公开(公告)号：US20080138974A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11945856

申请日：2007-11-27

申请人： Yanping Li ,  Jriyan Jerry Chen ,  Lisa Yang

发明人： Yanping Li ,  Jriyan Jerry Chen ,  Lisa Yang

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A nickel silicon alloy barrier layer formed between a metal bonding pad on an integrated circuit and a tin-based solder ball, for example, a lead-free solder. The nickel silicon alloy contains at least 2 wt % silicon and preferably less than 20 wt %. An adhesion layer may be formed between the barrier layer and the bonding pad. For copper metallization, the adhesion layer may contain titanium or tantalum; for aluminum metallization, it may be aluminum. The nickel silicon alloy may be deposited by magnetron sputtering. Commercially available NiS4.5% sputter targets have provided a superior under-bump metallization (UBM) with lead-free tin solder bumps. Dopants other than silicon/may be used to reduce the magnetic permeability and provide other advantages of the invention.

摘要翻译： 在集成电路上的金属焊盘和锡基焊球之间形成的镍硅合金阻挡层，例如无铅焊料。 镍硅合金含有至少2重量％的硅，优选小于20重量％。 可以在阻挡层和接合焊盘之间形成粘合层。 对于铜金属化，粘合层可以含有钛或钽; 对于铝金属化，它可以是铝。 镍硅合金可以通过磁控溅射沉积。 市售的NiS 4.5％溅射靶使用无铅锡焊料凸块提供了优异的凸块下金属化（UBM）。 可以使用除硅之外的掺杂剂来降低磁导率并提供本发明的其它优点。

公开(公告)号：US07321140B2

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：US11077943

申请日：2005-03-11

申请人： Yanping Li ,  Jriyan Jerry Chen ,  Lisa Yang

发明人： Yanping Li ,  Jriyan Jerry Chen ,  Lisa Yang

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A nickel silicon alloy barrier layer formed between a metal bonding pad on an integrated circuit and a tin-based solder ball, for example, a lead-free solder. The nickel silicon alloy contains at least 2 wt % silicon and preferably less than 20 wt %. An adhesion layer may be formed between the barrier layer and the bonding pad. For copper metallization, the adhesion layer may contain titanium or tantalum; for aluminum metallization, it may be aluminum. The nickel silicon alloy may be deposited by magnetron sputtering. Commercially available NiSi4.5% sputter targets have provided a superior under-bump metallization (UBM) with lead-free tin solder bumps. Dopants other than silicon/may be used to reduce the magnetic permeability and provide other advantages of the invention.

摘要翻译： 在集成电路上的金属焊盘和锡基焊球之间形成的镍硅合金阻挡层，例如无铅焊料。 镍硅合金含有至少2重量％的硅，优选小于20重量％。 可以在阻挡层和接合焊盘之间形成粘合层。 对于铜金属化，粘合层可以含有钛或钽; 对于铝金属化，它可以是铝。 镍硅合金可以通过磁控溅射沉积。 市售的NiSi 4.5％溅射靶使用无铅锡焊料凸块提供了优异的凸块下金属化（UBM）。 可以使用除硅之外的掺杂剂来降低磁导率并提供本发明的其它优点。

公开(公告)号：US20060202352A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11077943

申请日：2005-03-11

申请人： Yanping Li ,  Jriyan Chen ,  Lisa Yang

发明人： Yanping Li ,  Jriyan Chen ,  Lisa Yang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A nickel silicon alloy barrier layer formed between a metal bonding pad on an integrated circuit and a tin-based solder ball, for example, a lead-free solder. The nickel silicon alloy contains at least 2 wt % silicon and preferably less than 20 wt %. An adhesion layer may be formed between the barrier layer and the bonding pad. For copper metallization, the adhesion layer may contain titanium or tantalum; for aluminum metallization, it may be aluminum. The nickel silicon alloy may be deposited by magnetron sputtering. Commercially available NiSi4.5% sputter targets have provided a superior under-bump metallization (UBM) with lead-free tin solder bumps. Dopants other than silicon/may be used to reduce the magnetic permeability and provide other advantages of the invention.

摘要翻译： 在集成电路上的金属焊盘和锡基焊球之间形成的镍硅合金阻挡层，例如无铅焊料。 镍硅合金含有至少2重量％的硅，优选小于20重量％。 可以在阻挡层和接合焊盘之间形成粘合层。 对于铜金属化，粘合层可以含有钛或钽; 对于铝金属化，它可以是铝。 镍硅合金可以通过磁控溅射沉积。 市售的NiSi 4.5％溅射靶使用无铅锡焊料凸块提供了优异的凸块下金属化（UBM）。 可以使用除硅之外的掺杂剂来降低磁导率并提供本发明的其它优点。

公开(公告)号：US20080014732A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11482522

申请日：2006-07-07

申请人： Yanping Li ,  Lisa Yang ,  Suraj Rengarajan

发明人： Yanping Li ,  Lisa Yang ,  Suraj Rengarajan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

摘要： An aluminum bondpad and method for making the aluminum bondpad is disclosed. In forming aluminum bondpads, a barrier layer is necessary between a copper interconnect layer and the aluminum bondpad layer. Additionally, a gold wiring layer is deposited on the aluminum bondpad layer and annealed at a high temperature to form an aluminum-gold intermetallic compound. Aluminum reacts with tungsten at high temperatures. Therefore, during the annealing, the aluminum will react with the tungsten. By providing a tungsten nitride barrier layer on a tungsten barrier layer, no aluminum-tungsten intermetallic compound will form, even at the high annealing temperatures required to form the aluminum bondpad.

