公开(公告)号：US20130328055A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13724007

申请日：2012-12-21

申请人： Jumpei TAJIMA ,  Kotaro Zaima ,  Shigeya Kimura ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Satoshi Mitsugi ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Jumpei TAJIMA ,  Kotaro Zaima ,  Shigeya Kimura ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Satoshi Mitsugi ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes first and second electrodes, first, second and third semiconductor layers, and a light emitting layer. The first semiconductor layer of a first conductivity type is provided on the first electrode. The light emitting layer is provided on the first semiconductor layer. The second semiconductor layer of a second conductivity type is provided on the light emitting layer. The third semiconductor layer with low impurity concentration is provided on a part of the second semiconductor layer. The second electrode includes a pad section and a narrow wire section. The pad section is provided on the third semiconductor layer. The narrow wire section extends out from the pad section and includes an extending portion extending along a plane perpendicular to a stacking direction. The narrow wire section is in contact with the second semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二电极，第一，第二和第三半导体层以及发光层。 第一导电类型的第一半导体层设置在第一电极上。 发光层设置在第一半导体层上。 第二导电类型的第二半导体层设置在发光层上。 具有低杂质浓度的第三半导体层设置在第二半导体层的一部分上。 第二电极包括焊盘部分和窄线部分。 焊盘部设置在第三半导体层上。 窄线部分从焊盘部分延伸出并且包括沿垂直于堆叠方向的平面延伸的延伸部分。 窄线部分与第二半导体层接触。

公开(公告)号：US08816367B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13727147

申请日：2012-12-26

申请人： Jumpei Tajima ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Shigeya Kimura ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Jumpei Tajima ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Shigeya Kimura ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes first and second electrodes, first and second semiconductor layers and a light emitting layer. The first electrode includes a first region, a second region, and a third region provided between them. The first semiconductor layer includes a first portion on the first region and a second portion on the second region. The light emitting layer includes a third portion on the first portion and a fourth portion on the second portion. The second semiconductor layer includes a fifth portion on the third portion and a sixth portion on the fourth portion. The insulating layer is provided between the first and second portions on the third region and between the third and fourth portions. The second electrode includes a seventh portion provided on the insulating layer, eighth and ninth portions contacting side surfaces of the fifth and sixth portions.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二电极，第一和第二半导体层以及发光层。 第一电极包括第一区域，第二区域和设置在它们之间的第三区域。 第一半导体层包括第一区域上的第一部分和第二区域上的第二部分。 发光层包括第一部分上的第三部分和第二部分上的第四部分。 第二半导体层包括第三部分上的第五部分和第四部分上的第六部分。 绝缘层设置在第三区域上的第一和第二部分之间以及第三和第四部分之间。 第二电极包括设置在绝缘层上的第七部分，与第五和第六部分的侧表面接触的第八和第九部分。

公开(公告)号：US20130328075A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13727147

申请日：2012-12-26

申请人： Jumpei Tajima ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Shigeya Kimura ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Jumpei Tajima ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Shinji Yamada ,  Shigeya Kimura ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes first and second electrodes, first and second semiconductor layers and a light emitting layer. The first electrode includes a first region, a second region, and a third region provided between them. The first semiconductor layer includes a first portion on the first region and a second portion on the second region. The light emitting layer includes a third portion on the first portion and a fourth portion on the second portion. The second semiconductor layer includes a fifth portion on the third portion and a sixth portion on the fourth portion. The insulating layer is provided between the first and second portions on the third region and between the third and fourth portions. The second electrode includes a seventh portion provided on the insulating layer, eighth and ninth portions contacting side surfaces of the fifth and sixth portions.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二电极，第一和第二半导体层以及发光层。 第一电极包括第一区域，第二区域和设置在它们之间的第三区域。 第一半导体层包括第一区域上的第一部分和第二区域上的第二部分。 发光层包括第一部分上的第三部分和第二部分上的第四部分。 第二半导体层包括第三部分上的第五部分和第四部分上的第六部分。 绝缘层设置在第三区域上的第一和第二部分之间以及第三和第四部分之间。 第二电极包括设置在绝缘层上的第七部分，与第五和第六部分的侧表面接触的第八和第九部分。

