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    Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
    3.
    发明授权
    Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes 有权
    用于气相沉积工艺的化学前体安瓿瓶

    公开(公告)号：US07597758B2

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：US11849125

    申请日：2007-08-31

    申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

    发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

    IPC分类号： C30B23/08

    CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

    摘要： Embodiments of the invention provide chemical precursor ampoules that may be used during vapor deposition processes. In one embodiment, an apparatus for generating a chemical precursor gas used in a vapor deposition processing system is provided which includes a canister having a sidewall, a top, and a bottom forming an interior volume and a solid precursor material at least partially contained within a lower region of the interior volume. The apparatus further contains an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume and an inlet tube connected to the inlet port and positioned to direct a carrier gas towards the sidewall and away form the outlet port. In one example, the solid precursor contains pentakis(dimethylamido) tantalum (PDMAT). In another example, the apparatus contains a plurality of baffles that form an extended mean flow path between the inlet port and the outlet port.

    摘要翻译： 本发明的实施方案提供可在气相沉积工艺期间使用的化学前体安瓿。 在一个实施例中，提供了一种用于产生在气相沉积处理系统中使用的化学前体气体的装置，其包括具有侧壁，顶部和形成内部容积的底部的罐，以及固体前体材料，其至少部分地包含在 内部体积的较低区域。 该装置还包括与内部空间流体连通的入口端口和出口端口，以及连接到入口端口的入口管，并且定位成将载气朝向侧壁引导并从出口端口移开。 在一个实例中，固体前体含有五（二甲基氨基）钽（PDMAT）。 在另一示例中，该装置包含多个挡板，其在入口和出口之间形成延伸的平均流动路径。

    Apparatus and method for generating a chemical precursor
    4.
    发明授权
    Apparatus and method for generating a chemical precursor 有权
    用于产生化学前体的装置和方法

    公开(公告)号：US07588736B2

    公开(公告)日：2009-09-15

    申请号：US11383642

    申请日：2006-05-16

    申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

    发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

    IPC分类号： F27B15/08

    CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

    摘要： Embodiments of an apparatus for generating a chemical precursor used in a vapor deposition processing system are provide which include a canister having a sidewall, a top, and a bottom forming an interior volume which is in fluid communication with an inlet port and an outlet port. The canister contains a plurality of baffles that extend from the bottom to an upper portion of the interior volume and form an extended mean flow path between the inlet port and the outlet port. In one embodiment, the baffles are contained on a prefabricated insert positioned on the bottom of the canister. In one example, an inlet tube may extend from the inlet port into the interior region and be positioned substantially parallel to the baffles. An outlet end of the inlet tube may be adapted to direct a gas flow away from the outlet port, such as towards the sidewall or top of the canister.

    摘要翻译： 提供了一种用于生成在气相沉积处理系统中使用的化学前体的装置的实施例，其包括具有侧壁，顶部和底部的罐，该罐形成与入口端口和出口端口流体连通的内部容积。 罐包含多个挡板，其从内部容积的底部延伸到上部，并且在入口和出口之间形成延伸的平均流动路径。 在一个实施例中，挡板包含在位于罐底部的预制插入件上。 在一个示例中，入口管可以从入口端口延伸到内部区域中并且基本平行于挡板定位。 入口管的出口端可以适于将气流引导离开出口，例如朝向罐的侧壁或顶部。

    Tantalum barrier layer for copper metallization
    5.
    发明申请
    Tantalum barrier layer for copper metallization 有权
    用于铜金属化的钽阻挡层

    公开(公告)号：US20050074968A1

    公开(公告)日：2005-04-07

    申请号：US10693775

    申请日：2003-10-25

    申请人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

    发明人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

    IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76865

    摘要： A method of forming barrier layers in a via hole extending through an inter-level dielectric layer and including a preformed first barrier coated onto the bottom and sidewalls of the via holes. In a single plasma sputter reactor, a first step sputters the wafer rather than the target with high energy ions to remove the barrier layer from the bottom of the via but not from the sidewalls and a second step sputter deposits a second barrier layer, for example of Ta/TaN, onto the via bottom and sidewalls. The two steps may be differentiated by power applied to the target, by chamber pressure, or by wafer bias. The second step may include the simultaneous removal of the first barrier layer from the via bottom and sputter deposition of the second barrier layer onto the via sidewalls.

    摘要翻译： 在穿过层间电介质层的通孔中形成阻挡层的方法，包括涂覆在通孔的底部和侧壁上的预先形成的第一屏障。 在单个等离子体溅射反应器中，第一步骤以高能离子将晶片而不是目标物喷射，以从通孔的底部除去阻挡层，而不是从侧壁排出，第二步骤溅射沉积第二阻挡层，例如 的Ta / TaN，通过底部和侧壁。 这两个步骤可以通过施加到靶，通过室压力或通过晶片偏置的功率来区分。 第二步骤可以包括从通孔底部同时移除第一阻挡层并将第二阻挡层溅射到通孔侧壁上。

    Multi-step barrier deposition method
    7.
    发明授权
    Multi-step barrier deposition method 失效
    多步势垒沉积法

    公开(公告)号：US07576002B2

    公开(公告)日：2009-08-18

    申请号：US11184431

    申请日：2005-07-19

    申请人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

    发明人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76865

    摘要： A method of forming barrier layers in a via hole extending through an inter-level dielectric layer and including a preformed first barrier coated onto the bottom and sidewalls of the via holes. In a single plasma sputter reactor, a first step sputters the wafer rather than the target with high energy ions to remove the barrier layer from the bottom of the via but not from the sidewalls and a second step sputter deposits a second barrier layer, for example of Ta/TaN, onto the via bottom and sidewalls. The two steps may be differentiated by power applied to the target, by chamber pressure, or by wafer bias. The second step may include the simultaneous removal of the first barrier layer from the via bottom and sputter deposition of the second barrier layer onto the via sidewalls.

    摘要翻译： 在穿过层间电介质层的通孔中形成阻挡层的方法，包括涂覆在通孔的底部和侧壁上的预先形成的第一屏障。 在单个等离子体溅射反应器中，第一步骤以高能离子将晶片而不是目标物喷射，以从通孔的底部除去阻挡层，而不是从侧壁排出，第二步骤溅射沉积第二阻挡层，例如 的Ta / TaN，通过底部和侧壁。 这两个步骤可以通过施加到靶，通过室压力或通过晶片偏置的功率来区分。 第二步骤可以包括从通孔底部同时移除第一阻挡层并将第二阻挡层溅射到通孔侧壁上。