公开(公告)号：US07078998B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10754973

申请日：2004-01-09

申请人： Jiong Zhang ,  Yi Min Wang ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Jiong Zhang ,  Yi Min Wang ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01F5/00

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L27/08 ,  Y10T29/4902

摘要： A spiral inductor is provided including a substrate and an inductor dielectric layer over the substrate having a spiral opening provided therein. The spiral inductor is in the spiral opening with the spiral inductor including a plurality of parallel spiral vias connected together at center proximate and center distal ends of the spiral inductor.

摘要翻译： 提供螺旋电感器，其包括衬底和在其上设置有螺旋开口的衬底上的电感器电介质层。 螺旋电感器处于螺旋形开口中，螺旋电感器包括在螺旋电感器的中心近端和中心远端处连接在一起的多个平行螺旋通孔。

公开(公告)号：US06750750B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10040765

申请日：2001-12-28

申请人： Zhang Jiong ,  Yi Min Wang ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Zhang Jiong ,  Yi Min Wang ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01F500

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L27/08 ,  Y10T29/4902

摘要： A spiral inductor, and manufacturing method therefore, is provided including a substrate and an inductor dielectric layer over the substrate having a spiral opening provided therein. A spiral inductor is in the spiral opening with the spiral inductor including a plurality of parallel spiral vias connected together at center proximate and center distal ends of the spiral inductor.

摘要翻译： 因此，提供了一种螺旋电感器及其制造方法，其包括在其上设置有螺旋形开口的基板上的基板和电感器电介质层。 螺旋电感器处于螺旋形开口中，螺旋电感器包括在螺旋电感器的中心近端和中心远端处连接在一起的多个平行螺旋通孔。

公开(公告)号：US09269770B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US11683655

申请日：2007-03-08

申请人： Yisuo Li ,  Gang Chen ,  Francis Benistant ,  Purakh Raj Verma ,  Hong Yang ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Yisuo Li ,  Gang Chen ,  Francis Benistant ,  Purakh Raj Verma ,  Hong Yang ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

摘要： An integrated circuit system includes a substrate, forming a gate over the substrate, forming a first drift region having a first counter diffused region and a source diffused region, the first drift region in the substrate adjacent a first side of the gate, and forming a second drift region having a second counter diffused region and a drain diffused region, the second drift region in the substrate adjacent a second side of the gate opposite the first side of the gate.

摘要翻译： 集成电路系统包括：衬底，在衬底上形成栅极，形成具有第一反扩散区域和源极扩散区域的第一漂移区域，邻近栅极第一侧的衬底中的第一漂移区域，以及形成 第二漂移区域，具有第二反扩散区域和漏扩散区域，所述衬底中的所述第二漂移区域邻近所述栅极的与所述栅极的第一侧相对的第二侧。

公开(公告)号：US08536016B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13236295

申请日：2011-09-19

申请人： Shao-fu Sanford Chu ,  Shaoqiang Zhang ,  Johnny Kok Wai Chew

发明人： Shao-fu Sanford Chu ,  Shaoqiang Zhang ,  Johnny Kok Wai Chew

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit system includes: providing a substrate including front-end-of-line circuitry; forming a first group of metal layers including a first finger and a second finger over the substrate utilizing a first design rule, the first group of metal layers being formed without a finger via; forming a second group of metal layers including a first finger, a second finger, and a finger via over the first group of metal layers utilizing a second design rule that is larger than the first design rule; and interconnecting the first group of metal layers, including interconnecting a first cluster adjacent to a second cluster, to form a capacitor.

摘要翻译： 一种制造集成电路系统的方法包括：提供包括前端电路的基板; 利用第一设计规则在所述衬底上形成包括第一手指和第二手指的第一组金属层，所述第一组金属层形成为没有手指通孔; 利用大于第一设计规则的第二设计规则，在第一组金属层上形成包括第一手指，第二手指和手指通孔的第二组金属层; 并且互连所述第一组金属层，包括互连与第二簇相邻的第一簇，以形成电容器。

公开(公告)号：US08138051B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12488451

申请日：2009-06-19

申请人： Yemin Dong ,  Purakh Raj Verma ,  Xin Zou ,  Chao Cheng ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Yemin Dong ,  Purakh Raj Verma ,  Xin Zou ,  Chao Cheng ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/119 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4238

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit system includes: providing a semiconductor substrate having an active region, implanted with impurities of a first type at a first concentration; forming an isolation region around the active region; forming a parasitic transistor by applying a gate electrode, implanted with impurities of a second type at a second concentration, over the active region and the isolation region; and applying an isolation edge implant, with the impurities of the first type at a third concentration greater than or equal to the second concentration, for suppressing the parasitic transistor.