公开(公告)号：US20130244360A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13601231

申请日：2012-08-31

申请人： Taisuke SATO ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Taisuke SATO ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24

摘要： According to one embodiment, a method is disclosed for manufacturing a semiconductor light emitting element. The method can include bonding a stacked main body of a structural body to a substrate main body. The structural body includes a growth substrate and the stacked main body provided on the growth substrate. The stacked main body includes a first nitride semiconductor film, a light emitting film provided on the first nitride semiconductor film, and a second nitride semiconductor film provided on the light emitting film. The method can include removing the growth substrate. The method can include forming a plurality of stacked bodies. The method can include forming an uneven portion in a surface of a first nitride semiconductor layer. The method can include forming a plurality of the semiconductor light emitting elements.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。 该方法可以包括将结构体的层叠主体接合到基板主体。 结构体包括生长衬底和设置在生长衬底上的层叠主体。 堆叠主体包括第一氮化物半导体膜，设置在第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在发光膜上的第二氮化物半导体膜。 该方法可以包括去除生长底物。 该方法可以包括形成多个堆叠体。 该方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成不均匀部分。 该方法可以包括形成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：US09040322B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13601231

申请日：2012-08-31

申请人： Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

发明人： Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Naoharu Sugiyama ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24

摘要： According to one embodiment, a method is disclosed for manufacturing a semiconductor light emitting element. The method can include bonding a stacked main body of a structural body to a substrate main body. The structural body includes a growth substrate and the stacked main body provided on the growth substrate. The stacked main body includes a first nitride semiconductor film, a light emitting film provided on the first nitride semiconductor film, and a second nitride semiconductor film provided on the light emitting film. The method can include removing the growth substrate. The method can include forming a plurality of stacked bodies. The method can include forming an uneven portion in a surface of a first nitride semiconductor layer. The method can include forming a plurality of the semiconductor light emitting elements.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。 该方法可以包括将结构体的层叠主体接合到基板主体。 结构体包括生长衬底和设置在生长衬底上的层叠主体。 堆叠主体包括第一氮化物半导体膜，设置在第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在发光膜上的第二氮化物半导体膜。 该方法可以包括去除生长底物。 该方法可以包括形成多个堆叠体。 该方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成不均匀部分。 该方法可以包括形成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：US08598605B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13601454

申请日：2012-08-31

申请人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

发明人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes: a first conductivity type first semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in a (0001) surface; a second conductivity type second semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in the (0001) surface; a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, containing a nitride semiconductor crystal, and having an average lattice constant larger than the lattice constant of the first semiconductor layer; and a first stress application layer provided on a side opposite to the light emitting layer of the first semiconductor layer and applying a compressive stress to the first semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括：包含氮化物半导体晶体并且在（0001）表面中具有拉伸应力的第一导电类型的第一半导体层; 含有氮化物半导体晶体并在（0001）表面具有拉伸应力的第二导电类型的第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的包含氮化物半导体晶体并且具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数的发光层; 以及第一应力施加层，其设置在与所述第一半导体层的所述发光层相对的一侧上，并向所述第一半导体层施加压缩应力。

公开(公告)号：US20130234106A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13601454

申请日：2012-08-31

申请人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

发明人： Naoharu Sugiyama ,  Taisuke Sato ,  Kotaro Zaima ,  Jumpei Tajima ,  Toshiki Hikosaka ,  Yoshiyuki Harada ,  Hisashi Yoshida ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes: a first conductivity type first semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in a (0001) surface; a second conductivity type second semiconductor layer containing a nitride semiconductor crystal and having a tensile stress in the (0001) surface; a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, containing a nitride semiconductor crystal, and having an average lattice constant larger than the lattice constant of the first semiconductor layer; and a first stress application layer provided on a side opposite to the light emitting layer of the first semiconductor layer and applying a compressive stress to the first semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括：包含氮化物半导体晶体并且在（0001）表面中具有拉伸应力的第一导电类型的第一半导体层; 含有氮化物半导体晶体并在（0001）表面具有拉伸应力的第二导电类型的第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的包含氮化物半导体晶体并且具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数的发光层; 以及第一应力施加层，其设置在与所述第一半导体层的所述发光层相对的一侧上，并向所述第一半导体层施加压缩应力。

