公开(公告)号：US20160204108A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：US15054571

申请日：2016-02-26

申请人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a CMOS transistor, a semiconductor device having the transistor, and a semiconductor module having the device. The CMOS transistor may include first and second interconnection structures respectively disposed in first and second regions of a semiconductor substrate. The first and second regions of the semiconductor substrate may have different conductivity types. The first and second interconnection structures may be disposed on the semiconductor substrate. The first interconnection structure may have a different stacked structure from the second interconnection structure. The CMOS transistor may be disposed in the semiconductor device. The semiconductor device may be disposed in the semiconductor module.

摘要翻译： 提供了CMOS晶体管，具有晶体管的半导体器件和具有该器件的半导体模块。 CMOS晶体管可以包括分别设置在半导体衬底的第一和第二区域中的第一和第二互连结构。 半导体衬底的第一和第二区域可以具有不同的导电类型。 第一和第二互连结构可以设置在半导体衬底上。 第一互连结构可以具有与第二互连结构不同的堆叠结构。 CMOS晶体管可以设置在半导体器件中。 半导体器件可以设置在半导体模块中。

公开(公告)号：US20070120179A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11505033

申请日：2006-08-16

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： A SONOS type non-volatile memory device includes a substrate having source/drain regions doped with impurities and a channel region between the source/drain regions. A tunnel insulation layer including silicon oxide is formed on the channel region of the substrate. A charge-trapping insulation layer including silicon nitride is formed on the tunnel insulation layer. A blocking insulation layer is formed on the charge-trapping insulation layer. The blocking insulation layer has a laminate layered structure in which a plurality of layers, at least one of which includes a metal oxide layer, are sequentially stacked. An electrode is formed on the blocking insulation layer.

摘要翻译： SONOS型非易失性存储器件包括具有掺杂有杂质的源极/漏极区域和源极/漏极区域之间的沟道区域的衬底。 在衬底的沟道区上形成包括氧化硅的隧道绝缘层。 在隧道绝缘层上形成包括氮化硅的电荷捕获绝缘层。 在电荷俘获绝缘层上形成阻挡绝缘层。 隔离绝缘层具有层叠层叠结构，其中顺序层叠多个层，其中至少一层包括金属氧化物层。 在隔离绝缘层上形成电极。

公开(公告)号：US20060035405A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/16

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US20060013946A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11182893

申请日：2005-07-15

申请人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A thin film structure is formed that includes hafnium silicon oxide using an atomic layer deposition process. A first reactant including tetrakis ethyl methyl amino hafnium (TEMAH) is introduced onto a substrate. A first portion of the first reactant is chemisorbed to the substrate, whereas a second portion of the first reactant is physorbed to the first portion of the first reactant. A first oxidant is provided onto the substrate. A first thin film including hafnium oxide is formed on the substrate by chemically reacting the first oxidant with the first portion of the first reactant. A second reactant including amino propyl tri ethoxy silane (APTES) is introduced onto the first thin film. A first portion of the second reactant is chemisorbed to the first thin film, whereas a second portion of the second reactant is physorbed to the first portion of the second reactant. A second oxidant is provided onto the first thin film. A second thin film including silicon oxide is formed on the first thin film by chemically reacting the second oxidant with the first portion of the second reactant.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成包括氧化铪的薄膜结构。 将包含四乙基甲基氨基铪（TEMAH）的第一反应物引入到基材上。 第一反应物的第一部分被化学吸附到基底上，而第一反应物的第二部分被物理吸附到第一反应物的第一部分。 第一氧化剂被提供到基底上。 通过使第一氧化剂与第一反应物的第一部分发生化学反应，在衬底上形成包括氧化铪的第一薄膜。 将包含氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）的第二反应物引入到第一薄膜上。 第二反应物的第一部分被化学吸附到第一薄膜，而第二反应物的第二部分被物理吸附到第二反应物的第一部分。 在第一薄膜上提供第二氧化剂。 通过使第二氧化剂与第二反应物的第一部分化学反应，在第一薄膜上形成包括氧化硅的第二薄膜。

公开(公告)号：US20070057333A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11519063

申请日：2006-09-12

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

摘要： Example embodiments relate to a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor and a method of manufacturing the MOS transistor. In a MOS transistor and a method of manufacturing the same, a gate insulation layer may be formed on the channel region of the substrate, and may further include metal oxide or metal silicate. A buffer layer may be formed on the gate insulation layer. The buffer layer may further include any one selected from the group including silicon nitride, aluminum nitride, undoped polysilicon and combinations thereof. A gate conductive layer may be formed on the buffer layer and may further include polysilicon. The buffer layer may retard or prevent a reaction between the gate conductive layer and the gate insulation layer. Source/drain regions may be further formed at surface portions of the substrate and doped with impurities. A channel region may also be further formed at the surface portion of the substrate between the source/drain regions.

