公开(公告)号：US06946342B2

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10452979

申请日：2003-06-02

申请人： Jae-Hyun Yeo ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  In-Sung Park ,  Seok-Jun Won ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park

发明人： Jae-Hyun Yeo ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  In-Sung Park ,  Seok-Jun Won ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/02271 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40

摘要： A semiconductor device and a method for forming the same. A dielectric layer is formed on a semiconductor substrate or on a lower electrode of a capacitor. Vacuum annealing is performed on the dielectric layer. Thus, impurities remaining in the dielectric layer can be effectively removed, and the dielectric layer can be densified. As a result, the electrical characteristics of the semiconductor device are improved. For example, the leakage current characteristics of the dielectric layer are improved and capacitance is increased.

公开(公告)号：US20050272272A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11198541

申请日：2005-08-05

申请人： Jae-Hyun Yeo ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  In-Sung Park ,  Seok-Jun Won ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park

发明人： Jae-Hyun Yeo ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  In-Sung Park ,  Seok-Jun Won ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/02271 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40

摘要： A semiconductor device and a method for forming the same. A dielectric layer is formed on a semiconductor substrate or on a lower electrode of a capacitor. Vacuum annealing is performed on the dielectric layer. Thus, impurities remaining in the dielectric layer can be effectively removed, and the dielectric layer can be densified. As a result, the electrical characteristics of the semiconductor device are improved. For example, the leakage current characteristics of the dielectric layer are improved and capacitance is increased.

摘要翻译： 一种半导体器件及其形成方法。 电介质层形成在半导体衬底上或电容器的下电极上。 在电介质层上进行真空退火。 因此，可以有效地除去残留在电介质层中的杂质，并且可以使电介质层致密化。 结果，提高了半导体器件的电特性。 例如，介电层的漏电流特性得到改善，电容增大。

公开(公告)号：US20050000426A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10747803

申请日：2003-12-29

申请人： Ki-Vin Im ,  In-Sung Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Yeon Park

发明人： Ki-Vin Im ,  In-Sung Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee ,  Ki-Yeon Park

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4481

摘要： An apparatus for depositing a thin film includes a reaction chamber, a reaction gas provider to supply a reaction gas and/or inert gas to the reaction chamber, an oxidant provider to supply a first oxidant and a second oxidant to the reaction chamber, and an air drain to exhaust gas from the apparatus. The oxidant provider is operable to supply the second oxidant to the reaction chamber using the first oxidant as a transfer gas.

摘要翻译： 用于沉积薄膜的装置包括反应室，向反应室供应反应气体和/或惰性气体的反应气体提供者，向反应室供应第一氧化剂和第二氧化剂的氧化剂供体，以及 从设备排出废气。 氧化剂供应商可操作以使用第一氧化剂作为转移气体将第二氧化剂供应到反应室。

公开(公告)号：US20060084225A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11291191

申请日：2005-12-01

申请人： In-Sung Park ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee

发明人： In-Sung Park ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/0218 ,  H01L28/56

摘要： In some embodiments, a multi-layer dielectric structure, such as a capacitor dielectric region, is formed by forming a first dielectric layer on a substrate according to a CVD process and forming a second dielectric layer directly on the first dielectric layer according to an ALD process. In further embodiments, a multi-layer dielectric structure is formed by forming a first dielectric layer on a substrate according to an ALD process and forming a second dielectric layer directly on the first dielectric layer according to a CVD process. The CVD-formed layers may comprise one selected from the group consisting of SiO2, Si3N3, Ta2O5, HfO2, ZrO2, TiO2, Y2O3, Pr2O3, La2O3, Nb2O5, SrTiO3 (STO), BaSrTiO3 (BST) and PbZrTiO3 (PZT). The ALD-formed layers may comprise one selected from the group consisting of SiO2, Si3N3, Al2O3, Ta2O5, HfO2, ZrO2, TiO2, Y2O3, Pr2O3, La2O3, Nb2O5, SrTiO3 (STO), BaSrTiO3 (BST) and PbZrTiO3 (PZT).