公开(公告)号：US20120217524A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13206649

申请日：2011-08-10

申请人： Taisuke Sato ,  Shigeya Kimura ,  Kotaro Zaima ,  Koichi Tachibana ,  Shinya Nunoue

发明人： Taisuke Sato ,  Shigeya Kimura ,  Kotaro Zaima ,  Koichi Tachibana ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-side electrode and an n-side electrode. The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor and has a first major surface. The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor and has a second major surface. The light emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on the first major surface. The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the second major surface. The n-side electrode is provided outside and around the p-side electrode in a plan view along a direction from the p-type semiconductor layer to the n-type semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括p型半导体层，n型半导体层，发光层，p侧电极和n侧电极。 p型半导体层包括氮化物半导体，并且具有第一主表面。 n型半导体层包括氮化物半导体，并具有第二主表面。 发光层设置在n型半导体层和p型半导体层之间。 p侧电极与第一主表面上的p型半导体层的一部分接触。 n侧电极与第二主表面上的n型半导体层的一部分接触。 n侧电极沿着从p型半导体层到n型半导体层的方向的平面图设置在p侧电极的外侧和周围。

公开(公告)号：US08766311B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13206649

申请日：2011-08-10

申请人： Taisuke Sato ,  Shigeya Kimura ,  Kotaro Zaima ,  Koichi Tachibana ,  Shinya Nunoue

发明人： Taisuke Sato ,  Shigeya Kimura ,  Kotaro Zaima ,  Koichi Tachibana ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-side electrode and an n-side electrode. The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor and has a first major surface. The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor and has a second major surface. The light emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on the first major surface. The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the second major surface. The n-side electrode is provided outside and around the p-side electrode in a plan view along a direction from the p-type semiconductor layer to the n-type semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括p型半导体层，n型半导体层，发光层，p侧电极和n侧电极。 p型半导体层包括氮化物半导体，并且具有第一主表面。 n型半导体层包括氮化物半导体，并具有第二主表面。 发光层设置在n型半导体层和p型半导体层之间。 p侧电极与第一主表面上的p型半导体层的一部分接触。 n侧电极与第二主表面上的n型半导体层的一部分接触。 n侧电极沿着从p型半导体层到n型半导体层的方向的平面图设置在p侧电极的外侧和周围。

公开(公告)号：US09006013B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13405634

申请日：2012-02-27

申请人： Toru Gotoda ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Hajime Nago

发明人： Toru Gotoda ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue ,  Kotaro Zaima ,  Hiroshi Ono ,  Hajime Nago

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/2011 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341

摘要： According to one embodiment, a method is disclosed for manufacturing a semiconductor light emitting device. The method can include forming a nitride semiconductor layer including a light emitting layer on a first substrate having an unevenness, bonding the nitride layer to a second substrate, and separating the first substrate from the nitride layer by irradiating the nitride layer with light. The forming the nitride layer includes leaving a cavity in a space inside a depression of the unevenness while forming a thin film on the depression. The film includes a same material as part of the nitride layer. The separating includes causing the film to absorb part of the light so that intensity of the light applied to a portion of the nitride layer facing the depression is made lower than intensity of the light applied to a portion facing a protrusion of the unevenness.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光器件的方法。 该方法可以包括在具有不平坦度的第一衬底上形成包括发光层的氮化物半导体层，将氮化物层接合到第二衬底，并且通过用光照射氮化物层将第一衬底与氮化物层分离。 形成氮化物层包括在凹凸的凹陷内的空间中留下空腔，同时在凹陷上形成薄膜。 该膜包括与氮化物层的一部分相同的材料。 分离包括使膜吸收部分光，使得施加到面向凹陷的氮化物层的一部分的光的强度低于施加到面对凹凸的突出部的部分的光的强度。