公开(公告)号：US09269573B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US12212688

申请日：2008-09-18

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a thin film transistor having an indium oxide-based semiconductor film which allows only a thin metal film on the semiconductor film to be selectively etched. A thin film transistor having a crystalline indium oxide semiconductor film which is composed mainly of indium oxide and contains a positive trivalent metal oxide.

摘要翻译： 为了提供一种薄膜晶体管，其具有仅允许选择性地蚀刻半导体膜上的薄金属膜的氧化铟基半导体膜。 一种薄膜晶体管，其具有主要由氧化铟组成并含有正三价金属氧化物的结晶铟氧化物半导体膜。

公开(公告)号：US08785920B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12598980

申请日：2008-04-23

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Katsunori Honda

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Katsunori Honda

IPC分类号： H01L29/10

摘要： An amorphous oxide thin film containing amorphous oxide is exposed to an oxygen plasma generated by exciting an oxygen-containing gas in high frequency. The oxygen plasma is preferably generated under the condition that applied frequency is 1 kHz or more and 300 MHz or less and pressure is 5 Pa or more. The amorphous oxide thin film is preferably exposed by a sputtering method, ion-plating method, vacuum deposition method, sol-gel method or fine particle application method.

公开(公告)号：US08773628B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13219814

申请日：2011-08-29

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masato Matsubara

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masato Matsubara

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53247 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are thin film transistor substrates, thin film transistor liquid crystal displays, thin film transistors, TFT substrates for liquid crystal displays, liquid crystal displays provided with TFT substrates and liquid crystals, pixel electrodes for driving a liquid crystals, and transparent electrodes, an processes for the preparation thereof.

摘要翻译： 本发明提供薄膜晶体管基板，薄膜晶体管液晶显示器，薄膜晶体管，液晶显示器用TFT基板，TFT基板和液晶的液晶显示器，驱动液晶的像素电极和透明电极， 用于制备。

公开(公告)号：US08623511B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12996598

申请日：2009-06-05

申请人： Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue

发明人： Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue

IPC分类号： B32B33/00

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

摘要： Disclosed is a sputtering target that can suppress the occurrence of anomalous discharge in the formation of an oxide semiconductor film by sputtering method and can continuously and stably form a film. Also disclosed is an oxide for a sputtering target that has a rare earth oxide C-type crystal structure and has a surface free from white spots (a poor appearance such as concaves and convexes formed on the surface of the sputtering target). Further disclosed is an oxide sintered compact that has a bixbyite structure and contains indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide. The composition amounts (atomic %) of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) fall within a composition range satisfying the following formula: In/(In+Ga+Zn)

摘要翻译： 公开了一种溅射靶，其可以通过溅射法抑制氧化物半导体膜形成中的异常放电的发生，并且可以连续且稳定地形成膜。 还公开了具有稀土氧化物C型晶体结构并具有没有白点的表面（在溅射靶的表面上形成的凹凸等差的外观）的溅射靶的氧化物。 进一步公开了具有双相结构并含有氧化铟，氧化镓和氧化锌的氧化物烧结体。 铟（In），镓（Ga）和锌（Zn）的成分量（原子％）落在满足下式的组成范围内：In /（In + Ga + Zn）<0.75。

公开(公告)号：US08461583B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US12810189

申请日：2008-12-19

申请人： Koki Yano ,  Hirokazu Kawashima ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami

发明人： Koki Yano ,  Hirokazu Kawashima ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/221

CPC分类号： H01L29/263 ,  C23C14/086 ,  H01L29/7869

摘要： A field effect transistor including a semiconductor layer including a composite oxide which contains In, Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids in the following atomic ratios (1) to (3): In/(In+Zn)=0.2 to 0.8  (1) In/(In+X)=0.29 to 0.99  (2) Zn/(X+Zn)=0.29 to 0.99  (3).

摘要翻译： 一种场效应晶体管，包括：包含复合氧化物的半导体层，所述复合氧化物含有选自Zr，Hf，Ge，Si，Ti，Mn，W，Mo，V，Cu中的In，Zn和一种或多种元素X， （1）〜（3）中的In /（In + Zn）= 0.2〜0.8（1）In /（In） + X）= 0.29〜0.99（2）Zn /（X + Zn）= 0.29〜0.99（3）。

公开(公告)号：US08445903B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13125577

申请日：2009-10-19

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a gate-insulating film, an oxide semiconductor film in contact with the gate-insulating film, and source and drain electrodes which connect to the oxide semiconductor film and are separated with a channel part therebetween, wherein the oxide semiconductor film comprises a crystalline indium oxide which includes hydrogen element, and the content of the hydrogen element contained in the oxide semiconductor film is 0.1 at % to 5 at % relative to all elements which form the oxide semiconductor film.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，栅极绝缘膜，与栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，以及连接到氧化物半导体膜并与其间的沟道部分分离的源极和漏极，其中 氧化物半导体膜包括包含氢元素的结晶铟氧化物，并且氧化物半导体膜中包含的氢元素的含量相对于形成氧化物半导体膜的所有元素为0.1at％至5at％。