摘要翻译： 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有活性区域的半导体衬底，以第一浓度注入第一类型的杂质; 在活性区周围形成隔离区; 通过在有源区域和隔离区域上施加注入第二种类型的杂质的第二种浓度的栅电极来形成寄生晶体管; 以及施加隔离边缘注入，其中第一类型的杂质具有大于或等于第二浓度的第三浓度，用于抑制寄生晶体管。

公开(公告)号：US20120007214A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13236295

申请日：2011-09-19

申请人： Shao-fu Sanford Chu ,  Shaoqiang Zhang ,  Johnny Kok Wai Chew

发明人： Shao-fu Sanford Chu ,  Shaoqiang Zhang ,  Johnny Kok Wai Chew

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit system includes: providing a substrate including front-end-of-line circuitry; forming a first group of metal layers including a first finger and a second finger over the substrate utilizing a first design rule, the first group of metal layers being formed without a finger via; forming a second group of metal layers including a first finger, a second finger, and a finger via over the first group of metal layers utilizing a second design rule that is larger than the first design rule; and interconnecting the first group of metal layers, including interconnecting a first cluster adjacent to a second cluster, to form a capacitor.

摘要翻译： 一种制造集成电路系统的方法包括：提供包括前端电路的基板; 利用第一设计规则在所述衬底上形成包括第一手指和第二手指的第一组金属层，所述第一组金属层形成为没有手指通孔; 利用大于第一设计规则的第二设计规则，在第一组金属层上形成包括第一手指，第二手指和手指通孔的第二组金属层; 并且互连所述第一组金属层，包括互连与第二簇相邻的第一簇，以形成电容器。

公开(公告)号：US20100320529A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12488451

申请日：2009-06-19

申请人： Yemin Dong ,  Purakh Raj Verma ,  Xin Zou ,  Chao Cheng ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Yemin Dong ,  Purakh Raj Verma ,  Xin Zou ,  Chao Cheng ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4238

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit system includes: providing a semiconductor substrate having an active region, implanted with impurities of a first type at a first concentration; forming an isolation region around the active region; forming a parasitic transistor by applying a gate electrode, implanted with impurities of a second type at a second concentration, over the active region and the isolation region; and applying an isolation edge implant, with the impurities of the first type at a third concentration greater than or equal to the second concentration, for suppressing the parasitic transistor.

摘要翻译： 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有活性区域的半导体衬底，以第一浓度注入第一类型的杂质; 在活性区周围形成隔离区; 通过在有源区域和隔离区域上施加注入第二种类型的杂质的第二种浓度的栅电极来形成寄生晶体管; 以及施加隔离边缘注入，其中第一类型的杂质具有大于或等于第二浓度的第三浓度，用于抑制寄生晶体管。

公开(公告)号：US06972237B2

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US10725670

申请日：2003-12-01

申请人： Purakh Raj Verma ,  Shao-fu Sanford Chu ,  Lap Chan ,  Jia Zhen Zheng ,  Jian Xun Li

发明人： Purakh Raj Verma ,  Shao-fu Sanford Chu ,  Lap Chan ,  Jia Zhen Zheng ,  Jian Xun Li

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/737

摘要： A method for manufacturing a heterojunction bipolar transistor is provided. An intrinsic collector structure is formed on a substrate. An extrinsic base structure partially overlaps the intrinsic collector structure. An intrinsic base structure is formed adjacent the intrinsic collector structure and under the extrinsic base structure. An emitter structure is formed adjacent the intrinsic base structure. An extrinsic collector structure is formed adjacent the intrinsic collector structure. A plurality of contacts is formed through an interlevel dielectric layer to the extrinsic collector structure, the extrinsic base structure, and the emitter structure.

公开(公告)号：US07951680B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12262120

申请日：2008-10-30

申请人： Guowei Zhang ,  Yisuo Li ,  Ming Li ,  Purakh Raj Verma ,  Shao-fu Sanford Chu

发明人： Guowei Zhang ,  Yisuo Li ,  Ming Li ,  Purakh Raj Verma ,  Shao-fu Sanford Chu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit system that includes: providing a substrate including an active device; forming a drift region in the substrate, the drift region bounded in part by a top surface of the substrate and spaced apart from a source; and forming a drain above the drift region.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路系统的方法，包括：提供包括有源器件的衬底; 在所述衬底中形成漂移区域，所述漂移区域部分地由所述衬底的顶表面限定并与源极隔开; 并在漂移区上方形成漏极。

公开(公告)号：US20090294904A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12132342

申请日：2008-06-03

申请人： Shaoqing Zhang ,  Fan Zhang ,  Shao-fu Sanford Chu ,  Bei Chao Zhang

发明人： Shaoqing Zhang ,  Fan Zhang ,  Shao-fu Sanford Chu ,  Bei Chao Zhang

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a substrate including front-end-of-line circuitry; forming a first metallization layer over the substrate and electrically connected to the substrate; forming a viabar or a via group over the first metallization layer; and forming a second metallization layer over the first metallization layer and electrically connected to the first metallization layer through either the viabar or the via group.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供包括前端电路的基板; 在所述衬底上形成第一金属化层并电连接到所述衬底; 在所述第一金属化层上形成viabar或通孔基团; 以及在所述第一金属化层上形成第二金属化层，并且通过所述viabar或通孔基团电连接到所述第一金属化层。