公开(公告)号：US20080079006A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11850922

申请日：2007-09-06

申请人： Hong-Sick PARK ,  Bong-Kyun KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Won-Suk SHIN ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Hong-Sick PARK ,  Bong-Kyun KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Won-Suk SHIN ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L29/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： C09K13/08 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2320/0223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A thin film panel includes a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, a data line, including a source electrode, and a drain electrode formed on the gate insulating layer or the semiconductor layer, and a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein at least one of the gate line and the data line and drain electrode includes a first conductive layer made of a molybdenum Mo-niobium Nb alloy and a second conductive layer made of a copper Cu-containing metal.

摘要翻译： 薄膜面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，包括源电极的数据线和形成的漏电极 在所述栅极绝缘层或所述半导体层上形成的像素电极和与所述漏极连接的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线和漏极的至少一个包括由钼Mo-Nb铌合金构成的第一导电层，以及 由含铜铜金属制成的第二导电层。

公开(公告)号：US20080017864A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11616542

申请日：2006-12-27

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Joo-Ae YOUN ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Won-Suk SHIN ,  Doo-Hee JUNG ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Joo-Ae YOUN ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Won-Suk SHIN ,  Doo-Hee JUNG ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1288

摘要： A display substrate includes an insulating substrate, a thin film transistor, a contact electrode, and a pixel electrode. The thin film transistor includes a control electrode, a semiconductor pattern, a first electrode, and a second electrode. The control electrode is on the insulating substrate. The semiconductor pattern is on the control electrode. The first electrode is on the semiconductor pattern. The second electrode is spaced apart from the first electrode on the semiconductor pattern. The contact electrode includes a contact portion and an undercut portion. The contact portion is electrically connected to the second electrode to partially expose the semiconductor pattern. The undercut portion is electrically connected to the contact portion to cover the semiconductor pattern. The pixel electrode is electrically connected to the second electrode through the contact portion of the contact electrode.

摘要翻译： 显示基板包括绝缘基板，薄膜晶体管，接触电极和像素电极。 薄膜晶体管包括控制电极，半导体图案，第一电极和第二电极。 控制电极在绝缘基板上。 半导体图案在控制电极上。 第一电极位于半导体图案上。 第二电极与半导体图案上的第一电极间隔开。 接触电极包括接触部分和底切部分。 接触部分电连接到第二电极以部分地暴露半导体图案。 底切部分电连接到接触部分以覆盖半导体图案。 像素电极通过接触电极的接触部分电连接到第二电极。

公开(公告)号：US20100149476A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12534300

申请日：2009-08-03

申请人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

发明人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

IPC分类号： G02F1/1333 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

摘要： A display substrate includes; a base substrate, a deformation preventing layer disposed on a lower surface of the base substrate, wherein the deformation preventing layer applies a force to the base substrate to prevent the base substrate from bending, a gate line disposed on an upper surface of the base substrate, a data line disposed on the base substrate, and a pixel electrode disposed on the base substrate.

摘要翻译： 显示基板包括： 基底基板，设置在基底基板的下表面的变形防止层，其中变形防止层向基底基板施加力以防止基底基板弯曲，设置在基底基板的上表面上的栅极线 设置在基底基板上的数据线，以及配置在基底基板上的像素电极。

公开(公告)号：US20100120209A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12432437

申请日：2009-04-29

申请人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

发明人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition includes about 40 to about 65 wt % of phosphoric acid, about 2 to about 5 wt % of nitric acid, about 2 to about 20 wt % of acetic acid, about 0.1 to about 2 wt % of a compound containing phosphate, about 0.1 to about 2 wt % of a compound simultaneously containing an amino group and a carboxyl group, and a remaining weight percent of water for the total weight of the composition.