公开(公告)号：US20120068130A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13303473

申请日：2011-11-23

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y02E10/50

摘要： A sputtering target including indium oxide and tin oxide, the content by percentage of the tin atoms therein being from 3 to 20 atomic % of the total of the indium atoms and the tin atoms, and the maximum grain size of indium oxide crystal in the sputtering target being 5 μm or less. When a transparent conductive film is formed by sputtering, this sputtering target makes it possible to suppress the generation of nodules on the surface of the target and to conduct the sputtering stably.

摘要翻译： 包括氧化铟和氧化锡的溅射靶，其中锡原子的含量百分比为铟原子和锡原子总数的3至20原子％，溅射中氧化铟晶体的最大晶粒尺寸 目标为5μm以下。 当通过溅射形成透明导电膜时，该溅射靶可以抑制靶的表面上的结节的产生并且稳定地进行溅射。

公开(公告)号：US08030195B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12839922

申请日：2010-07-20

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka, legal representative

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Nobuo Tanaka

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/50 ,  G02F2203/09 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45

摘要： An object of the invention is to provide a TFT substrate and a method for producing a TFT substrate which is capable of drastically reducing the production cost by decreasing the number of steps in the production process and improving production yield. A TFT substrate includes: a substrate; a gate electrode and a gate wire formed above the substrate; a gate insulating film formed above the gate electrode and the gate wire; a first oxide layer formed above the gate insulating film which is formed at least above the gate electrode; and a second oxide layer formed above the first oxide layer; wherein at least a pixel electrode is formed from the second oxide layer.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种TFT基板和TFT基板的制造方法，其能够通过减少制造工序中的工序数和提高生产率而大大降低生产成本。 TFT基板包括：基板; 栅电极和形成在衬底上方的栅极线; 形成在栅极电极和栅极线上方的栅极绝缘膜; 形成在所述栅绝缘膜上方的至少在所述栅电极上方的第一氧化物层; 以及形成在所述第一氧化物层上方的第二氧化物层; 其中至少一个像素电极由第二氧化物层形成。

公开(公告)号：US20100170696A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12065405

申请日：2006-08-30

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka ,  Akira Kaijo ,  Satoshi Umeno

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka ,  Akira Kaijo ,  Satoshi Umeno

IPC分类号： H01B5/00 ,  C23C14/34 ,  B22F3/12 ,  H01B13/00 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01B1/02 ,  C03C17/3644 ,  C03C2217/94 ,  C03C2218/33 ,  C03C2218/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B13/00 ,  Y10T428/24777

摘要： A sputtering target which is composed of a sintered body of an oxide which contains at least indium, tin, and zinc and includes a spinel structure compound of Zn2SnO4 and a bixbyite structure compound of In2O3. A sputtering target includes indium, tin, zinc, and oxygen with only a peak ascribed to a bixbyite structure compound being substantially observed by X-ray diffraction (XRD).

摘要翻译： 一种溅射靶，其由至少含有铟，锡和锌的氧化物的烧结体构成，并且包括Zn2SnO4的尖晶石结构化合物和In 2 O 3的菱沸石结构化合物。 溅射靶包括铟，锡，锌和氧，只有通过X射线衍射（XRD）基本观察到由比克比结构化合物引起的峰。

公开(公告)号：US20100163860A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12094228

申请日：2006-11-16

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  Y10S977/773

摘要： Disclosed is a semiconductor thin film which can be formed at a relatively low temperature even on a flexible resin substrate. Since the semiconductor thin film is stable to visible light and has high device characteristics such as transistor characteristics, in the case where the semiconductor thin film is used as a switching device for driving a display, even when overlapped with a pixel part, the luminance of a display panel does not deteriorate. Specifically, a transparent semiconductor thin film 40 is produced by forming an amorphous film containing zinc oxide and indium oxide and then oxidizing the film so that the resulting film has a carrier density of 10+17 cm−3 or less, a Hall mobility of 2 cm2/V·sec or higher, and an energy band gap of 2.4 EV or more.

摘要翻译： 公开了即使在柔性树脂基板上也可以在较低温度下形成的半导体薄膜。 由于半导体薄膜对于可见光是稳定的并且具有诸如晶体管特性的高的器件特性，所以在使用半导体薄膜作为用于驱动显示器的开关器件的情况下，即使与像素部分重叠， 显示面板不会劣化。 具体地，通过形成含有氧化锌和氧化铟的非晶体膜，然后氧化该膜，使得所得膜的载流子密度为10 + 17cm-3以下，霍尔迁移率为2，制造透明半导体薄膜40 cm2 / V·sec以上，能带隙为2.4EV以上。