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    Deposition of tungsten nitride
    1.
    发明授权
    Deposition of tungsten nitride 有权
    沉积氮化钨

    公开(公告)号：US07005372B2

    公开(公告)日：2006-02-28

    申请号：US10690492

    申请日：2003-10-20

    申请人： Karl B. Levy ,  Junghwan Sung ,  Kaihan A. Ashtiani ,  James A. Fair ,  Joshua Collins ,  Juwen Gao

    发明人： Karl B. Levy ,  Junghwan Sung ,  Kaihan A. Ashtiani ,  James A. Fair ,  Joshua Collins ,  Juwen Gao

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： C23C16/4554 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

    摘要： Methods for depositing a tungsten nitride layer are described. The methods form a tungsten nitride layer using a carefully controlled deposition technique such as pulsed nucleation layer (PNL). Initially, a tungsten layer is formed on a substrate surface. The tungsten layer is then exposed to a nitriding agent to form a tungsten nitride layer. Methods of forming relatively thick layers of involve repeated cycles of contact with reducing agent, tungsten precursor and nitriding agent. In some cases, the cycle may also include contact with a dopant precursor such as phosphine or arsine.

    摘要翻译： 描述了用于沉积氮化钨层的方法。 该方法使用精心控制的沉积技术如脉冲成核层（PNL）形成氮化钨层。 最初，在衬底表面上形成钨层。 然后将钨层暴露于氮化剂以形成氮化钨层。 形成相对较厚层的方法涉及与还原剂钨前体和氮化剂接触的重复循环。 在一些情况下，该循环还可以包括与诸如膦或胂的掺杂剂前体接触。

    Deposition of tungsten nitride
    2.
    发明授权
    Deposition of tungsten nitride 有权
    沉积氮化钨

    公开(公告)号：US07691749B2

    公开(公告)日：2010-04-06

    申请号：US11305368

    申请日：2005-12-16

    申请人： Karl B. Levy ,  Junghwan Sung ,  Kaihan A. Ashtiani ,  James A. Fair ,  Joshua Collins ,  Juwen Gao

    发明人： Karl B. Levy ,  Junghwan Sung ,  Kaihan A. Ashtiani ,  James A. Fair ,  Joshua Collins ,  Juwen Gao

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/4554 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

    摘要： Methods for depositing a tungsten nitride layer are described. The methods form a tungsten nitride layer using a carefully controlled deposition technique such as pulsed nucleation layer (PNL). Initially, a tungsten layer is formed on a substrate surface. The tungsten layer is then exposed to a nitriding agent to form a tungsten nitride layer. Methods of forming relatively thick layers of involve repeated cycles of contact with reducing agent, tungsten precursor and nitriding agent. In some cases, the cycle may also include contact with a dopant precursor such as phosphine or arsine.

    摘要翻译： 描述了用于沉积氮化钨层的方法。 该方法使用精心控制的沉积技术如脉冲成核层（PNL）形成氮化钨层。 最初，在衬底表面上形成钨层。 然后将钨层暴露于氮化剂以形成氮化钨层。 形成相对较厚层的方法涉及与还原剂钨前体和氮化剂接触的重复循环。 在一些情况下，该循环还可以包括与诸如膦或胂的掺杂剂前体接触。

    Methods of forming tungsten nucleation layer
    8.
    发明授权
    Methods of forming tungsten nucleation layer 有权
    形成钨成核层的方法

    公开(公告)号：US06905543B1

    公开(公告)日：2005-06-14

    申请号：US10174628

    申请日：2002-06-19

    申请人： James A. Fair ,  Nerissa Taylor ,  Junghwan Sung

    发明人： James A. Fair ,  Nerissa Taylor ,  Junghwan Sung

    IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14

    CPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/45525

    摘要： The nucleation delay in the formation of a tungsten layer on a substrate is reduced or eliminated by alternative processes. In one process the substrate is exposed to atomic hydrogen before the tungsten nucleation layer is formed. In the other process the substrate is exposed to a boron hydride such as diborane (B2H6) before the nucleation layer is formed. The process works effectively to reduce or eliminate the tungsten nucleation delay on a variety of surfaces, including silicon, silicon dioxide, silicon nitride and titanium nitride.

    摘要翻译： 通过替代方法减少或消除了在基底上形成钨层的成核延迟。 在一个过程中，在形成钨成核层之前，将衬底暴露于原子氢。 在另一方法中，在形成成核层之前，将基底暴露于硼氢化物如乙硼烷（B 2 H 6 H 6）。 该工艺有效地减少或消除了各种表面上的钨成核延迟，包括硅，二氧化硅，氮化硅和氮化钛。