公开(公告)号：US09546248B2

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：US13697282

申请日：2011-05-06

申请人： Kyu-Tae Park ,  Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Il-Hoon Cha ,  Se-Ho Lee

发明人： Kyu-Tae Park ,  Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Il-Hoon Cha ,  Se-Ho Lee

IPC分类号： C08G75/00 ,  C08G75/14 ,  C08G75/02 ,  C08L81/02

CPC分类号： C08G75/14 ,  C08G75/0204 ,  C08L81/02 ,  Y10T428/249921

摘要： The present invention relates to polyarylene sulfide, in which a ratio of a peak area of a polymer chain of a second polyarylene sulfide having a lower molecular weight than the maximum peak molecular weight to a peak area of a polymer chain of a first polyarylene sulfide having a higher molecular weight than the maximum peak molecular weight is 1.3 or less in the molecular weight distribution of the polyarylene sulfide, as measured by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard, and a preparation method thereof. This polyarylene sulfide exhibits excellent processability and generates no burrs (flashes) or the like, and can satisfactorily mold a product requiring high molding precision.

摘要翻译： 本发明涉及聚芳硫醚，其中具有比最大峰分子量低的分子量的第二聚芳硫醚的聚合物链的峰面积与具有第一聚亚芳基硫醚的聚合物链的峰面积的比率 通过使用聚苯乙烯作为标准物的凝胶渗透色谱法测定，聚亚芳基硫醚的分子量分布中的分子量比最大峰分子量高的分子量为1.3以下，及其制备方法。 该聚亚芳基硫醚显示出优异的加工性，不产生毛刺（闪光）等，能够令人满意地成型需要高成型精度的产品。

公开(公告)号：US20130115438A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13697282

申请日：2011-05-06

申请人： Kyu-Tae Park ,  Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Il-Hoon Cha ,  Se-Ho Lee

发明人： Kyu-Tae Park ,  Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Il-Hoon Cha ,  Se-Ho Lee

IPC分类号： C08G75/14

CPC分类号： C08G75/14 ,  C08G75/0204 ,  C08L81/02 ,  Y10T428/249921

摘要： The present invention relates to polyarylene sulfide, in which a ratio of a peak area of a polymer chain of a second polyarylene sulfide having a lower molecular weight than the maximum peak molecular weight to a peak area of a polymer chain of a first polyarylene sulfide having a higher molecular weight than the maximum peak molecular weight is 1.3 or less in the molecular weight distribution of the polyarylene sulfide, as measured by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard, and a preparation method thereof. This polyarylene sulfide exhibits excellent processability and generates no burrs (flashes) or the like, and can satisfactorily mold a product requiring high molding precision.

摘要翻译： 本发明涉及聚芳硫醚，其中具有比最大峰分子量低的分子量的第二聚芳硫醚的聚合物链的峰面积与具有第一聚亚芳基硫醚的聚合物链的峰面积的比率 通过使用聚苯乙烯作为标准物的凝胶渗透色谱法测定，聚亚芳基硫醚的分子量分布中的分子量比最大峰分子量高的分子量为1.3以下，及其制备方法。 该聚亚芳基硫醚显示出优异的加工性，不产生毛刺（闪光）等，能够令人满意地成型需要高成型精度的产品。

公开(公告)号：US09074048B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13582859

申请日：2011-03-08

申请人： Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Se-Ho Lee

发明人： Sung-Gi Kim ,  Jae-Bong Lim ,  Se-Ho Lee

IPC分类号： C08G75/14 ,  C08G75/02 ,  C08J5/18 ,  C08G75/00

CPC分类号： C08G75/02 ,  C08G75/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2381/04 ,  Y10T428/2982

摘要： This disclosure relates to polyarylene sulfide that may exhibit and maintain excellent properties and a method for preparing the same, wherein the polyarylene sulfide is in the form of pellet of 2 to 10 mm size immediately after melt polymerization, and has residual solvent content of 300 ppm or less, based on the total weight of resin.The polyarylene sulfide may exhibit and maintain excellent properties, particularly it does not generate foam in the product or stain on the surface, has excellent mechanical properties such as tensile strength, and the like, and thus, it may be usefully applied in the industrial field of preparing polyarylene sulfide and manufacturing a molded product using the same.

