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    OSCILLATOR CIRCUITRY HAVING NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE
    5.
    发明申请
    OSCILLATOR CIRCUITRY HAVING NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE 有权
    具有负面差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US20120249252A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    Two terminal memcapacitor device
    6.
    发明授权
    Two terminal memcapacitor device 有权
    两端式电容器

    公开(公告)号：US08779848B2

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：US13383981

    申请日：2009-08-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/24 ,  H01L29/167 ,  H01L49/02

    CPC分类号： G11C11/24 ,  H01G7/06 ,  H01L27/101 ,  H01L28/40 ,  H01L29/167 ,  H01L29/93

    摘要： A memcapacitor device includes a memcapacitive matrix interposed between a first electrode and a second electrode. The memcapacitive matrix includes deep level dopants having a first decay time constant and shallow level dopants having a second decay time constant. The second decay time constant is substantially shorter than the first decay time constant. The capacitance of the memcapacitor device depends upon an initial voltage applied across the memcapacitive matrix and a time dependent change in capacitance of the memcapacitor device depends upon the first decay time constant. A method for forming a memcapacitive device is also provided.

    摘要翻译： 电容器装置包括插入在第一电极和第二电极之间的存储电容矩阵。 电容矩阵包括具有第一衰减时间常数的深层掺杂剂和具有第二衰减时间常数的浅层掺杂剂。 第二衰减时间常数明显短于第一衰减时间常数。 存储器件器件的电容取决于施加在存储电容矩阵上的初始电压，并且存储器件器件的时间相关的电容变化取决于第一衰减时间常数。 还提供了一种用于形成电容器件的方法。

    Oscillator circuitry having negative differential resistance
    7.
    发明授权
    Oscillator circuitry having negative differential resistance 有权
    具有负差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US08324976B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    Memristive Junction with Intrinsic Rectifier
    9.
    发明申请
    Memristive Junction with Intrinsic Rectifier 有权
    具有内在整流器的忆阻结

    公开(公告)号：US20120032134A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：US13258499

    申请日：2009-07-10

    申请人： Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L29/24 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L29/872 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A memristive junction (400) can comprise a first electrode (102) and second electrode (104), with a memristive region (106) situated between them. The memristive region is configured to switch between two activation states via a switching voltage (118) applied between the electrodes. The activation state can be ascertained by application of a reading voltage between the first electrode and second electrode. The junction further comprises a rectifier region situated at an interface (420) between the first electrode and the memristive region, and comprising a layer (402) of temperature-responsive transition material that is substantially conductive at the switching voltage and substantially resistive at the reading voltage.

    摘要翻译： 忆阻接头（400）可以包括第一电极（102）和第二电极（104），其间具有位于它们之间的忆阻区（106）。 忆阻区被配置为经由施加在电极之间的开关电压（118）在两个激活状态之间切换。 可以通过在第一电极和第二电极之间施加读取电压来确定激活状态。 连接点还包括位于第一电极和忆阻区域之间的界面（420）处的整流器区域，并且包括温度响应性过渡材料层（402），其在开关电压下基本上是导电的，并且在读数时基本上是电阻的 电压。

    Memristive junction with intrinsic rectifier
    10.
    发明授权
    Memristive junction with intrinsic rectifier 有权
    具有本征整流器的忆阻结

    公开(公告)号：US08710483B2

    公开(公告)日：2014-04-29

    申请号：US13258499

    申请日：2009-07-10

    申请人： Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L29/24 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L29/872 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A memristive junction (400) can comprise a first electrode (102) and second electrode (104), with a memristive region (106) situated between them. The memristive region is configured to switch between two activation states via a switching voltage (118) applied between the electrodes. The activation state can be ascertained by application of a reading voltage between the first electrode and second electrode. The junction further comprises a rectifier region situated at an interface (420) between the first electrode and the memristive region, and comprising a layer (402) of temperature-responsive transition material that is substantially conductive at the switching voltage and substantially resistive at the reading voltage.

    摘要翻译： 忆阻接头（400）可以包括第一电极（102）和第二电极（104），其间具有位于它们之间的忆阻区（106）。 忆阻区被配置为经由施加在电极之间的开关电压（118）在两个激活状态之间切换。 可以通过在第一电极和第二电极之间施加读取电压来确定激活状态。 连接点还包括位于第一电极和忆阻区域之间的界面（420）处的整流器区域，并且包括温度响应性过渡材料层（402），其在开关电压下基本上是导电的，并且在读数时基本上是电阻的 电压。