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1.发明申请公开(公告)号：US20110012234A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：US12889787
申请日：2010-09-24
申请人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamua
发明人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamua
CPC分类号： H01L31/0236 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , H01L29/778 , H01L31/18 , H01L33/0075 , Y02E10/50
摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.
摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。
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2.发明授权公开(公告)号：US07858996B2
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：US11676999
申请日：2007-02-20
申请人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
发明人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L31/0236 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , H01L29/778 , H01L31/18 , H01L33/0075 , Y02E10/50
摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.
摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。
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3.发明授权公开(公告)号：US08203159B2
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：US12889787
申请日：2010-09-24
申请人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
发明人： Hong Zhong , John F. Kaeding , Rajat Sharma , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L31/0236 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , H01L29/778 , H01L31/18 , H01L33/0075 , Y02E10/50
摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.
摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。
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公开(公告)号：US08524012B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US13357432
申请日：2012-01-24
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{1011}氮化镓（GaN），（2）在{110}尖晶石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN） ，（3）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1122}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US08128756B2
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US12697961
申请日：2010-02-01
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13 } gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN） 尖晶石衬底，（3）在{100}蓝宝石衬底上生长的{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US20120119222A1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：US13357432
申请日：2012-01-24
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{1011}氮化镓（GaN），（2）在{110}尖晶石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN） ，（3）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1122}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US20100133663A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：US12697961
申请日：2010-02-01
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13 } gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN） 尖晶石衬底，在{100}蓝宝石衬底上生长的（3）{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）
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公开(公告)号：US08110482B2
公开(公告)日：2012-02-07
申请号：US12710181
申请日：2010-02-22
申请人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
发明人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.
摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。
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公开(公告)号：US20140183579A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：US13732532
申请日：2013-01-02
申请人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
发明人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/16
摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.
摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。
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公开(公告)号：US20120074525A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：US13311986
申请日：2011-12-06
申请人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
发明人： John F. Kaeding , Dong-Seon Lee , Michael Iza , Troy J. Baker , Hitoshi Sato , Benjamin A. Haskell , James S. Speck , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.
摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。
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