公开(公告)号：US09711395B2

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：US14810621

申请日：2015-07-28

申请人： Jong-Su Kim ,  Dong-Woon Park ,  Tae-Hoi Park ,  Yong-Kug Bae ,  Tae-Hwan Oh ,  Chang-Hoon Lee ,  Boo-Hyun Ham

发明人： Jong-Su Kim ,  Dong-Woon Park ,  Tae-Hoi Park ,  Yong-Kug Bae ,  Tae-Hwan Oh ,  Chang-Hoon Lee ,  Boo-Hyun Ham

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/311 ,  H01L27/02 ,  G03F7/20 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76816 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207

摘要： In a method of fabricating a semiconductor device, a substrate including a circuit area and an overlay mark area is provided. Conductive gate patterns are formed on the substrate in the circuit area such that the overlay mark area is free of the gate patterns, and conductive contact patterns are formed on the substrate between the gate patterns in the circuit area. A mirror pattern is formed on the substrate in the overlay mark area, where the mirror pattern and the contact patterns comprising a same reflective material. Related semiconductor devices, overlay marks, and fabrication methods are also discussed.

公开(公告)号：US20160035617A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14810621

申请日：2015-07-28

申请人： Jong-Su Kim ,  Dong-Woon Park ,  Tae-Hoi Park ,  Yong-Kug Bae ,  Tae-Hwan Oh ,  Chang-Hoon Lee ,  Boo-Hyun Ham

发明人： Jong-Su Kim ,  Dong-Woon Park ,  Tae-Hoi Park ,  Yong-Kug Bae ,  Tae-Hwan Oh ,  Chang-Hoon Lee ,  Boo-Hyun Ham

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/76816 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207

摘要： In a method of fabricating a semiconductor device, a substrate including a circuit area and an overlay mark area is provided. Conductive gate patterns are formed on the substrate in the circuit area such that the overlay mark area is free of the gate patterns, and conductive contact patterns are formed on the substrate between the gate patterns in the circuit area. A mirror pattern is formed on the substrate in the overlay mark area, where the mirror pattern and the contact patterns comprising a same reflective material. Related semiconductor devices, overlay marks, and fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，提供了包括电路区域和覆盖标记区域的衬底。 在电路区域中的基板上形成导电栅极图案，使得覆盖标记区域没有栅极图案，并且在基板上在电路区域中的栅极图案之间形成导电接触图案。 在覆盖标记区域中的基板上形成反射镜图案，其中反射镜图案和接触图案包括相同的反射材料。 还讨论了相关半导体器件，覆盖标记和制造方法。

公开(公告)号：US08323876B1

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12818408

申请日：2010-06-18

申请人： Tae-Hwan Oh

发明人： Tae-Hwan Oh

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： Provided are a semiconductor structure and a method of fabricating a semiconductor device. The method includes: preparing a substrate or an etch-target layer which is to be patterned; forming a first anti-reflective coating, which contains silsesquioxane resin and a cross-linking catalyst, on the substrate or the etch-target layer; forming an anti-penetration film and a second anti-reflective coating by causing a cross-linking reaction in a region of the first anti-reflective coating; and forming a photoresist pattern on the anti-penetration film.

摘要翻译： 提供半导体结构和制造半导体器件的方法。 该方法包括：制备待图案化的衬底或蚀刻目标层; 在衬底或蚀刻靶层上形成含有倍半硅氧烷树脂和交联催化剂的第一抗反射涂层; 通过在第一抗反射涂层的区域中引起交联反应形成抗渗透膜和第二抗反射涂层; 并在抗渗透膜上形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20060290427A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11429772

申请日：2006-05-08

申请人： Tae-Hwan Oh

发明人： Tae-Hwan Oh

IPC分类号： H03F3/45

CPC分类号： H03F3/45183 ,  H03F3/3022 ,  H03F2200/513 ,  H03F2203/45562 ,  H03F2203/45566

摘要： An operational amplifier includes a differential amplifier for amplifying differential input signals to generate differential amplified signals. The operational amplifier also includes first and second single-ended amplifiers that each amplify the differential amplified signals to respectively generate first and second single-ended output signals that are differential with respect to each-other.

摘要翻译： 运算放大器包括用于放大差分输入信号以产生差分放大信号的差分放大器。 运算放大器还包括第一和第二单端放大器，其每个放大差分放大信号以分别产生相对于另一个差分的第一和第二单端输出信号。

公开(公告)号：US07449951B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11429772

申请日：2006-05-08

申请人： Tae-Hwan Oh

发明人： Tae-Hwan Oh

IPC分类号： H03F3/30

CPC分类号： H03F3/45183 ,  H03F3/3022 ,  H03F2200/513 ,  H03F2203/45562 ,  H03F2203/45566

摘要： An operational amplifier includes a differential amplifier for amplifying differential input signals to generate differential amplified signals. The operational amplifier also includes first and second single-ended amplifiers that each amplify the differential amplified signals to respectively generate first and second single-ended output signals that are differential with respect to each-other.

