利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

7 条记录 (耗时 0.024 秒)

    OPERATING METHOD OF MEMORY CONTROLLER AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    OPERATING METHOD OF MEMORY CONTROLLER AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    存储器控制器和非易失性存储器件的操作方法

    公开(公告)号：US20160034349A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：US14713568

    申请日：2015-05-15

    申请人： SEONGHYEOG CHOI ,  CHANGKYU SEOL ,  JUNJIN KONG ,  YOUNGSUK RA ,  HONG RAK SON

    发明人： SEONGHYEOG CHOI ,  CHANGKYU SEOL ,  JUNJIN KONG ,  YOUNGSUK RA ,  HONG RAK SON

    IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/52

    CPC分类号： G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/26 ,  G11C2029/0411

    摘要： A method of operating a nonvolatile memory device including a plurality of memory cells is provided. A default read operation is performed on a page using a default read voltage set to generate default raw data. If error bits of the default raw data are not corrected, a plurality of low-level read operations is performed on the page using a plurality of read voltage sets to generate a plurality of low-level raw data. Each read voltage set is different from the default voltage set. A read voltage set is selected from the plurality of read voltage sets as a starting voltage set, according to each low-level raw data. A high-level read operation using the selected starting voltage set is performed on the page to generate high-level raw data.

    摘要翻译： 提供一种操作包括多个存储单元的非易失性存储器件的方法。 在使用默认读取电压设置的页面上执行默认读取操作以生成默认原始数据。 如果默认原始数据的错误位未被校正，则使用多个读取电压组在页面上执行多个低级读取操作，以生成多个低级原始数据。 每个读取电压设置与默认电压设置不同。 根据每个低级原始数据，从多个读取电压组中选择读取电压设置作为起始电压组。 在页面上执行使用所选择的启动电压设置的高电平读取操作，以生成高级原始数据。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL ARRAY WITH UPPER AND LOWER WORD LINE GROUPS
    5.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL ARRAY WITH UPPER AND LOWER WORD LINE GROUPS 有权
    非易失性存储器件，其中包含上，下字线组的存储单元阵列

    公开(公告)号：US20120268988A1

    公开(公告)日：2012-10-25

    申请号：US13413118

    申请日：2012-03-06

    申请人： CHANGKYU SEOL ,  EUNCHEOL KIM ,  JUNJIN KONG ,  HONG RAK SON

    发明人： CHANGKYU SEOL ,  EUNCHEOL KIM ,  JUNJIN KONG ,  HONG RAK SON

    IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5641 ,  H01L27/11578

    摘要： A nonvolatile memory device includes a memory cell array having multiple memory blocks. Each memory block includes memory cells arranged at intersections of multiple word lines and multiple bit lines. At least one word line of the multiple word lines is included in an upper word line group and at least one other word line of the multiple word lines is included in a lower word line group. The number of data bits stored in memory cells connected to the at least one word line included in the upper word line group is different from the number of data bits stored in memory cells connected to the at least one other word line included in the lower word line group.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储单元阵列。 每个存储块包括布置在多个字线和多个位线的交点处的存储器单元。 多个字线的至少一个字线被包括在上部字线组中，并且多个字线的至少一个其它字线被包括在下部字线组中。 连接到包括在上部字线组中的至少一个字线的存储器单元中存储的数据位的数量不同于存储在连接到包含在下一个字中的至少一个其它字线的存储器单元中的数据位的数量 线组。

    ENCODING PROGRAM DATA BASED ON DATA STORED IN MEMORY CELLS TO BE PROGRAMMED
    7.
    发明申请
    ENCODING PROGRAM DATA BASED ON DATA STORED IN MEMORY CELLS TO BE PROGRAMMED 有权
    根据存储在存储单元中的数据编写程序数据进行编程

    公开(公告)号：US20140115237A1

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：US14053893

    申请日：2013-10-15

    申请人： YOUNGGEON YOO ,  JUNJIN KONG ,  CHANGKYU SEOL ,  HONG RAK SON ,  HYUNSEUK YOO

    发明人： YOUNGGEON YOO ,  JUNJIN KONG ,  CHANGKYU SEOL ,  HONG RAK SON ,  HYUNSEUK YOO

    IPC分类号： G06F12/02

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C2013/0076

    摘要： A method of programming data in a nonvolatile memory device comprises receiving program data to be programmed in selected memory cells of the nonvolatile memory device, reading data from the selected memory cells, encoding the program data using at least one encoding scheme selected from among multiple encoding schemes according to a comparison of the program data and the read data, generating flag data including encoding information, and programming the encoded program data and the flag data in the selected memory cells.

    摘要翻译： 一种在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：接收要在非易失性存储器件的选定存储器单元中编程的程序数据，从所选择的存储器单元读取数据，使用从多个编码中选择的至少一种编码方案对程序数据进行编码 根据程序数据和读取数据的比较，生成包括编码信息的标志数据，以及对选择的存储单元中的编码程序数据和标志数据进行编程的方案。