公开(公告)号：US08339765B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12628598

申请日：2009-12-01

申请人： Hoon-Sang Choi ,  Ki-Vin Im ,  Se-Hoon Oh ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo

发明人： Hoon-Sang Choi ,  Ki-Vin Im ,  Se-Hoon Oh ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01G4/30

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/01 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A capacitor includes a substrate, a plurality of first storage electrodes, a plurality of second storage electrodes, a first supporting layer pattern, a dielectric layer and a plate electrode. A plurality of contact pads is formed I the substrate. The first storage electrodes are arranged along lines parallel with a first direction and electrically connected to the contact pads, respectively. The second storage electrodes are respectively stacked on the first storage electrodes. The first supporting layer pattern extends in a direction parallel with the first direction between adjacent second storage electrodes and makes contact with the adjacent second storage electrodes to support the second storage electrodes. The dielectric layer is formed on the first and second storage electrodes. The plate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括基板，多个第一存储电极，多个第二存储电极，第一支撑层图案，电介质层和平板电极。 在基板上形成多个接触焊盘。 第一存储电极沿着与第一方向平行的线分别布置并且电连接到接触垫。 第二存储电极分别堆叠在第一存储电极上。 第一支撑层图案在与相邻的第二存储电极之间的第一方向平行的方向上延伸，并与相邻的第二存储电极接触以支撑第二存储电极。 介电层形成在第一和第二存储电极上。 在电介质层上形成平板电极。

公开(公告)号：US20100134950A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12628598

申请日：2009-12-01

申请人： Hoon-Sang Choi ,  Ki-Vin Im ,  Se-Hoon Oh ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo

发明人： Hoon-Sang Choi ,  Ki-Vin Im ,  Se-Hoon Oh ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/01 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A capacitor includes a substrate, a plurality of first storage electrodes, a plurality of second storage electrodes, a first supporting layer pattern, a dielectric layer and a plate electrode. A plurality of contact pads is formed I the substrate. The first storage electrodes are arranged along lines parallel with a first direction and electrically connected to the contact pads, respectively. The second storage electrodes are respectively stacked on the first storage electrodes. The first supporting layer pattern extends in a direction parallel with the first direction between adjacent second storage electrodes and makes contact with the adjacent second storage electrodes to support the second storage electrodes. The dielectric layer is formed on the first and second storage electrodes. The plate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括基板，多个第一存储电极，多个第二存储电极，第一支撑层图案，电介质层和平板电极。 在基板上形成多个接触焊盘。 第一存储电极沿着与第一方向平行的线分别布置并且电连接到接触垫。 第二存储电极分别堆叠在第一存储电极上。 第一支撑层图案在与相邻的第二存储电极之间的第一方向平行的方向上延伸，并与相邻的第二存储电极接触以支撑第二存储电极。 介电层形成在第一和第二存储电极上。 在电介质层上形成平板电极。

公开(公告)号：US07791125B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11881562

申请日：2007-07-27

申请人： Hoon-Sang Choi ,  Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Hoon-Sang Choi ,  Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a semiconductor device includes loading a semiconductor substrate into a reaction chamber, and providing metal organic precursors including hafnium and zirconium into the reaction chamber to form hafnium-zirconium oxide (HfxZr1-xO; 0

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括将半导体衬底加载到反应室中，并向反应室中提供包括铪和锆的金属有机前体以形成铪锆氧化物（Hf x Zr 1-x O; 0

公开(公告)号：US20080087930A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11733943

申请日：2007-04-11

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01G4/008 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01G4/005 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10852

摘要： A capacitor includes a first electrode having a conductive pattern and an anti-oxidation pattern contacting the conductive pattern and a second electrode overlapping the first electrode. The capacitor further includes a capacitor dielectric layer disposed between the first and second electrodes, and having a blanket dielectric layer and a partial dielectric layer. The blanket dielectric layer is disposed between the first and second electrodes, and the partial dielectric layer is disposed between the blanket dielectric layer and the anti-oxidation pattern.

摘要翻译： 电容器包括具有导电图案的第一电极和与导电图案接触的抗氧化图案和与第一电极重叠的第二电极。 电容器还包括设置在第一和第二电极之间的电容器介质层，并且具有覆盖介电层和部分电介质层。 覆盖介电层设置在第一和第二电极之间，并且部分电介质层设置在覆盖电介质层和抗氧化图案之间。

公开(公告)号：US20080023746A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11881562

申请日：2007-07-27

申请人： Hoon-Sang Choi ,  Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Hoon-Sang Choi ,  Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a semiconductor device includes loading a semiconductor substrate into a reaction chamber, and providing metal organic precursors including hafnium and zirconium into the reaction chamber to form hafnium-zirconium oxide (HfxZr1-xO; 0

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括将半导体衬底装载到反应室中，并将含有铪和锆的金属有机前体提供到反应室中以形成铪锆氧化物（Hf x Zr z 1-x O; 0

公开(公告)号：US09349583B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供给到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单元层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US20130244445A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供应到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单位层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US20080258271A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12079757

申请日：2008-03-28

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/511

摘要： A multi-dielectric film including at least one first dielectric film that is a composite film made of zirconium-hafnium-oxide and at least one second dielectric film that is a metal oxide film made of amorphous metal oxide. Adjacent ones of the dielectric films are made of different materials.

摘要翻译： 一种多介电膜，其包括至少一个作为由锆 - 铪氧化物构成的复合膜的第一电介质膜和至少一个作为由非晶态金属氧化物构成的金属氧化物膜的第二电介质膜。 相邻的电介质膜由不同的材料制成。

公开(公告)号：US07939872B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12079757

申请日：2008-03-28

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

IPC分类号： H01L29/51

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/511

摘要： A multi-dielectric film including at least one first dielectric film that is a composite film made of zirconium-hafnium-oxide and at least one second dielectric film that is a metal oxide film made of amorphous metal oxide. Adjacent ones of the dielectric films are made of different materials.

摘要翻译： 一种多介电膜，其包括至少一个作为由锆 - 铪氧化物构成的复合膜的第一电介质膜和至少一个作为由非晶态金属氧化物构成的金属氧化物膜的第二电介质膜。 相邻的电介质膜由不同的材料制成。

公开(公告)号：US08685494B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： A method of forming a metal thin film can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 形成金属薄膜的方法可以通过提高器件的台阶覆盖率来改善电性能来减少漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。