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公开(公告)号：US20110303890A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：US13142504
申请日：2011-06-28
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/165
摘要： An electrically actuated device includes a first electrode and a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, thereby forming a junction therebetween. A material is established on the first electrode and at the junction. At least a portion of the material is a matrix region. A current conduction channel extends substantially vertically between the first and second electrodes, and is defined in at least a portion of the material positioned at the junction. The current conduction channel has a controlled profile of dopants therein.
摘要翻译： 电驱动装置包括第一电极和第二电极，其以非零角度与第一电极交叉，从而在它们之间形成接合部。 在第一电极和接合处建立材料。 材料的至少一部分是矩阵区域。 电流传导通道在第一和第二电极之间基本垂直地延伸，并且限定在位于结处的材料的至少一部分中。 电流传导通道在其中具有受控的掺杂剂分布。
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公开(公告)号：US08431921B2
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：US13130827
申请日：2009-01-13
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146
摘要： A memristor includes a first electrode having a triangular cross section, in which the first electrode has a tip and a base, a switching material positioned upon the first electrode, and a second electrode positioned upon the switching material. The tip of the first electrode faces the second electrode and an active region in the switching material is formed between the tip of the first electrode and the second electrode.
摘要翻译： 忆阻器包括具有三角形横截面的第一电极，其中第一电极具有尖端和基部，位于第一电极上的开关材料和位于开关材料上的第二电极。 第一电极的尖端面对第二电极，并且开关材料中的有源区形成在第一电极的尖端和第二电极之间。
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公开(公告)号：US20120249252A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：US13078595
申请日：2011-04-01
申请人： Julien Borghetti , Matthew D. Pickett , Gilberto Medelros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
发明人： Julien Borghetti , Matthew D. Pickett , Gilberto Medelros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
IPC分类号： H03B7/00
CPC分类号： H03B7/00
摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.
摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。
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公开(公告)号：US20110261608A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13130822
申请日：2009-01-29
CPC分类号： G11C13/02 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/146 , H01L45/1641
摘要： A self-repairing memristor (300) and methods of operating a memristor (10), (310) and repairing a memristor (10), (310) employ thermal annealing (110). The thermal annealing (110) removes a short circuit in an oxide layer (12), (312) of the memristor (10), (310). Thermal annealing (110) includes heating the memristor (10), (310) to a predetermined annealing temperature for a predetermined annealing time period. The memristor (10), (310) returns to an electrically open circuit condition after the short circuit is removed.
摘要翻译： 自修复忆阻器（300）和操作忆阻器（10），（310）和修理忆阻器（10），（310）的方法采用热退火（110）。 （110）消除了忆阻器（10），（310）的氧化物层（12），（312）中的短路。 热退火（110）包括将忆阻器（10），（310）加热到预定的退火温度达预定退火时间段。 忆阻器（10），（310）在短路被去除后返回到电开路状态。
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公开(公告)号：US20110227045A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：US13130817
申请日：2009-01-28
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： A voltage-controlled switch (100) comprises a first electrode (10), a second electrode (20), a switching junction (30) situated between the first electrode and the second electrode, a conducting channel (60) extending from adjacent to the origin through the switching junction and having a channel end situated near the second electrode, and a layer of dopants (40) situated adjacent to an interface between the switching junction and the second electrode, wherein the dopants are capable of being activated to form switching centers (50).
摘要翻译： 电压控制开关（100）包括位于第一电极和第二电极之间的第一电极（10），第二电极（20），开关结（30），从邻近的电极 源极通过开关结并且具有位于第二电极附近的沟道端，以及位于开关结和第二电极之间的界面附近的掺杂剂层（40），其中掺杂剂能够被激活以形成开关中心 （50）。
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公开(公告)号：US20110227030A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：US13130827
申请日：2009-01-13
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146
摘要： A memristor includes a first electrode having a triangular cross section, in which the first electrode has a tip and a base, a switching material positioned upon the first electrode, and a second electrode positioned upon the switching material. The tip of the first electrode faces the second electrode and an active region in the switching material is formed between the tip of the first electrode and the second electrode.
