公开(公告)号：US20060148233A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11366957

申请日：2006-03-01

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

公开(公告)号：US08952550B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US12655975

申请日：2010-01-12

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

公开(公告)号：US06853076B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US09961034

申请日：2001-09-21

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电气装置的极限极限冶金堆，其包含设置在Ti粘附金属层上的至少一个铜层。 限流冶金叠层可阻止Sn向器件的上部金属化迁移。

公开(公告)号：US20100117229A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12655975

申请日：2010-01-12

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电气装置的极限极限冶金堆，其包含设置在Ti粘附金属层上的至少一个铜层。 限流冶金叠层可阻止Sn向器件的上部金属化迁移。

公开(公告)号：US07196001B2

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US10776076

申请日：2004-02-10

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电气装置的极限极限冶金堆，其包含设置在Ti粘附金属层上的至少一个铜层。 限流冶金叠层可阻止Sn向器件的上部金属化迁移。

公开(公告)号：US07250678B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10776448

申请日：2004-02-10

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Subhash M. Joshi ,  Susanne Menezes ,  Doowon Suh

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration toward the upper metallization of the device.

公开(公告)号：US06740427B2

公开(公告)日：2004-05-25

申请号：US09961037

申请日：2001-09-21

申请人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Tzeun-luh Huang ,  Subhash M. Joshi ,  Christine A. King ,  Zhiyong Ma ,  Thomas Marieb ,  Michael Mckeag ,  Doowon Suh ,  Simon Yang

发明人： Madhav Datta ,  Dave Emory ,  Tzeun-luh Huang ,  Subhash M. Joshi ,  Christine A. King ,  Zhiyong Ma ,  Thomas Marieb ,  Michael Mckeag ,  Doowon Suh ,  Simon Yang

IPC分类号： B32B1501

CPC分类号： C22C11/06 ,  C22C13/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12701 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  H01L2924/00014

摘要： The invention relates to a ball limiting metallurgy stack for an electrical device that contains a tin diffusion barrier and thermo-mechanical buffer layer disposed upon a refractory metal first layer. The multi-diffusion barrier layer stack resists tin migration toward the upper metallization of the device.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电气装置的球限制冶金堆，其包含设置在难熔金属第一层上的锡扩散阻挡层和热机械缓冲层。 多扩散阻挡层堆叠抵抗朝向器件的上部金属化的锡迁移。

公开(公告)号：US09437785B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US12538602

申请日：2009-08-10

申请人： Michael John Bergmann ,  Kevin Ward Haberern ,  Bradley E. Williams ,  Winston T. Parker ,  Arthur Fong-Yuen Pun ,  Doowon Suh ,  Matthew Donofrio

发明人： Michael John Bergmann ,  Kevin Ward Haberern ,  Bradley E. Williams ,  Winston T. Parker ,  Arthur Fong-Yuen Pun ,  Doowon Suh ,  Matthew Donofrio

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/73265

摘要： Light emitting diodes include a silicon carbide substrate having first and second opposing faces, a diode region on the first face, anode and cathode contacts on the diode region opposite the silicon carbide substrate and a hybrid reflector on the silicon carbide substrate opposite the diode region. The hybrid reflector includes a transparent layer having an index of refraction that is lower than the silicon carbide substrate, and a reflective layer on the transparent layer, opposite the substrate. A die attach layer may be provided on the hybrid reflector, opposite the silicon carbide substrate. A barrier layer may be provided between the hybrid reflector and the die attach layer.

摘要翻译： 发光二极管包括具有第一和第二相对面的碳化硅衬底，第一面上的二极管区域，与碳化硅衬底相对的二极管区域上的阳极和阴极接触以及与二极管区域相对的碳化硅衬底上的混合反射器。 混合反射器包括具有低于碳化硅衬底的折射率的透明层和与衬底相对的透明层上的反射层。 可以在混合反射器上设置芯片附着层，与碳化硅衬底相对。 可以在混合反射器和管芯附着层之间设置阻挡层。

公开(公告)号：US20110031502A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12538602

申请日：2009-08-10

申请人： Michael John Bergmann ,  Kevin Ward Haberern ,  Bradley E. Williams ,  Winston T. Parker ,  Arthur Fong-Yuen Pun ,  Doowon Suh ,  Matthew Donofrio

发明人： Michael John Bergmann ,  Kevin Ward Haberern ,  Bradley E. Williams ,  Winston T. Parker ,  Arthur Fong-Yuen Pun ,  Doowon Suh ,  Matthew Donofrio

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/24 ,  F21V7/22

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/73265

摘要： Light emitting diodes include a silicon carbide substrate having first and second opposing faces, a diode region on the first face, anode and cathode contacts on the diode region opposite the silicon carbide substrate and a hybrid reflector on the silicon carbide substrate opposite the diode region. The hybrid reflector includes a transparent layer having an index of refraction that is lower than the silicon carbide substrate, and a reflective layer on the transparent layer, opposite the substrate. A die attach layer may be provided on the hybrid reflector, opposite the silicon carbide substrate. A barrier layer may be provided between the hybrid reflector and the die attach layer.

摘要翻译： 发光二极管包括具有第一和第二相对面的碳化硅衬底，第一面上的二极管区域，与碳化硅衬底相对的二极管区域上的阳极和阴极接触以及与二极管区域相对的碳化硅衬底上的混合反射器。 混合反射器包括具有低于碳化硅衬底的折射率的透明层和与衬底相对的透明层上的反射层。 可以在混合反射器上设置芯片附着层，与碳化硅衬底相对。 可以在混合反射器和管芯附着层之间设置阻挡层。