公开(公告)号：US07928017B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12076314

申请日：2008-03-17

申请人： Jun-youn Kim ,  Joong S. Jeong ,  Eun-ju Bae

发明人： Jun-youn Kim ,  Joong S. Jeong ,  Eun-ju Bae

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/161 ,  Y10S438/933 ,  Y10S977/747 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

摘要： A method of forming a nanowire and a semiconductor device comprising the nanowire are provided. The method of forming a nanowire includes forming a patterned SiyGe1-y layer (where, y is a real number that satisfies 0≦y

摘要翻译： 提供了形成纳米线的方法和包括纳米线的半导体器件。 形成纳米线的方法包括在基底层上形成图案化的Si y Ga 1- y层（其中，y是满足0＆lt; nlE; y <1的实数），以及在第一氧化物内形成第一氧化物层和至少一个纳米线 通过对图案化的SiyGe1-y层进行第一氧化处理。

公开(公告)号：US20090081854A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US12076314

申请日：2008-03-17

申请人： Jun-youn Kim ,  Joong S. Jeong ,  Eun-ju Bae

发明人： Jun-youn Kim ,  Joong S. Jeong ,  Eun-ju Bae

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/161 ,  Y10S438/933 ,  Y10S977/747 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

摘要： A method of forming a nanowire and a semiconductor device comprising the nanowire are provided. The method of forming a nanowire includes forming a patterned SiyGe1-y layer (where, y is a real number that satisfies 0≦y

摘要翻译： 提供了形成纳米线的方法和包括纳米线的半导体器件。 形成纳米线的方法包括在基底层上形成图案化的SiyGe1-y层（其中，y是满足0 <= y <1的实数），并且在第一层中形成第一氧化物层和至少一个纳米线 在图案化的SiyGe1-y层上进行第一氧化处理。

公开(公告)号：US07767140B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11485097

申请日：2006-07-12

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

IPC分类号： C22C18/00

CPC分类号： C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/811

摘要： A method for manufacturing ZnO nanowires with a small diameter and increased length and a device comprising the same. The manufacturing method includes: forming a ZnO seed layer containing a hydroxyl group on a substrate; and growing ZnO nanowires on the ZnO seed layer containing the hydroxyl group. Preferably, the ZnO seed layer is a thin ZnO seed layer containing more than 50% of the hydroxyl group.

摘要翻译： 一种制造具有小直径和增加长度的ZnO纳米线的方法和包括该ZnO纳米线的装置。 制造方法包括：在基板上形成含有羟基的ZnO种子层; 并在含有羟基的ZnO籽晶层上生长ZnO纳米线。 优选地，ZnO籽晶层是含有超过50％羟基的薄ZnO晶种层。

公开(公告)号：US20070154385A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11485097

申请日：2006-07-12

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

IPC分类号： C01G9/02

CPC分类号： C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/811

摘要： A method for manufacturing ZnO nanowires with a small diameter and increased length and a device comprising the same. The manufacturing method includes: forming a ZnO seed layer containing a hydroxyl group on a substrate; and growing ZnO nanowires on the ZnO seed layer containing the hydroxyl group. Preferably, the ZnO seed layer is a thin ZnO seed layer containing more than 50% of the hydroxyl group.

摘要翻译： 一种制造具有小直径和增加长度的ZnO纳米线的方法和包括该ZnO纳米线的装置。 制造方法包括：在基板上形成含有羟基的ZnO种子层; 并在含有羟基的ZnO籽晶层上生长ZnO纳米线。 优选地，ZnO籽晶层是含有超过50％羟基的薄ZnO晶种层。

公开(公告)号：US07005391B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10464860

申请日：2003-06-19

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

摘要： A method of manufacturing an inorganic nanotube using a carbon nanotube (CNT) as a template, includes preparing a template on which a CNT or a CNT array is formed, forming an inorganic thin film on the CNT by depositing an inorganic material on the template using atomic layer deposition (ALD), and removing the CNT to obtain an inorganic nanotube or an inorganic nanotube array, respectively.

摘要翻译： 使用碳纳米管（CNT）作为模板制造无机纳米管的方法包括制备在其上形成CNT或CNT阵列的模板，通过在模板上沉积无机材料在CNT上形成无机薄膜，使用 原子层沉积（ALD），并分别去除CNT以获得无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：US08294348B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12003134

申请日：2007-12-20

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J19/06

CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04

摘要： Provided are a field emission electrode, a method of manufacturing the field emission electrode, and a field emission device including the field emission electrode. The field emission electrode may include a substrate, carbon nanotubes formed on the substrate, and a conductive layer formed on at least a portion of the surface of the substrate. Conductive nanoparticles may be attached to the external walls of the carbon nanotubes.

