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    Fabrication of CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell with Valve Controlled S and Se
    5.
    发明申请
    Fabrication of CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell with Valve Controlled S and Se 审中-公开
    具有阀控S和Se的CuZnSn（S，Se）薄膜太阳能电池的制造

    公开(公告)号：US20120100663A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：US12911915

    申请日：2010-10-26

    申请人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    发明人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50

    摘要： Techniques for fabricating thin film solar cells are provided. In one aspect, a method of fabricating a solar cell includes the following steps. A molybdenum (Mo)-coated substrate is provided. Absorber layer constituent components, two of which are sulfur (S) and selenium (Se), are deposited on the Mo-coated substrate. The S and Se are deposited on the Mo-coated substrate using thermal evaporation in a vapor chamber. Controlled amounts of the S and Se are introduced into the vapor chamber to regulate a ratio of the S and Se provided for deposition. The constituent components are annealed to form an absorber layer on the Mo-coated substrate. A buffer layer is formed on the absorber layer. A transparent conductive electrode is formed on the buffer layer.

    摘要翻译： 提供制造薄膜太阳能电池的技术。 一方面，制造太阳能电池的方法包括以下步骤。 提供了钼（Mo）涂覆的基材。 其中两个是硫（S）和硒（Se）的吸收剂层组成成分沉积在Mo涂覆的基底上。 使用蒸发室中的热蒸发将S和Se沉积在Mo涂覆的基底上。 将S和Se的控制量引入蒸气室以调节用于沉积的S和Se的比例。 将这些构成组分退火以在Mo涂覆的基底上形成吸收层。 在吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成透明导电电极。

    Using Diffusion Barrier Layer for CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell
    6.
    发明申请
    Using Diffusion Barrier Layer for CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell 审中-公开
    使用CuZnSn（S，Se）薄膜太阳能电池的扩散阻挡层

    公开(公告)号：US20120097234A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：US12911877

    申请日：2010-10-26

    申请人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    发明人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Byungha Shin ,  Kejia Wang

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/0326 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： Techniques for fabricating thin film solar cells, such as CuZnSn(S,Se) (CZTSSe) solar cells are provided. In one aspect, a method of fabricating a solar cell is provided that includes the following steps. A substrate is provided. The substrate is coated with a molybdenum (Mo) layer. A stress-relief layer is deposited on the Mo layer. The stress-relief layer is coated with a diffusion barrier. Absorber layer constituent components are deposited on the diffusion barrier, wherein the constituent components comprise one or more of sulfur (S) and selenium (Se). The constituent components are annealed to form an absorber layer, wherein the stress-relief layer relieves thermal stress imposed on the absorber layer, and wherein the diffusion barrier blocks diffusion of the one or more of S and Se into the Mo layer. A buffer layer is formed on the absorber layer. A transparent conductive electrode is formed on the buffer layer.

    摘要翻译： 提供了诸如CuZnSn（S，Se）（CZTSSe）（CZTSSe）太阳能电池制造薄膜太阳能电池的技术。 一方面，提供一种制造太阳能电池的方法，其包括以下步骤。 提供基板。 衬底被涂覆有钼（Mo）层。 应力消除层沉积在Mo层上。 应力消除层涂覆有扩散阻挡层。 吸收剂层组成成分沉积在扩散阻挡层上，其中构成组分包含硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。 所述构成部件进行退火以形成吸收层，其中所述应力消除层减轻施加在所述吸收体层上的热应力，并且其中所述扩散阻挡层将所述S和Se中的一种或多种的扩散阻挡在所述Mo层中。 在吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成透明导电电极。

    Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate
    9.
    发明授权
    Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate 失效
    用于在主机基板上形成半导体结构的产品和工艺

    公开(公告)号：US06210479B1

    公开(公告)日：2001-04-03

    申请号：US09259128

    申请日：1999-02-26

    申请人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Arunava Gupta

    发明人： Nestor A. Bojarczuk ,  Supratik Guha ,  Arunava Gupta

    IPC分类号： C30B2502

    CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/093 ,  Y10S148/094

    摘要： A process for cheaply fabricating a substantially single crystal or a polycrystalline semiconductor structure on a host substrate. The process begins by depositing a layer of wide band gap nitride material 10, such as gallium nitride, aluminum nitride and/or indium nitride, on a sapphire substrate 11. The semiconductor structure 14 is then grown on the nitride layer. Next, the host substrate 15 is attached with a bonding agent to an exposed surface area of the semiconductor structure 14. The sapphire substrate is lifted off by irradiation in which nitrogen is dissociated from the nitride layer.

    摘要翻译： 一种用于在主机基板上廉价制造基本单晶或多晶半导体结构的方法。 该过程开始于在蓝宝石衬底11上沉积一层宽带隙氮化物材料10，例如氮化镓，氮化铝和/或氮化铟。然后在氮化物层上生长半导体结构14。 接下来，将主体基板15用粘合剂附着到半导体结构体14的露出表面区域。通过氮离子从氮化物层离解的照射而剥离蓝宝石衬底。