The stacked multilayer unit includes N number of buffer layers. The buffer layers include an i-th buffer layer, and an (i+1)-th buffer layer provided on the i-th buffer layer. The i-th buffer layer has an i-th lattice length Wi in a first direction parallel to the major surface. The (i+1)-th buffer layer has an (i+1)-th lattice length W(i+1) in the first direction. A relation that (W(i+1)−Wi)/Wi≦0.008 is satisfied for all the buffer layers. The silicon-containing unit is provided on the stacked multilayer unit. The upper layer unit is provided on the silicon-containing unit.

摘要翻译： 氮化物半导体晶片包括硅衬底，堆叠多层单元，含硅单元和上层单元。 硅衬底具有主表面。 堆叠的多层单元设置在主表面上。 堆叠的多层单元包括N个缓冲层。 缓冲层包括第i个缓冲层和设置在第i个缓冲层上的第（i + 1）个缓冲层。 第i个缓冲层在平行于主表面的第一方向上具有第i个晶格长度Wi。 第（i + 1）个缓冲层在第一方向具有第（i + 1）个格子长度W（i + 1）。 对于所有缓冲层，满足（W（i + 1）-Wi）/ Wi＆nlE; 0.008的关系。 含硅单元设置在堆叠的多层单元上。 上层单元设置在含硅单元上。

公开(公告)号：US08598605B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13601454

申请日：2012-08-31

申请人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

发明人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes: a first conductivity type first semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in a (0001) surface; a second conductivity type second semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in the (0001) surface; a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, containing a nitride semiconductor crystal, and having an average lattice constant larger than the lattice constant of the first semiconductor layer; and a first stress application layer provided on a side opposite to the light emitting layer of the first semiconductor layer and applying a compressive stress to the first semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括：包含氮化物半导体晶体并且在（0001）表面中具有拉伸应力的第一导电类型的第一半导体层; 含有氮化物半导体晶体并在（0001）表面具有拉伸应力的第二导电类型的第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的包含氮化物半导体晶体并且具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数的发光层; 以及第一应力施加层，其设置在与所述第一半导体层的所述发光层相对的一侧上，并向所述第一半导体层施加压缩应力。

公开(公告)号：US20130234106A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13601454

申请日：2012-08-31

申请人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

发明人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes: a first conductivity type first semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in a (0001) surface; a second conductivity type second semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in the (0001) surface; a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, containing a nitride semiconductor crystal, and having an average lattice constant larger than the lattice constant of the first semiconductor layer; and a first stress application layer provided on a side opposite to the light emitting layer of the first semiconductor layer and applying a compressive stress to the first semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括：包含氮化物半导体晶体并且在（0001）表面中具有拉伸应力的第一导电类型的第一半导体层; 含有氮化物半导体晶体并在（0001）表面具有拉伸应力的第二导电类型的第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的包含氮化物半导体晶体并且具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数的发光层; 以及第一应力施加层，其设置在与所述第一半导体层的所述发光层相对的一侧上，并向所述第一半导体层施加压缩应力。

公开(公告)号：US08610106B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13213821

申请日：2011-08-19

申请人： Tomonari Shioda ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Tomonari Shioda ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer and a light emitting part. The light emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light emitting layer. The first light emitting layer includes a first barrier layer, a first well layer, a first n-side intermediate layer and a first p-side intermediate layer. The barrier layer, the well layer, the n-side layer and the p-side intermediate layer include a nitride semiconductor. An In composition ratio in the n-side layer decreases along a first direction from the n-type layer toward the p-type layer. An In composition ratio in the p-side layer decreases along the first direction. An average change rate of the In ratio in the p-side layer is lower than an average change rate of the In ratio in the n-side layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括n型半导体层，p型半导体层和发光部分。 发光部分设置在n型半导体层和p型半导体层之间，并且包括第一发光层。 第一发光层包括第一阻挡层，第一阱层，第一n侧中间层和第一p侧中间层。 阻挡层，阱层，n侧层和p侧中间层包括氮化物半导体。 n侧层的An组成比沿着从n型层向p型层的第一方向减小。 P侧层的In组成比沿着第一方向减小。 p侧的In比的平均变化率低于n侧层的In比的平均变化率。