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    Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns
    1.
    发明授权
    Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns 有权
    使用精细图案的半导体器件和形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US07704882B2

    公开(公告)日：2010-04-27

    申请号：US12222842

    申请日：2008-08-18

    申请人： Jeong-ho Lee ,  Young-hoon Park ,  Sang-il Jung ,  Ui-sik Kim ,  Jun-seok Yang

    发明人： Jeong-ho Lee ,  Young-hoon Park ,  Sang-il Jung ,  Ui-sik Kim ,  Jun-seok Yang

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76816

    摘要： Example embodiments may provide fine patterns for semiconductor devices and methods of forming fine patterns for semiconductor devices. Example methods may include forming a spacer pattern on a substrate and/or an insulating layer pattern adjacent to sides of the spacer pattern and/or disposed at the same level as the spacer pattern, forming a pair of recesses exposing sides of the spacer pattern by removing a portion of the insulating layer pattern, and/or filling a conductive material in the recesses.

    摘要翻译： 示例性实施例可以为半导体器件提供精细图案以及为半导体器件形成精细图案的方法。 示例性方法可以包括在衬底和/或与间隔物图案的侧面相邻的基底和/或绝缘层图案上形成间隔图案和/或设置在与间隔图案相同的水平面上，形成一对凹槽，该凹槽暴露间隔图案的侧面， 去除绝缘层图案的一部分，和/或填充凹槽中的导电材料。

    Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns
    2.
    发明申请
    Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns 有权
    使用精细图案的半导体器件和形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US20090087986A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US12222842

    申请日：2008-08-18

    申请人： Jeong-ho Lee ,  Young-hoon Park ,  Sang-il Jung ,  Ui-sik Kim ,  Jun-seok Yang

    发明人： Jeong-ho Lee ,  Young-hoon Park ,  Sang-il Jung ,  Ui-sik Kim ,  Jun-seok Yang

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76816

    摘要： Example embodiments may provide fine patterns for semiconductor devices and methods of forming fine patterns for semiconductor devices. Example methods may include forming a spacer pattern on a substrate and/or an insulating layer pattern adjacent to sides of the spacer pattern and/or disposed at the same level as the spacer pattern, forming a pair of recesses exposing sides of the spacer pattern by removing a portion of the insulating layer pattern, and/or filling a conductive material in the recesses.

    摘要翻译： 示例性实施例可以为半导体器件提供精细图案以及为半导体器件形成精细图案的方法。 示例性方法可以包括在衬底和/或与间隔物图案的侧面相邻的基底和/或绝缘层图案上形成间隔图案和/或设置在与间隔图案相同的水平面上，形成一对凹槽，该凹槽暴露间隔图案的侧面， 去除绝缘层图案的一部分，和/或填充凹槽中的导电材料。

    Fuse area structure having guard ring surrounding fuse opening in semiconductor device and method of forming the same
    9.
    发明授权
    Fuse area structure having guard ring surrounding fuse opening in semiconductor device and method of forming the same 有权
    保险丝区域结构在半导体器件中具有围绕保险丝开口的保护环及其形成方法

    公开(公告)号：US06509255B2

    公开(公告)日：2003-01-21

    申请号：US09935971

    申请日：2001-08-23

    申请人： Eun-young Minn ,  Young-hoon Park ,  Chi-hoon Lee ,  Myoung-hee Han

    发明人： Eun-young Minn ,  Young-hoon Park ,  Chi-hoon Lee ,  Myoung-hee Han

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A fuse area structure in a semiconductor device and a method of forming the same are provided. A ring-shaped guard ring which surrounds a fuse opening, for preventing moisture from seeping into the side surface of the exposed fuse opening, is included. The guard ring is integrally formed with a passivation film. In order to form the guard ring, a guard ring opening etching stop film is formed on a fuse line. A guard ring opening is formed using the etching stop film, and a contact hole is formed in a peripheral circuit. A conductive material layer for forming an upper interconnection layer is formed on the entire surface of a resultant structure on which the contact hole and the guard ring opening are formed. The conductive material layer formed on the guard ring opening is removed. The exposed etching stop film is removed. Finally, a passivation film is deposited on the entire surface of the resulting structure. Accordingly, the guard ring formed of the passivation film filling the guard ring opening is formed. It is possible to form the guard ring without an additional process, to thus effectively prevent moisture from seeping into interfaces between interlayer dielectric films. Also, an additional photolithography process for forming the guard ring is not necessary since the guard ring opening and the contact hole in the peripheral circuit are simultaneously formed.

    摘要翻译： 提供半导体器件中的熔丝区域结构及其形成方法。 包括围绕保险丝开口的环形保护环，用于防止湿气渗入暴露的保险丝开口的侧表面。 保护环与钝化膜一体形成。 为了形成保护环，在保险丝线上形成防护环开口蚀刻停止膜。 使用蚀刻停止膜形成保护环开口，并且在外围电路中形成接触孔。 在形成有接触孔和保护环开口的合成结构的整个表面上形成用于形成上互连层的导电材料层。 形成在保护环开口上的导电材料层被去除。 去除暴露的蚀刻停止膜。 最后，钝化膜沉积在所得结构的整个表面上。 因此，形成由填充保护环开口的钝化膜形成的保护环。 可以在没有附加工艺的情况下形成保护环，从而有效地防止水分渗透到层间电介质膜之间的界面中。 此外，由于保护环开口和外围电路中的接触孔同时形成，因此不需要用于形成保护环的附加光刻工艺。