公开(公告)号：US08716749B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US08643059B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。

公开(公告)号：US08592839B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L33/00 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US08564009B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13188791

申请日：2011-07-22

申请人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

摘要： According to an example embodiment, a vertical light emitting device (LED) includes a semiconductor layer including an active layer configured to emitting light, a first electrode on a first side of the semiconductor layer, and a second electrode on a second side of the semiconductor layer opposite to the first electrode. At least one of the first and second electrodes includes a metal electrode pattern and a transparent electrode pattern. The transparent electrode pattern is in a region between segment electrodes of the metal electrode pattern. The transparent electrode pattern is electrically connected to the metal electrode pattern.

摘要翻译： 根据示例性实施例，垂直发光器件（LED）包括半导体层，其包括被配置为发光的有源层，半导体层的第一侧上的第一电极和半导体的第二侧上的第二电极 层与第一电极相对。 第一和第二电极中的至少一个包括金属电极图案和透明电极图案。 透明电极图案位于金属电极图案的段电极之间的区域中。 透明电极图形电连接到金属电极图案。

公开(公告)号：US08476670B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12659151

申请日：2010-02-26

申请人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

发明人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned dispersion Bragg reflection (DBR) layer on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR layer and regions between patterns of the DBR layer.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分散布拉格反射（DBR）层; 以及图案化DBR层上的氮化物基薄膜层和DBR层的图案之间的区域。

公开(公告)号：US20120175662A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13188791

申请日：2011-07-22

申请人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

摘要： According to an example embodiment, a vertical light emitting device (LED) includes a semiconductor layer including an active layer configured to emitting light, a first electrode on a first side of the semiconductor layer, and a second electrode on a second side of the semiconductor layer opposite to the first electrode. At least one of the first and second electrodes includes a metal electrode pattern and a transparent electrode pattern. The transparent electrode pattern is in a region between segment electrodes of the metal electrode pattern. The transparent electrode pattern is electrically connected to the metal electrode pattern.

摘要翻译： 根据示例性实施例，垂直发光器件（LED）包括半导体层，其包括被配置为发光的有源层，半导体层的第一侧上的第一电极和半导体的第二侧上的第二电极 层与第一电极相对。 第一和第二电极中的至少一个包括金属电极图案和透明电极图案。 透明电极图案位于金属电极图案的段电极之间的区域中。 透明电极图形电连接到金属电极图案。

公开(公告)号：US07736924B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12458136

申请日：2009-07-01

申请人： June-o Song ,  Tae-yeon Seong ,  Kyoung-kook Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Kwang-ki Choi ,  Hyun-soo Kim

发明人： June-o Song ,  Tae-yeon Seong ,  Kyoung-kook Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Kwang-ki Choi ,  Hyun-soo Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/32

摘要： Provided are a multiple reflection layer electrode, a compound semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same. The multiple reflection layer electrode may include a reflection layer on a p-type semiconductor layer, an APL (agglomeration protecting layer) on the reflection layer so as to prevent or retard agglomeration of the reflection layer, and a diffusion barrier between the reflection layer and the APL so as to retard diffusion of the APL.

公开(公告)号：US20130260495A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13904475

申请日：2013-05-29

申请人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

发明人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned dispersion Bragg reflection (DBR) layer on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR layer and regions between patterns of the DBR layer.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分散布拉格反射（DBR）层; 以及图案化DBR层上的氮化物基薄膜层和DBR层的图案之间的区域。

公开(公告)号：US08541771B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US20110049549A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12659151

申请日：2010-02-26

申请人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

发明人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned dispersion Bragg reflection (DBR) layer on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR layer and regions between patterns of the DBR layer.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分散布拉格反射（DBR）层; 以及图案化DBR层上的氮化物基薄膜层和DBR层的图案之间的区域。