摘要翻译： 公开了一种铝接合垫及其制造方法。 在形成铝键合层时，在铜互连层和铝接合层之间需要阻挡层。 另外，金结合层沉积在铝接合层上，并在高温下退火以形成铝 - 金金属间化合物。 铝在高温下与钨反应。 因此，在退火期间，铝将与钨反应。 通过在钨阻挡层上提供氮化钨阻挡层，即使在形成铝键合板所需的高退火温度下也不会形成铝 - 钨金属间化合物。

公开(公告)号：USD436815S1

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US29118734

申请日：2000-02-15

申请人： Lisa Yang

设计人： Lisa Yang

公开(公告)号：US07485556B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11084450

申请日：2005-03-18

申请人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

发明人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A metal silicide layer is formed on silicon-containing features of a substrate in a chamber. A metal film is sputter deposited on the substrate and a portion of the sputter deposited metal film is silicided. In the process, sputtering gas is energized by applying an electrical bias potential across the metal sputtering target and the substrate support to sputter deposit metal from a target onto the substrate. At least a portion of the deposited sputtered metal is silicided by heating the substrate to a silicidation temperature exceeding about 200° C. to form a combined sputtered metal and metal silicide layer on the substrate. The remaining sputtered metal can be silicided by maintaining the substrate at the silicidation temperature to form the metal silicide layer.

摘要翻译： 在室中的衬底的含硅特征上形成金属硅化物层。 金属膜被溅射沉积在衬底上，溅射沉积的金属膜的一部分被硅化。 在该过程中，溅射气体通过在金属溅射靶和衬底支撑件上施加电偏压来激发，以将金属从靶溅射到衬底上。 沉积的溅射金属的至少一部分通过将衬底加热到​​超过约200℃的硅化温度来硅化，以在衬底上形成组合的溅射金属和金属硅化物层。 剩余的溅射金属可以通过将衬底保持在硅化温度下来硅化，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：US20060211202A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11084450

申请日：2005-03-18

申请人： Jeong Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Le

发明人： Jeong Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Le

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A metal suicide layer is formed on silicon-containing features of a substrate in a chamber. A metal film is sputter deposited on the substrate and a portion of the sputter deposited metal film is silicided. In the process, sputtering gas is energized by applying an electrical bias potential across the metal sputtering target and the substrate support to sputter deposit metal from a target onto the substrate. At least a portion of the deposited sputtered metal is silicided by heating the substrate to a silicidation temperature exceeding about 200° C. to form a combined sputtered metal and metal silicide layer on the substrate. The remaining sputtered metal can be silicided by maintaining the substrate at the silicidation temperature to form the metal silicide layer.

摘要翻译： 在室中的衬底的含硅特征上形成金属硅化物层。 金属膜被溅射沉积在衬底上，溅射沉积的金属膜的一部分被硅化。 在该过程中，溅射气体通过在金属溅射靶和衬底支撑件上施加电偏压来激发，以将金属从靶溅射到衬底上。 沉积的溅射金属的至少一部分通过将衬底加热到​​超过约200℃的硅化温度来硅化，以在衬底上形成组合的溅射金属和金属硅化物层。 剩余的溅射金属可以通过将衬底保持在硅化温度下来硅化，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：US06297147B1

公开(公告)日：2001-10-02

申请号：US09092811

申请日：1998-06-05

申请人： Lisa Yang ,  Anish Tolia ,  Roderick Craig Mosely

发明人： Lisa Yang ,  Anish Tolia ,  Roderick Craig Mosely

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76856 ,  C23C14/024 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： The present invention provides a method and apparatus for filling contacts, vias, trenches, and other patterns, in a substrate surface, particularly patterns having high aspect ratios. Generally, the present invention provides a method for removing oxygen from the surface of an oxidized metal layer prior to deposition of a subsequent metal. The oxidized metal is treated with a plasma consisting of nitrogen, hydrogen, or a mixture thereof. In one aspect of the invention, the metal layer is Ti, TiN, Ta, TaN, Ni, NiV, or V, and a subsequent wetting layer is deposited using either CVD techniques or electroplating, such as CVD aluminum (Al) or electroplating of copper (Cu). The metal layer can be exposed to oxygen or the atmosphere and then treated with a plasma of nitrogen and/or hydrogen in two or more cycles to remove or reduce oxidation of the surface of the metal layer and nucleate the growth of a subsequent metal layer thereon.

摘要翻译： 本发明提供一种用于在衬底表面中填充触点，通孔，沟槽和其它图案的方法和装置，特别是具有高纵横比的图案。 通常，本发明提供了在沉积后续金属之前从氧化金属层的表面除去氧的方法。 用由氮，氢或其混合物组成的等离子体处理氧化金属。 在本发明的一个方面，金属层是Ti，TiN，Ta，TaN，Ni，NiV或V，并且随后的润湿层使用CVD技术或电镀，例如CVD铝（Al）或电镀 铜（Cu）。 金属层可以暴露于氧气或大气中，然后在两个或更多个循环中用氮和/或氢气等离子体处理以去除或减少金属层表面的氧化并使其后续金属层的生长成核 。