摘要翻译： 在一些实施例中，通过根据CVD工艺在衬底上形成第一电介质层并根据ALD在第一电介质层上直接形成第二电介质层来形成诸如电容器电介质区域的多层电介质结构 处理。 在另外的实施例中，通过根据ALD工艺在衬底上形成第一电介质层并根据CVD工艺在第一电介质层上直接形成第二电介质层来形成多层电介质结构。 CVD形成的层可以包括从由SiO 2，Si 3 N 3 N 3，Ta 2 O 3， O 2，HfO 2，ZrO 2，TiO 2，Y 2，N 2， 3 O 3，3/3，3，3，3，3，3，3，3，3， （STO），BaSrTiO 3（BST）和PbZrTiO 3（BST）3（S0） / SUB>（PZT）。 ALD形成的层可以包括从由SiO 2，Si 3 N 3 N 3，Al 2 O 3， 3，O 3，O 2 O 5，HfO 2，ZrO 2，N 2， ，TiO 2，Y 2 O 3，Pr 2 O 3，La Nb 2 O 3，SrTiO 3（STO），N 2 O 3， BaSrTiO 3（BST）和PbZrTiO 3 3（PZT）。

公开(公告)号：US07151039B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US10632825

申请日：2003-08-04

申请人： Yun-Jung Lee ,  In-Sung Park ,  Gi-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Yun-Jung Lee ,  In-Sung Park ,  Gi-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming an oxide layer using an atomic layer deposition and a method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same, a precursor including an amino functional group is introduced onto a substrate to chemisorb a portion of the precursor on the substrate. Then, the non-chemisorbed precursor is removed. Thereafter, an oxidant is introduced onto the substrate to chemically react the chemisorbed precursor with the oxidant to form an oxide layer on the substrate. A deposition rate is fast and an oxide layer having a good deposition characteristic may be obtained. Also, a thin oxide film having a good step coverage and a decreased pattern loading rate can be formed.

摘要翻译： 在使用原子层沉积形成氧化物层的方法和使用其形成使用其的半导体器件的电容器的方法中，将包含氨基官能团的前体引入到衬底上以化学吸附衬底上的一部分前体 。 然后，除去非化学吸附的前体。 此后，将氧化剂引入到基底上以使化学吸附的前体与氧化剂化学反应，以在基底上形成氧化物层。 沉积速率快​​，并且可以获得具有良好沉积特性的氧化物层。 此外，可以形成具有良好的阶梯覆盖和减小的图案加载速率的薄氧化膜。

公开(公告)号：USD646253S1

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US29381716

申请日：2010-12-22

申请人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD646249S1

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US29381319

申请日：2010-12-17

申请人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD663709S1

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US29396819

申请日：2011-07-07

申请人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD663708S1

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US29396807

申请日：2011-07-07

申请人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Bo-Ra Kim ,  Yun-Jung Lee ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：US20070222999A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11710579

申请日：2007-02-26

申请人： Yun-Jung Lee ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun ,  Kwan-Woo Ryu

发明人： Yun-Jung Lee ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun ,  Kwan-Woo Ryu

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01N21/9501

摘要： A method of monitoring a density profile of impurities, the method including presetting a monitoring position of a thin layer coated on a substrate, the density profile of impurities being monitored from the monitoring position in a direction of thickness of the thin layer, moving an exposer for exposing a local area of the thin layer to the monitoring position, exposing the local area of the thin layer along the direction of thickness of the thin layer, forming a shape profile of the exposed local area of the thin layer, and monitoring the density profile of impurities by determining a density of impurities in accordance with the shape profile, and an apparatus therefor. The impurity density profile may be monitored without destroying a substrate on which a thin layer is coated, and an amount of impurities used for forming the thin layer may be monitored and controlled in real-time.

摘要翻译： 一种监测杂质浓度分布的方法，该方法包括：预先设置涂覆在基材上的薄层的监测位置，从监测位置监测的杂质的浓度分布沿薄层厚度方向移动，移动曝光器 用于将薄层的局部区域暴露于监测位置，使薄层的局部区域沿着薄层的厚度方向暴露，形成薄层暴露局部区域的形状轮廓，并监测密度 通过根据形状轮廓确定杂质的密度来描述杂质，及其装置。 可以监测杂质浓度分布，而不会破坏其上涂覆有薄层的基底，并且可以实时监测和控制用于形成薄层的杂质的量。