公开(公告)号：US20130244445A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供应到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单位层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US09349583B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供给到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单元层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US08685494B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： A method of forming a metal thin film can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 形成金属薄膜的方法可以通过提高器件的台阶覆盖率来改善电性能来减少漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。

公开(公告)号：US09412583B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US13400952

申请日：2012-02-21

申请人： Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park

发明人： Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： To form a dielectric layer, an organometallic precursor is adsorbed on a substrate loaded into a process chamber. The organometallic precursor includes a central metal and ligands bound to the central metal. An inactive oxidant is provided onto the substrate. The inactive oxidant is reactive with the organometallic precursor. An active oxidant is also provided onto the substrate. The active oxidant has a higher reactivity than that of the inactive oxidant.

摘要翻译： 为了形成电介质层，有机金属前体被吸附在装载到处理室中的基板上。 有机金属前体包括中心金属和与中心金属结合的配体。 在基材上提供无活性氧化剂。 无活性氧化剂与有机金属前体反应。 活性氧化剂也提供到基底上。 活性氧化剂的反应活性高于非活性氧化剂。

公开(公告)号：US20120094022A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： Provided is a method of forming a metal thin film which can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 提供一种形成金属薄膜的方法，其可以通过改善器件的台阶覆盖而改善电特性，从而降低漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。

公开(公告)号：US20110136317A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12659830

申请日：2010-03-23

申请人： Sang-Yeol Kang ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park ,  Suk-Jin Chung

发明人： Sang-Yeol Kang ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park ,  Suk-Jin Chung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852 ,  H01L29/40114

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device including an oxide dielectric layer and a non-oxide dielectric layer, a method of fabricating the device, and a semiconductor module, an electronic circuit board, and an electronic system including the device. The semiconductor device may include a lower electrode, an oxide dielectric layer disposed on the lower electrode, a non-oxide dielectric layer disposed on the oxide dielectric layer, and an upper electrode disposed on the non-oxide dielectric layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括氧化物介电层和非氧化物介电层的半导体器件，制造器件的方法，以及包括该器件的半导体模块，电子电路板和电子系统。 半导体器件可以包括下电极，设置在下电极上的氧化物介电层，设置在氧化物电介质层上的非氧化物介电层，以及设置在非氧化物介电层上的上电极。

公开(公告)号：US20110102968A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12838296

申请日：2010-07-16

申请人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01G4/008 ,  B32B9/04 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/53261 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a multilayer structure and a method of forming the same, a conductive layer including a metal nitride and a dielectric layer positioned on a surface of the conductive layer and having a high dielectric constant. The metal nitride comprises one of niobium, vanadium and compositions thereof. Thus, the EOT and leakage current of the multilayer structure may be sufficiently improved.

摘要翻译： 在多层结构及其形成方法中，包括位于导电层表面上并具有高介电常数的金属氮化物和电介质层的导电层。 金属氮化物包括铌，钒及其组合物中的一种。 因此，可以充分提高多层结构的EOT和漏电流。

公开(公告)号：US20110151639A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12855191

申请日：2010-08-12

申请人： Jae-Soon Lim ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung

发明人： Jae-Soon Lim ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  C01G23/047 ,  C01G25/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40

摘要： Provided are a semiconductor device, a method of fabricating the same, and a semiconductor module, an electronic circuit board, and an electronic system including the device. The semiconductor device includes a lower electrode, a rutile state lower vanadium dioxide layer on the lower electrode, a rutile state titanium oxide on the lower vanadium dioxide layer, and an upper electrode on the titanium oxide layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法，以及半导体模块，电子电路板和包括该器件的电子系统。 半导体器件包括下电极，下电极上的金红石状态较低二氧化钒层，下二氧化钒层上的金红石型氧化钛，以及氧化钛层上的上电极。

公开(公告)号：US20100047988A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12542813

申请日：2009-08-18

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： H01L21/02 ,  C07F7/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand coordinating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor into a substrate. A reactant is introduced into the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来稳定包含与金属配位的配体的前体，从而将稳定的前体提供到基底中。 将反应物引入底物中以与稳定的前体中的金属结合。 由给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。

公开(公告)号：US20110045183A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12704755

申请日：2010-02-12

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand chelating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor onto a substrate. A reactant is introduced onto the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来使包含金属和与金属螯合的配体的前体稳定化，以将稳定的前体提供到基底上。 将反应物引入到底物上以与稳定的前体中的金属结合。 通过给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。