摘要翻译： 提供蚀刻剂组合物。 蚀刻剂组合物包括约40至约65重量％的磷酸，约2至约5重量％的硝酸，约2至约20重量％的乙酸，约0.1至约2重量％的含磷酸盐的化合物， 约0.1至约2重量％的同时含有氨基和羧基的化合物，以及组合物总重量的剩余重量百分数。

公开(公告)号：US20100151610A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12564019

申请日：2009-09-21

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

IPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A composition for a photoresist stripper and a method of fabricating a thin film transistor array substrate are provided according to one or more embodiments. In one or more embodiments, the composition includes about 5-30 weight % of a chain amine compound, about 0.5-10 weight % of a cyclic amine compound, about 10-80 weight % of a glycol ether compound, about 5-30 weight % of distilled water, and about 0.1-5 weight % of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 根据一个或多个实施方案提供了用于光致抗蚀剂剥离剂的组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法。 在一个或多个实施方案中，组合物包含约5-30重量％的链胺化合物，约0.5-10重量％的环胺化合物，约10-80重量％的二醇醚化合物，约5-30重量％ ％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US20100155730A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12481158

申请日：2009-06-09

申请人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： In the manufacturing process of the thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention using three masks, the metal oxide semiconductor or the transparent conductive oxide is used, thereby executing an efficient lift-off process.

摘要翻译： 在根据使用三个掩模的本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程中，使用金属氧化物半导体或透明导电氧化物，从而执行有效的剥离处理。

公开(公告)号：US20080224092A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12075966

申请日：2008-03-14

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/00

CPC分类号： C23F1/14 ,  H01L21/32134

摘要： An etchant for a metal is described. In one example, the etchant includes ammonium persulfate ((NH4)2S2O8), an azole compound and water. The etchant does not include hydrogen peroxide. Thus, the etchant may etch a metal layer including copper so that an etched copper layer has a tapered profile. Furthermore, the etchant may have a high stability to maintain etching ability for a longer time. Thus, manufacturing margins may be improved so that manufacturing costs may be reduced.

摘要翻译： 描述了金属的蚀刻剂。 在一个实例中，蚀刻剂包括过硫酸铵（（NH 3）2 S 2 O 2 O 8）， 唑化合物和水。 蚀刻剂不包括过氧化氢。 因此，蚀刻剂可以蚀刻包括铜的金属层，使得蚀刻的铜层具有锥形轮廓。 此外，蚀刻剂可能具有高的稳定性，以保持较长时间的蚀刻能力。 因此，可以提高制造裕度，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：US20110226727A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13032563

申请日：2011-02-22

申请人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案提供金属线路蚀刻剂。 根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：US20080096333A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11875028

申请日：2007-10-19

申请人： Hong-Sick PARK ,  Shi-Yul KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Won-Suk SHIN

发明人： Hong-Sick PARK ,  Shi-Yul KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Won-Suk SHIN

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/425 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor substrate includes forming a transistor thin layer pattern, forming a protecting layer, forming a photoresist film, forming a pixel electrode and a conductive layer that are separated from each other, stripping a photoresist pattern to remove the conductive layer using a stripping composition and dissolving the conductive layer. The method of manufacturing a thin film transistor substrate is capable of improving an efficiency of manufacturing process of the thin film transistor substrate. In addition, the stripping composition is recycled.

摘要翻译： 制造薄膜晶体管基板的方法包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此分离的像素电极和导电层，剥离光致抗蚀剂图案以除去导电 使用剥离组合物并溶解导电层。 制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。 此外，汽提组合物被再循环。

公开(公告)号：US20080039354A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11875035

申请日：2007-10-19

申请人： Hong-Sick PARK ,  Shi-Yul KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Won-Suk SHIN

发明人： Hong-Sick PARK ,  Shi-Yul KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Won-Suk SHIN

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/425 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor substrate includes forming a transistor thin layer pattern, forming a protecting layer, forming a photoresist film, forming a pixel electrode and a conductive layer that are separated from each other, stripping a photoresist pattern to remove the conductive layer using a stripping composition and dissolving the conductive layer. The method of manufacturing a thin film transistor substrate is capable of improving an efficiency of manufacturing process of the thin film transistor substrate. In addition, the stripping composition is recycled.