摘要翻译： 本公开涉及可以显示和保持优异性能的聚芳硫醚及其制备方法，其中聚芳硫醚在熔融聚合后立即为粒径为2至10mm的颗粒形式，并且残留溶剂含量为300ppm 或更低，基于树脂的总重量。 聚芳硫醚可以表现出并且保持优异的性能，特别是在产品中不产生泡沫或表面上的污渍，具有优异的机械性能如拉伸强度等，因此可用于工业领域 制备聚芳硫醚并制造使用其的模塑产品。

公开(公告)号：US20120329984A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13582859

申请日：2011-03-08

申请人： Sung-Gi Kim ,  Jae-bong Lim ,  Se-Ho Lee

发明人： Sung-Gi Kim ,  Jae-bong Lim ,  Se-Ho Lee

IPC分类号： C08G75/14

CPC分类号： C08G75/02 ,  C08G75/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2381/04 ,  Y10T428/2982

摘要： This disclosure relates to polyarylene sulfide that may exhibit and maintain excellent properties and a method for preparing the same, wherein the polyarylene sulfide is in the form of pellet of 2 to 10 mm size immediately after melt polymerization, and has residual solvent content of 300 ppm or less, based on the total weight of resin.The polyarylene sulfide may exhibit and maintain excellent properties, particularly it does not generate foam in the product or stain on the surface, has excellent mechanical properties such as tensile strength, and the like, and thus, it may be usefully applied in the industrial field of preparing polyarylene sulfide and manufacturing a molded product using the same.

摘要翻译： 本公开涉及可以显示和保持优异性能的聚芳硫醚及其制备方法，其中聚芳硫醚在熔融聚合后立即为粒径为2至10mm的颗粒形式，并且残留溶剂含量为300ppm 或更低，基于树脂的总重量。 聚芳硫醚可以表现出并且保持优异的性能，特别是在产品中不产生泡沫或表面上的污渍，具有优异的机械性能如拉伸强度等，因此可用于工业领域 制备聚芳硫醚并制造使用其的模塑产品。

公开(公告)号：US07667998B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11507573

申请日：2006-08-22

申请人： Won-Cheol Jeong ,  Se-Ho Lee ,  Jae-Hyun Park ,  Chang-Wook Jeong

发明人： Won-Cheol Jeong ,  Se-Ho Lee ,  Jae-Hyun Park ,  Chang-Wook Jeong

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L27/16 ,  H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

摘要： A PRAM and method of forming the same are disclosed. In various embodiments, the PRAM includes a lower insulation layer formed on a semiconductor substrate, a phase change material pattern formed on the lower insulation layer and a heating electrode contacting the phase change material pattern. The heating electrode can be formed of a material having a positive temperature coefficient such that specific resistance of the material increases as a function of temperature.

摘要翻译： 公开了一种PRAM及其制造方法。 在各种实施例中，PRAM包括形成在半导体衬底上的下绝缘层，形成在下绝缘层上的相变材料图案和与相变材料图案接触的加热电极。 加热电极可以由具有正温度系数的材料形成，使得材料的电阻率随着温度的升高而增加。

公开(公告)号：US07411208B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11027255

申请日：2004-12-30

申请人： Young-Nam Hwang ,  Gwan-Hyeob Koh ,  Su-Jin Ahn ,  Sung-Lae Cho ,  Se-Ho Lee ,  Kyung-Chang Ryoo ,  Chang-Wook Jeong ,  Su-Youn Lee ,  Bong-Jin Kuh

发明人： Young-Nam Hwang ,  Gwan-Hyeob Koh ,  Su-Jin Ahn ,  Sung-Lae Cho ,  Se-Ho Lee ,  Kyung-Chang Ryoo ,  Chang-Wook Jeong ,  Su-Youn Lee ,  Bong-Jin Kuh

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

摘要： A phase-change memory device has an oxidation barrier layer to protect against memory cell contamination or oxidation and a method of manufacturing the same. In one embodiment, a semiconductor memory device comprises a molding layer overlying a semiconductor substrate. The molding layer has a protrusion portion vertically extending from a top surface thereof. The device further includes a phase-changeable material pattern adjacent the protrusion portion and a lower electrode electrically connected to the phase-changeable material pattern.

摘要翻译： 相变存储器件具有防止存储器单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。 在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖半导体衬底的成型层。 模制层具有从其顶表面垂直延伸的突出部分。 该装置还包括与突出部分相邻的相变材料图案和与相变材料图案电连接的下部电极。

公开(公告)号：US20080173862A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12008125

申请日：2008-01-09

申请人： Yoon-Jong Song ,  Se-Ho Lee ,  Ki-Nam Kim ,  Su-Youn Lee ,  Jae-Hyun Park

发明人： Yoon-Jong Song ,  Se-Ho Lee ,  Ki-Nam Kim ,  Su-Youn Lee ,  Jae-Hyun Park

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683 ,  Y10S438/90

摘要： A phase change memory device includes a mold layer disposed on a substrate, a heating electrode, a filling insulation pattern and a phase change material pattern. The heating electrode is disposed in an opening exposing the substrate through the mold layer. The heating electrode is formed in a substantially cylindrical shape, having its sidewalls conformally disposed on the lower inner walls of the opening. The filling insulation pattern fills an empty region surrounded by the sidewalls of the heating electrode. The phase change material pattern is disposed on the mold layer and downwardly extended to fill the empty part of the opening. The phase change material pattern contacts the top surfaces of the sidewalls of the heating electrode.

