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    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20100203700A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：US12686638

    申请日：2010-01-13

    申请人： Kyungmun Byun ,  Deok-Young Jung ,  Ju-Seon Goo ,  Eunkee Hong

    发明人： Kyungmun Byun ,  Deok-Young Jung ,  Ju-Seon Goo ,  Eunkee Hong

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837

    摘要： A method of forming a semiconductor device includes preparing a substrate having a recessed area. A silicon oxide layer is formed at the recessed area. A catalytic nitridation treatment is performed for an upper portion of the silicon oxide layer to form a nitridation reactant on the upper portion of the silicon oxide layer. A dielectric layer is formed on the silicon oxide layer where the nitridation reactant is formed. The dielectric layer is annealed. According to the foregoing method, recession of the dielectric layer is prevented to fabricate a high-quality semiconductor device.

    摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括制备具有凹陷区域的衬底。 在凹陷区域形成氧化硅层。 对氧化硅层的上部进行催化氮化处理，以在氧化硅层的上部形成氮化反应物。 在形成氮化反应物的氧化硅层上形成介电层。 电介质层退火。 根据上述方法，防止了电介质层的凹陷以制造高质量的半导体器件。

    Method of fabricating semiconductor device
    6.
    发明申请
    Method of fabricating semiconductor device 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20100240194A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12659841

    申请日：2010-03-23

    申请人： DeokYoung Jung ,  Ju-Seon Goo ,  Kyung-Mun Byun ,  Eunkee Hong ,  Jun-Won Lee

    发明人： DeokYoung Jung ,  Ju-Seon Goo ,  Kyung-Mun Byun ,  Eunkee Hong ,  Jun-Won Lee

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device, the method including sequentially forming a pad oxide layer and a nitride layer on a substrate; etching the nitride layer, the pad oxide layer, and the substrate to form a trench; forming a sidewall oxide layer on a sidewall and a bottom of the trench; forming a oxide layer liner including nitrogen on the sidewall oxide layer; and forming a gap fill layer on the oxide layer liner

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底上依次形成衬垫氧化物层和氮化物层; 蚀刻氮化物层，衬垫氧化物层和衬底以形成沟槽; 在沟槽的侧壁和底部上形成侧壁氧化物层; 在所述侧壁氧化物层上形成包括氮的氧化物层衬垫; 并在氧化层衬垫上形成间隙填充层

    Methods of filling gaps by deposition on materials having different deposition rates
    8.
    发明授权
    Methods of filling gaps by deposition on materials having different deposition rates 有权
    通过沉积在具有不同沉积速率的材料上填充间隙的方法

    公开(公告)号：US07358190B2

    公开(公告)日：2008-04-15

    申请号：US10732931

    申请日：2003-12-11

    申请人： Hong-gun Kim ,  Kyu-tae Na ,  Eun-Kee Hong ,  Ju-Seon Goo

    发明人： Hong-gun Kim ,  Kyu-tae Na ,  Eun-Kee Hong ,  Ju-Seon Goo

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229

    摘要： Methods of forming material in a gap in a substrate include forming a pattern to define a gap on a substrate. A bottom oxide layer is formed on a surface of the substrate and substantially filling the gap. The bottom oxide layer is etched back inside an opening in the gap to expose side walls of the gap so that a residual bottom oxide layer remains at a bottom of the gap. A top oxide layer is selectively deposited on the residual bottom oxide layer, wherein the top oxide layer is deposited in a first direction toward the opening at a faster rate than in a second direction away from the side walls.

    摘要翻译： 在衬底中的间隙中形成材料的方法包括形成图案以在衬底上限定间隙。 底部氧化物层形成在衬底的表面上并且基本上填充间隙。 底部氧化物层在间隙中的开口内被回蚀，以暴露间隙的侧壁，使得剩余的底部氧化物层保留在间隙的底部。 顶部氧化物层被选择性地沉积在残余的底部氧化物层上，其中顶部氧化物层以比在远离侧壁的第二方向更快的速率沿第一方向朝向开口沉积。

    Flash memory device and method of fabricating the same
    10.
    发明授权
    Flash memory device and method of fabricating the same 有权
    闪存装置及其制造方法

    公开(公告)号：US07842569B2

    公开(公告)日：2010-11-30

    申请号：US11618155

    申请日：2006-12-29

    申请人： Hong-Gun Kim ,  Ju-Seon Goo ,  Mun-Jun Kim ,  Yong-Soon Choi ,  Sung-Tae Kim ,  Eun-Kyung Baek

    发明人： Hong-Gun Kim ,  Ju-Seon Goo ,  Mun-Jun Kim ,  Yong-Soon Choi ,  Sung-Tae Kim ,  Eun-Kyung Baek

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

    摘要： One embodiment of a method of fabricating a flash memory device includes forming a trench mask pattern, which includes a gate insulation pattern and a charge storage pattern stacked in sequence, on a semiconductor substrate; etching the semiconductor substrate using the trench mask pattern as an etch mask to form trenches defining active regions; and sequentially forming lower and upper device isolation patterns in the trench. After sequentially forming an intergate insulation film and a control gate film on the upper device isolation pattern, the control gate film, the intergate insulation pattern and the gloating gate pattern are formed, thereby providing gate lines crossing over the active regions.

    摘要翻译： 制造闪速存储器件的方法的一个实施例包括在半导体衬底上形成沟槽掩模图案，其包括依次层叠的栅极绝缘图案和电荷存储图案; 使用沟槽掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻半导体衬底，以形成限定有源区的沟槽; 并且顺序地形成沟槽中的下部和上部器件隔离图案。 在上部器件隔离图案上顺序地形成栅极间绝缘膜和控制栅极膜之后，形成控制栅极膜，栅极间绝缘图案和阴极管栅极图案，从而提供跨越有源区域的栅极线。