摘要翻译： 运算放大器包括用于放大差分输入信号以产生差分放大信号的差分放大器。 运算放大器还包括第一和第二单端放大器，其每个放大差分放大信号以分别产生相对于另一个差分的第一和第二单端输出信号。

公开(公告)号：US06936402B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10784806

申请日：2004-02-24

申请人： Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh ,  Jae-Hak Choi ,  Jae-Jun Lee

发明人： Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh ,  Jae-Hak Choi ,  Jae-Jun Lee

IPC分类号： C07D313/06 ,  C08F24/00 ,  G03C1/73 ,  G03C1/76 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： C07D313/06 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167

摘要： Disclosed herein is a novel norbornene, acrylate or methacrylate monomer as a photoresist monomer containing an oxepan-2-one group. Further disclosed are photoresist compositions comprising a polymer prepared from the monomer, methods for preparing the photoresist compositions, and methods for forming photoresist patterns using the photoresist compositions.

摘要翻译： 本文公开了一种新颖的降冰片烯，丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体作为含有氧杂环庚烷-2-酮基团的光致抗蚀剂单体。 还公开了包含由单体制备的聚合物，制备光致抗蚀剂组合物的方法，以及使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂图案的方法的光致抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20070141511A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11638590

申请日：2006-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10S430/146

摘要： A photoresist composition includes a cyclic compound, a photoacid generator, and an organic solvent. The cyclic compound includes any one selected from the group consisting of moieties having chemical structures represented by the formulae (1), (2), (3) and (4) set forth herein, and at least one moiety having the chemical structure represented by the formula (9) set forth herein.

摘要翻译： 光致抗蚀剂组合物包括环状化合物，光酸产生剂和有机溶剂。 环状化合物包括选自本文所述的由式（1），（2），（3）和（4）表示的化学结构的部分中的任何一种，以及至少一个具有由 本文所述的式（9）。

公开(公告)号：US07670748B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11638590

申请日：2006-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jin-Baek Kim ,  Tae-Hwan Oh

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10S430/146

摘要： A photoresist composition includes a cyclic compound, a photoacid generator, and an organic solvent. The cyclic compound includes any one selected from the group consisting of moieties having chemical structures represented by the formulae (1), (2), (3) and (4) set forth herein, and at least one moiety having the chemical structure represented by the formula (9) set forth herein.

摘要翻译： 光致抗蚀剂组合物包括环状化合物，光酸产生剂和有机溶剂。 环状化合物包括选自本文所述的由式（1），（2），（3）和（4）表示的化学结构的部分中的任何一种，以及至少一个具有由 本文所述的式（9）。

公开(公告)号：US20050233140A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10516235

申请日：2003-03-11

申请人： Tae-Hwan Oh ,  Jung-Hun Hyun ,  Byeong-Il Kim ,  Jin-Soo Ham

发明人： Tae-Hwan Oh ,  Jung-Hun Hyun ,  Byeong-Il Kim ,  Jin-Soo Ham

IPC分类号： D01F6/04 ,  D01F8/14 ,  D02G1/02 ,  D02J1/22 ,  D01D5/30 ,  D01D5/32 ,  D02G3/00

CPC分类号： D01F8/14 ,  D02G1/0213 ,  D02G1/022 ,  D02G1/0266 ,  D02J1/22 ,  Y10T428/2913 ,  Y10T428/2929 ,  Y10T428/2931

摘要： Disclosed is a polytrimethylene terephtalate conjugate fiber having high self-crimpability, which is prepared by conjugate-spinning two types of polytrimethylene terephtalates having different intrinsic viscosities in which a difference between the intrinsic viscosities ranges from 0.05 to 0.15 into a side-by-side fiber. Also, the polytrimethylene terephtalate conjugate fiber prepared by the conjugate-spinning undergoes a false twisting process, leading to development of three-dimensional high self crimpability and sufficient bulky property in the resulting fiber.

摘要翻译： 公开了具有高自卷曲性的聚三亚甲基对苯二甲酸酯共轭纤维，其通过将具有不同特性粘度的两种类型的特性粘度差异为0.05至0.15的两种聚对苯二甲酸乙二醇酯共轭纺丝制备成并排纤维 。 此外，通过共轭纺丝制备的聚对苯二甲酸丙二酯共轭纤维经历假捻加工，导致在所得纤维中三维高自卷曲性和足够的膨松性质的发展。