公开(公告)号：US07656042B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11393050

申请日：2006-03-29

申请人： Mirng-Ji Lii ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta ,  Chien-Hsiun Lee

发明人： Mirng-Ji Lii ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta ,  Chien-Hsiun Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method includes joining an integrated circuit die having at least one low-k dielectric layer to a package substrate or printed circuit board using a plurality of solder bumps located between the die and the package substrate or printed circuit board. The low-k dielectric layer has a dielectric constant of about 3.0 or less. The solder bumps have a lead concentration of about 5% or less. A stratified underfill is formed between the die and the package substrate or printed circuit board.

摘要翻译： 一种方法包括使用位于管芯和封装衬底或印刷电路板之间的多个焊料凸块将具有至少一个低k​​电介质层的集成电路管芯连接到封装衬底或印刷电路板。 低k电介质层的介电常数约为3.0或更小。 焊锡凸块的铅浓度约为5％以下。 在模具和封装衬底或印刷电路板之间形成分层的底部填充物。

公开(公告)号：US08174129B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12853711

申请日：2010-08-10

申请人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

发明人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A silicon-based thin package substrate is used for packaging semiconductor chips. The silicon-based thin package substrate preferably has a thickness of less than about 200 μm. A plurality of traces are formed in the silicon-based thin package substrate, connecting BGA balls and solder bumps. A semiconductor chip may be mounted on the solder bumps. The silicon-based thin package substrate may be used as a carrier of semiconductor chips.

摘要翻译： 硅基薄封装衬底用于封装半导体芯片。 硅基薄封装基板优选具有小于约200μm的厚度。 在硅基薄封装衬底中形成多个迹线，连接BGA球和焊料凸块。 半导体芯片可以安装在焊料凸块上。 硅基薄封装衬底可以用作半导体芯片的载体。

公开(公告)号：US07804177B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11493375

申请日：2006-07-26

申请人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

发明人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A silicon-based thin package substrate is used for packaging semiconductor chips. The silicon-based thin package substrate preferably has a thickness of less than about 200 μm. A plurality of through-hole vias are formed in the silicon-based thin package substrate, connecting BGA balls and solder bumps. The silicon-based thin package substrate may be used as a carrier of semiconductor chips.

摘要翻译： 硅基薄封装衬底用于封装半导体芯片。 硅基薄封装基板优选具有小于约200μm的厚度。 在硅基薄封装衬底中形成多个通孔，连接BGA球和焊料凸块。 硅基薄封装衬底可以用作半导体芯片的载体。

公开(公告)号：US20080073747A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11525603

申请日：2006-09-22

申请人： Clinton Chao ,  C.S. Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

发明人： Clinton Chao ,  C.S. Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014

摘要： An isolation structure for electromagnetic interference includes a semiconductor substrate, a first integrated circuit in the semiconductor substrate, a second integrated circuit in the semiconductor substrate, and an isolation structure in a direct path between the first and the second integrated circuits, wherein the isolation structure comprises a through-silicon via.

公开(公告)号：US20100301477A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12853711

申请日：2010-08-10

申请人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

发明人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A silicon-based thin package substrate is used for packaging semiconductor chips. The silicon-based thin package substrate preferably has a thickness of less than about 200 μm. A plurality of traces are formed in the silicon-based thin package substrate, connecting BGA balls and solder bumps. A semiconductor chip may be mounted on the solder bumps. The silicon-based thin package substrate may be used as a carrier of semiconductor chips.

摘要翻译： 硅基薄封装衬底用于封装半导体芯片。 硅基薄封装基板优选具有小于约200μm的厚度。 在硅基薄封装衬底中形成多个迹线，连接BGA球和焊料凸块。 半导体芯片可以安装在焊料凸块上。 硅基薄封装衬底可以用作半导体芯片的载体。

公开(公告)号：US07427803B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US11525603

申请日：2006-09-22

申请人： Clinton Chao ,  Chao-Shun Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

发明人： Clinton Chao ,  Chao-Shun Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014

摘要： An isolation structure for electromagnetic interference includes a semiconductor substrate, a first integrated circuit in the semiconductor substrate, a second integrated circuit in the semiconductor substrate, and an isolation structure in a direct path between the first and the second integrated circuits, wherein the isolation structure comprises a through-silicon via.

摘要翻译： 用于电磁干扰的隔离结构包括半导体衬底，半导体衬底中的第一集成电路，半导体衬底中的第二集成电路以及第一和第二集成电路之间的直接路径中的隔离结构，其中隔离结构 包括通硅通孔。

公开(公告)号：US20080023850A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11493375

申请日：2006-07-26

申请人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

发明人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A silicon-based thin package substrate is used for packaging semiconductor chips. The silicon-based thin package substrate preferably has a thickness of less than about 200 μm. A plurality of through-hole vias are formed in the silicon-based thin package substrate, connecting BGA balls and solder bumps. The silicon-based thin package substrate may be used as a carrier of semiconductor chips.

摘要翻译： 硅基薄封装衬底用于封装半导体芯片。 硅基薄封装衬底优选具有小于约200μm的厚度。 在硅基薄封装衬底中形成多个通孔，连接BGA球和焊料凸块。 硅基薄封装衬底可以用作半导体芯片的载体。

公开(公告)号：US20120199974A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13452562

申请日：2012-04-20

申请人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

发明人： Szu Wei Lu ,  Clinton Chao ,  Ann Luh ,  Tjandra Winata Karta ,  Jerry Tzou ,  Kuo-Chin Chang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A silicon-based thin package substrate is used for packaging semiconductor chips. The silicon-based thin package substrate preferably has a thickness of less than about 200 μm. A plurality of traces is formed in the silicon-based thin package substrate, connecting BGA balls and solder bumps. A semiconductor chip may be mounted on the solder bumps. The silicon-based thin package substrate may be used as a carrier of semiconductor chips.

摘要翻译： 硅基薄封装衬底用于封装半导体芯片。 硅基薄封装基板优选具有小于约200μm的厚度。 在硅基薄封装衬底中形成多个迹线，连接BGA球和焊料凸块。 半导体芯片可以安装在焊料凸块上。 硅基薄封装衬底可以用作半导体芯片的载体。

公开(公告)号：US20090174071A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12379921

申请日：2009-03-04

申请人： Clinton Chao ,  Pei-Haw Tsao ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

发明人： Clinton Chao ,  Pei-Haw Tsao ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method of manufacturing are provided that include forming an electrically conductive bump on a substrate and forming at least one passivation layer on the bump to reduce solder joint failures.

摘要翻译： 提供了半导体器件和制造方法，其包括在衬底上形成导电凸块并且在凸起上形成至少一个钝化层以减少焊点失效。

公开(公告)号：US20070267745A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11437726

申请日：2006-05-22

申请人： Clinton Chao ,  Pei-Haw Tsao ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

发明人： Clinton Chao ,  Pei-Haw Tsao ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method of manufacturing are provided that include forming an electrically conductive bump on a substrate and forming at least one passivation layer on the bump to reduce solder joint failures.

摘要翻译： 提供了半导体器件和制造方法，其包括在衬底上形成导电凸块并且在凸起上形成至少一个钝化层以减少焊点失效。