摘要翻译： 相变存储器件包括设置在基板上的模具层，加热电极，填充绝缘图案和相变材料图案。 加热电极设置在使基板穿过模具层的开口中。 加热电极形成为大致圆筒形，其侧壁共形地设置在开口的下内壁上。 填充绝缘图案填充由加热电极的侧壁围绕的空白区域。 相变材料图案设置在模具层上并向下延伸以填充开口的空的部分。 相变材料图案接触加热电极的侧壁的顶表面。

公开(公告)号：US20080008421A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11901297

申请日：2007-09-14

申请人： Su-Nam Lee ,  Se-Ho Lee ,  Ki-Ho Park ,  Seong-Jae Boo

发明人： Su-Nam Lee ,  Se-Ho Lee ,  Ki-Ho Park ,  Seong-Jae Boo

IPC分类号： G02B6/26

CPC分类号： G02B6/34 ,  G02B6/14 ,  G02B6/266 ,  G02B6/3594 ,  G02F1/3523 ,  G02F2203/48 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1618

摘要： Disclosed is an all-optical variable optical attenuator. The all-optical variable optical attenuator includes a nonlinear optical fiber where a pair of long-period gratings is formed in a pre-determined pattern. Alternatively, the variable optical attenuator may include a pair of optical fibers where a long-period grating is formed in each optical fiber in a pre-determined pattern to form a pair of long-period gratings on the whole, and a nonlinear optical fiber fusion-spliced between one ends of the respective optical fibers. The core layer of the nonlinear optical fiber contains semiconductor particles having a size of nanometers, a metallic particle having a size of nanometers, or a rare-earth element.

摘要翻译： 公开了一种全光可变光衰减器。 全光可变光衰减器包括非线性光纤，其中以预定图案形成一对长周期光栅。 或者，可变光衰减器可以包括一对光纤，其中在预定图案中在每个光纤中形成长周期光栅以形成一对整体的长周期光栅，并且非线性光纤熔接 在相应光纤的一端之间切割。 非线性光纤的芯层包含具有纳米尺寸的半导体颗粒，具有纳米尺寸的金属颗粒或稀土元素。

公开(公告)号：US20060284237A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11389996

申请日：2006-03-27

申请人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Se-Ho Lee ,  Won-Cheol Jeong

发明人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Se-Ho Lee ,  Won-Cheol Jeong

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： Integrated circuit devices are provided having a vertical diode therein. The devices include an integrated circuit substrate and an insulating layer on the integrated circuit substrate. A contact hole penetrates the insulating layer. A vertical diode is in a lower region of the contact hole and a bottom electrode in the contact hole has a bottom surface on a top surface of the vertical diode. The bottom electrode is self-aligned with the vertical diode. A top surface area of the bottom electrode is less than a horizontal section area of the contact hole. Methods of forming the integrated circuit devices and phase change memory cells are also provided.

摘要翻译： 在其中提供具有垂直二极管的集成电路器件。 这些器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。 接触孔穿透绝缘层。 垂直二极管位于接触孔的下部区域中，接触孔中的底部电极在垂直二极管的顶面具有底面。 底部电极与垂直二极管自对准。 底部电极的顶表面积小于接触孔的水平截面面积。 还提供了形成集成电路器件和相变存储器单元的方法。

公开(公告)号：US20060043355A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11217943

申请日：2005-09-01

申请人： Kyung-Chang Ryoo ,  Su-Youn Lee ,  Young-Nam Hwang ,  Se-Ho Lee

发明人： Kyung-Chang Ryoo ,  Su-Youn Lee ,  Young-Nam Hwang ,  Se-Ho Lee

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

摘要： According to some embodiments of the present invention, there are provided PRAMS having a phase-change layer pattern interposed between a molding layer and a forming layer pattern, and methods of forming the same that include a node conductive layer pattern, a molding layer, a forming layer pattern and a protecting layer. The molding layer, the forming layer pattern and the protecting layer are formed to cover the planarized interlayer insulating layer and the node conductive layer pattern. A lower electrode is interposed between the molding layer and the planarized interlayer insulating layer. A phase-change layer pattern is formed on the planarized interlayer insulating layer. A spacer pattern is disposed between the phase-change layer pattern and the molding layer.

摘要翻译： 根据本发明的一些实施例，提供了一种在成型层和成形层图案之间具有相变层图案的PRAMS及其形成方法，其包括节点导电层图案，成型层， 形成层图案和保护层。 成形层，成形层图案和保护层形成为覆盖平坦化层间绝缘层和节点导电层图案。 在模制层和平坦化层间绝缘层之间插入下电极。 在平坦化层间绝缘层上形成相变层图案。 间隔图案设置在相变层图案和成型层之间。