摘要翻译： 提供场致发射电极，制造场发射电极的方法和包括场发射电极的场发射装置。 场发射电极可以包括基板，形成在基板上的碳纳米管，以及形成在基板表面的至少一部分上的导电层。 导电纳米颗粒可以附着在碳纳米管的外壁上。

公开(公告)号：US20080121996A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11224313

申请日：2005-09-13

申请人： Wan-jun Park ,  Byoung-ho Cheong ,  Eun-ju Bae ,  Hans Kosina ,  Mahdi Fourfath

发明人： Wan-jun Park ,  Byoung-ho Cheong ,  Eun-ju Bae ,  Hans Kosina ,  Mahdi Fourfath

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554

摘要： A transistor with a carbon nanotube channel and a method of manufacturing the same. At least two gate electrodes are formed on a gate insulating layer formed on a carbon nanotube channel and are insulated from each other. Thus, the minority carrier may be reduced or prevented from flowing into the carbon nanotube channel. Accordingly, it is possible to reduce or prevent a leakage current that is generated when both the majority carrier and the minority carrier flow into the carbon nanotube channel. Therefore, characteristics of the transistor may not be degraded due to the leakage current.

摘要翻译： 具有碳纳米管通道的晶体管及其制造方法。 在形成在碳纳米管通道上的栅极绝缘层上形成至少两个栅电极并彼此绝缘。 因此，可以减少或阻止少数载体流入碳纳米管通道。 因此，可以减少或防止当多数载流子和少数载流子流入碳纳米管通道时产生的漏电流。 因此，由于漏电流，晶体管的特性不会降低。

公开(公告)号：US07247897B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US11258037

申请日：2005-10-26

申请人： Won-bong Choi ,  Eun-ju Bae ,  Hideki Horii

发明人： Won-bong Choi ,  Eun-ju Bae ,  Hideki Horii

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/84 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28562 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/16 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/75 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of forming a conductive line for a semiconductor device using a carbon nanotube and a semiconductor device manufactured using the method, the method includes activating a surface of an electrode of the semiconductor device using surface pretreatment to create an activated surface of the electrode, forming an insulating layer on the activated surface of the electrode, and forming a contact hole through the insulating layer to expose a portion of the activated surface of the electrode, and supplying a carbon-containing gas onto the activated surface of the electrode through the contact hole to grow a carbon nanotube, which forms the conductive line, on the activated surface of the electrode. Alternatively, the activation step of the surface of the electrode may be replaced with a formation of a catalytic metal layer on the surface of the electrode.

摘要翻译： 在使用碳纳米管制造的半导体器件的导线形成方法和使用该方法制造的半导体器件的方法中，该方法包括使用表面预处理来激活半导体器件的电极的表面以产生电极的活化表面， 在所述电极的活化表面上形成绝缘层，以及通过所述绝缘层形成接触孔以暴露所述电极的活化表面的一部分，并且通过所述触点将含碳气体供应到所述电极的活化表面上 孔，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。 或者，可以在电极的表面上形成催化金属层来代替电极表面的活化步骤。

公开(公告)号：US20050202684A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10464860

申请日：2003-06-19

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  C01G55/00 ,  C23C14/14 ,  C23C16/01 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C30B25/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

摘要： A method of manufacturing an inorganic nanotube using a carbon nanotube (CNT) as a template, includes preparing a template on which a CNT or a CNT array is formed, forming an inorganic thin film on the CNT by depositing an inorganic material on the template using atomic layer deposition (ALD), and removing the CNT to obtain an inorganic nanotube or an inorganic nanotube array, respectively.

摘要翻译： 使用碳纳米管（CNT）作为模板制造无机纳米管的方法包括制备在其上形成CNT或CNT阵列的模板，通过在模板上沉积无机材料在CNT上形成无机薄膜，使用 原子层沉积（ALD），并分别去除CNT以获得无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：US20120003895A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13137743

申请日：2011-09-09

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01J9/12 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04

摘要： Provided are a field emission electrode, a method of manufacturing the field emission electrode, and a field emission device including the field emission electrode. The field emission electrode may include a substrate, carbon nanotubes formed on the substrate, and a conductive layer formed on at least a portion of the surface of the substrate. Conductive nanoparticles may be attached to the external walls of the carbon nanotubes.