摘要翻译： 忆阻器包括具有三角形横截面的第一电极，其中第一电极具有尖端和基部，位于第一电极上的开关材料和位于开关材料上的第二电极。 第一电极的尖端面对第二电极，并且开关材料中的有源区形成在第一电极的尖端和第二电极之间。
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公开(公告)号：US09196354B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：US13387307
申请日：2010-02-09
CPC分类号： G11C11/5678 , G11C11/54 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
摘要： Apparatus and methods related to memory resistors are provided. A feedback controller applies adjustment signals to a memristor. A non-volatile electrical resistance of the memristor is sensed by the feedback controller during the adjustment. The memristor is adjusted to particular values lying between first and second limiting values with minimal overshoot. Increased memristor service life, faster operation, lower power consumption, and higher operational integrity are achieved by the present teachings.
摘要翻译： 提供了与存储电阻相关的装置和方法。 反馈控制器将调整信号应用于忆阻器。 在调节期间，反馈控制器感测到避震器的非易失性电阻。 忆阻器被调整到具有最小过冲的第一和第二极限值之间的特定值。 通过本发明实现了增加的忆阻器使用寿命，更快的操作，更低的功耗和更高的操作完整性。
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公开(公告)号：US08502188B2
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：US13142504
申请日：2011-06-28
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/165
摘要： An electrically actuated device includes a first electrode and a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, thereby forming a junction therebetween. A material is established on the first electrode and at the junction. At least a portion of the material is a matrix region. A current conduction channel extends substantially vertically between the first and second electrodes, and is defined in at least a portion of the material positioned at the junction. The current conduction channel has a controlled profile of dopants therein.
摘要翻译： 电驱动装置包括第一电极和第二电极，其以非零角度与第一电极交叉，从而在它们之间形成接合部。 在第一电极和接合处建立材料。 材料的至少一部分是矩阵区域。 电流传导通道在第一和第二电极之间基本垂直地延伸，并且限定在位于结处的材料的至少一部分中。 电流传导通道在其中具有受控的掺杂剂分布。
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公开(公告)号：US20120014161A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：US12837903
申请日：2010-07-16
CPC分类号： H03B7/06
摘要： A memristive Negative Differential Resistance (NDR) device includes a first electrode adjacent to a memristive matrix, the memristive matrix including an intrinsic semiconducting region and a highly doped secondary region, a Metal-Insulator-Transition (MIT) material in series with the memristive matrix, and a second electrode adjacent to the MIT material.
摘要翻译： 忆阻负差分电阻（NDR）器件包括与忆阻矩阵相邻的第一电极，该忆阻矩阵包括本征半导体区域和高掺杂次级区域，金属绝缘体转变（MIT）材料与忆阻矩阵 以及与MIT材料相邻的第二电极。
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10.发明授权Switchable junction with an intrinsic diode formed with a voltage dependent resistor 有权具有与电压相关电阻器形成的本征二极管的可切换结公开(公告)号：US08982601B2
公开(公告)日：2015-03-17
申请号：US13259183
申请日：2009-09-04
IPC分类号： G11C13/02 , H01L45/00 , H01L27/102 , G11C13/00 , H01L27/24 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C13/0007 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L29/872 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A switchable junction (600) having an intrinsic diode (634) formed with a voltage dependent resistor (640) is disclosed. The switchable junction comprises a first electrode (618), a second electrode (622), and a memristive matrix (620) configured to form an electrical interface (626) with the first electrode (618). The electrical interface has a programmable conductance. The voltage dependent resistor (640) is in electrical contact with the memristive matrix (620). The voltage dependent resistor is configured to form a rectifying diode interface (628) with the second electrode (622).
摘要翻译： 公开了具有形成有电压依赖电阻器（640）的本征二极管（634）的可切换接点（600）。 可切换接头包括第一电极（618），第二电极（622）和配置成与第一电极（618）形成电接口（626）的忆阻矩阵（620）。 电气接口具有可编程电导。 电压相关电阻器（640）与忆阻矩阵（620）电接触。 电压相关电阻器被配置为与第二电极（622）形成整流二极管接口（628）。
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