摘要翻译： 示例性实施例涉及金属氧化物半导体（MOS）晶体管和制造MOS晶体管的方法。 在MOS晶体管及其制造方法中，可以在衬底的沟道区上形成栅极绝缘层，还可以包括金属氧化物或金属硅酸盐。 可以在栅极绝缘层上形成缓冲层。 缓冲层可以进一步包括从包括氮化硅，氮化铝，未掺杂的多晶硅及其组合的组中选择的任一种。 栅极导电层可以形成在缓冲层上，并且还可以包括多晶硅。 缓冲层可以延迟或防止栅极导电层和栅极绝缘层之间的反应。 源极/漏极区域可以进一步形成在衬底的表面部分并掺杂杂质。 还可以在源极/漏极区之间的衬底的表面部分处进一步形成沟道区。

公开(公告)号：US20070032008A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11494100

申请日：2006-07-27

申请人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

发明人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate divided into an NMOS region and a PMOS region, a first gate pattern formed on the PMOS region, and a second gate pattern formed on the NMOS region. The first gate pattern includes a first gate oxide layer pattern, a metal oxide layer pattern, a silicon nitride layer pattern and a first polysilicon layer pattern that are sequentially stacked. The second gate pattern includes a second oxide layer pattern and a second polysilicon layer pattern. Related methods are also provided.

摘要翻译： 半导体器件包括分为NMOS区和PMOS区的衬底，形成在PMOS区上的第一栅极图案，以及形成在NMOS区上的第二栅极图案。 第一栅极图案包括依次层叠的第一栅极氧化物层图案，金属氧化物层图案，氮化硅层图案和第一多晶硅层图案。 第二栅极图案包括第二氧化物层图案和第二多晶硅层图案。 还提供了相关方法。

公开(公告)号：US20060189055A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11356399

申请日：2006-02-16

申请人： Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a composite layer, a gate structure and a capacitor are disclosed. In the methods, a first dielectric layer is atomic layer deposited on a substrate by using an oxidation gas and a first precursor gas that includes hafnium precursors. A second dielectric layer is then atomic layer deposited on the first dielectric layer by using a nitriding gas and a second precursor gas that includes hafnium precursors.

摘要翻译： 公开了形成复合层，栅极结构和电容器的方法。 在该方法中，第一电介质层通过使用氧化气体和包括铪前体的第一前体气体在原子层上沉积在衬底上。 然后通过使用氮化气体和包括铪前体的第二前体气体将第二电介质层原子层沉积在第一介电层上。

公开(公告)号：US09287199B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US12972961

申请日：2010-12-20

申请人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a CMOS transistor, a semiconductor device having the transistor, and a semiconductor module having the device. The CMOS transistor may include first and second interconnection structures respectively disposed in first and second regions of a semiconductor substrate. The first and second regions of the semiconductor substrate may have different conductivity types. The first and second interconnection structures may be disposed on the semiconductor substrate. The first interconnection structure may have a different stacked structure from the second interconnection structure. The CMOS transistor may be disposed in the semiconductor device. The semiconductor device may be disposed in the semiconductor module.

摘要翻译： 提供了CMOS晶体管，具有晶体管的半导体器件和具有该器件的半导体模块。 CMOS晶体管可以包括分别设置在半导体衬底的第一和第二区域中的第一和第二互连结构。 半导体衬底的第一和第二区域可以具有不同的导电类型。 第一和第二互连结构可以设置在半导体衬底上。 第一互连结构可以具有与第二互连结构不同的堆叠结构。 CMOS晶体管可以设置在半导体器件中。 半导体器件可以设置在半导体模块中。

公开(公告)号：US07459372B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/471 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US07399670B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11183651

申请日：2005-07-18

申请人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

发明人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method of forming transistor gate structures in an integrated circuit device can include forming a high-k gate insulating layer on a substrate including a first region to include PMOS transistors and a second region to include NMOS transistors. A polysilicon gate layer can be formed on the high-k gate insulating layer in the first and second regions. A metal silicide gate layer can be formed directly on the high-k gate insulating layer in the first region and avoiding forming the metal-silicide in the second region. Related gate structures are also disclosed.

摘要翻译： 在集成电路器件中形成晶体管栅结构的方法可以包括在包括PMOS晶体管的第一区域的衬底上形成高k栅极绝缘层，以及包括NMOS晶体管的第二区域。 可以在第一和第二区域的高k栅极绝缘层上形成多晶硅栅极层。 可以在第一区域中的高k栅极绝缘层上直接形成金属硅化物栅极层，并且避免在第二区域中形成金属硅化物。 还公开了相关门结构。