公开(公告)号：US20070269918A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11690504

申请日：2007-03-23

申请人： Jae-hee CHO ,  Cheol-soo SONE ,  Dong-yu KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Seok-soon KIM

发明人： Jae-hee CHO ,  Cheol-soo SONE ,  Dong-yu KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Seok-soon KIM

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/42

摘要： Provided is a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device having an improved structure in which optical extraction efficiency is improved. The method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device including an n-doped semiconductor layer, an active layer, a p-doped semiconductor layer, an n-electrode and a p-electrode includes: forming an azobenzene-functionalized polymer film on a base layer by selecting one layer from the group consisting of the n-doped semiconductor layer, the p-doped semiconductor layer, the n-electrode and the p-electrode as the base layer; forming surface relief gratings of a micro-pattern caused by a photophysical mass transport property of azobenzene-functionalized polymer by irradiating interference laser beams onto the azobenzene-functionalized polymer film; forming a photonic crystal layer using a metal oxide on a recessed gap of the azobenzene-functionalized polymer film, and removing the azobenzene-functionalized polymer film.

摘要翻译： 提供一种制造具有提高光学提取效率的改进结构的氮化物类半导体发光器件的方法。 包括n掺杂半导体层，有源层，p掺杂半导体层，n电极和p电极的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：形成偶氮苯官能化的聚合物膜 通过从由n掺杂半导体层，p掺杂半导体层，n电极和p电极组成的组中选择一层作为基底层，在基底层上; 通过将干涉激光束照射到偶氮苯官能化聚合物膜上，形成由偶氮苯官能化聚合物的光物理质量传递性质引起的微图案的表面起伏光栅; 在偶氮苯官能化聚合物膜的凹陷间隙上使用金属氧化物形成光子晶体层，并除去偶氮苯官能化的聚合物膜。

公开(公告)号：US20070262300A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11683096

申请日：2007-03-07

申请人： Jae-hee CHO ,  Cheol-soo SONE ,  Dong-yu KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Seok-soon KIM

发明人： Jae-hee CHO ,  Cheol-soo SONE ,  Dong-yu KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Seok-soon KIM

IPC分类号： G03C5/00 ,  H01L29/808

CPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/004 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42

摘要： Provided is a method of forming a fine pattern having a pattern dimension of 1 μm or less, repeatedly with reproducibility. The method of forming the fine pattern includes: forming an azobenzene-functionalized polymer film on an etched layer; irradiating the azobenzene-functionalized polymer film using an interference laser beam to form a patterned azobenzene-functionalized polymer film having fine-patterned surface relief gratings by a photophysical mass transporting of the azobenzene-functionalized polymer; etching the etched layer using the azobenzene-functionalized polymer film having the surface relief grating patterns as an etching mask; and removing the patterned azobenzene-functionalized polymer film.

摘要翻译： 提供了一种以重现性反复形成图案尺寸为1μm或更小的精细图案的方法。 形成微细图案的方法包括：在蚀刻层上形成偶氮苯官能化聚合物膜; 使用干涉激光束照射偶氮苯官能化的聚合物膜，通过偶氮苯官能化聚合物的光物理传输形成具有精细图案化表面起伏光栅的图案化偶氮苯官能化聚合物膜; 使用具有表面起弧光栅图案的偶氮苯官能化聚合物膜作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻层; 并除去图案化的偶氮苯官能化聚合物膜。

公开(公告)号：US20130260495A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13904475

申请日：2013-05-29

申请人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

发明人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned dispersion Bragg reflection (DBR) layer on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR layer and regions between patterns of the DBR layer.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分散布拉格反射（DBR）层; 以及图案化DBR层上的氮化物基薄膜层和DBR层的图案之间的区域。

公开(公告)号：US20130140567A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13614315

申请日：2012-09-13

申请人： Jun-youn KIM ,  Jae-Kyun KIM ,  Su-hee CHAE ,  Hyun-gi HONG

发明人： Jun-youn KIM ,  Jae-Kyun KIM ,  Su-hee CHAE ,  Hyun-gi HONG

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/425 ,  H01L29/06

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

摘要： Crack formation and propagation in a silicon substrate may be reduced by forming a crack reducing portion. The silicon substrate includes a silicon main portion and a silicon edge portion formed around the silicon main portion. The crack reducing portion is formed on the silicon edge portion of the silicon substrate such that the directions of crystal faces in the crack reducing portion are randomly oriented.

摘要翻译： 可以通过形成裂纹减少部分来减少硅衬底中的裂纹形成和传播。 硅基板包括硅主体部分和形成在硅主体部分周围的硅边缘部分。 在硅基板的硅边缘部分上形成裂纹减少部分，使得裂纹缩小部分中的晶面的方向随机取向。

公开(公告)号：US20130139966A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13619521

申请日：2012-09-14

申请人： Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  Young-soo PARK ,  Jae-won LEE ,  Young-jo TAK ,  Hyun-gi HONG

发明人： Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  Young-soo PARK ,  Jae-won LEE ,  Young-jo TAK ,  Hyun-gi HONG

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67346 ,  H01L33/0079

摘要： A jig for use in etching supports an etching target while an etching process is performed and surrounds a remaining region of the etching target except for a portion of the etching target, so as to expose the portion of the etching target. Accordingly, a stable support of the etching target during the etching process may be provided, and thus an etching of an undesired region may be prevented, and a stable production yield may be accomplished.

摘要翻译： 用于蚀刻的夹具在执行蚀刻处理的同时支持蚀刻目标，并且围绕除了蚀刻靶的一部分之外的蚀刻靶的剩余区域，以暴露蚀刻靶的部分。 因此，可以提供在蚀刻工艺期间对蚀刻靶的稳定支撑，因此可以防止对不需要的区域的蚀刻，并且可以实现稳定的生产率。

公开(公告)号：US20090269869A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12458136

申请日：2009-07-01

申请人： June-o SONG ,  Tae-yeon SEONG ,  Kyoung-kook KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Kwang-ki CHOI ,  Hyun-soo KIM

发明人： June-o SONG ,  Tae-yeon SEONG ,  Kyoung-kook KIM ,  Hyun-gi HONG ,  Kwang-ki CHOI ,  Hyun-soo KIM

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/32

摘要： Provided are a multiple reflection layer electrode, a compound semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same. The multiple reflection layer electrode may include a reflection layer on a p-type semiconductor layer, an APL (agglomeration protecting layer) on the reflection layer so as to prevent or retard agglomeration of the reflection layer, and a diffusion barrier between the reflection layer and the APL so as to retard diffusion of the APL.

摘要翻译： 提供了多反射层电极，具有该反射层电极的化合物半导体发光器件及其制造方法。 多反射层电极可以包括在p型半导体层上的反射层，反射层上的APL（聚集保护层），以防止或阻止反射层的聚集，并且反射层与 APL，以阻止APL的扩散。

公开(公告)号：US20160111592A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14955981

申请日：2015-12-01

申请人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

发明人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned distributed Bragg reflector (DBR) on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR and regions between patterns of the DBR.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分布式布拉格反射器（DBR）; 以及在图案化DBR上的氮化物基薄膜层和DBR的图案之间的区域。