公开(公告)号：US20090233004A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12049583

申请日：2008-03-17

申请人： Steven Sherman ,  John J. Hautala ,  Noel Russell ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault

发明人： Steven Sherman ,  John J. Hautala ,  Noel Russell ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault

IPC分类号： C23C14/14

CPC分类号： C23C14/221 ,  C23C14/0635 ,  C23C16/325 ,  C23C16/452 ,  C23C16/513 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/0812

摘要： A method for depositing material on a substrate is described. The method comprises maintaining a reduced-pressure environment around a substrate holder for holding a substrate having a surface, and holding the substrate securely within the reduced-pressure environment. Additionally, the method comprises forming a gas cluster ion beam (GCIB) from a pressurized gas comprising a compound having silicon (Si) and carbon (C), accelerating the GCIB to the reduced-pressure environment, and irradiating the accelerated GCIB onto at least a portion of the surface of the substrate to form a thin film containing silicon and carbon, wherein the carbon content is greater than or equal to about 10%. Further the compound may possess a Si—C bond.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积材料的方法。 该方法包括维持围绕衬底保持器的减压环境，用于保持具有表面的衬底，并且将衬底牢固地保持在减压环境中。 此外，该方法包括从包含具有硅（Si）和碳（C）的化合物的加压气体形成气体簇离子束（GCIB），将GCIB加速至减压环境，并将加速的GCIB至少照射 衬底表面的一部分以形成含有硅和碳的薄膜，其中碳含量大于或等于约10％。 此外，化合物可以具有Si-C键。

公开(公告)号：US20080245974A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12142453

申请日：2008-06-19

申请人： Allen R. Kirkpatrick ,  Sean Kirkpatrick ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault ,  John O. Borland ,  John J. Hautala ,  Wesley J. Skinner

发明人： Allen R. Kirkpatrick ,  Sean Kirkpatrick ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault ,  John O. Borland ,  John J. Hautala ,  Wesley J. Skinner

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2656 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324

摘要： Method of infusing or introducing material into a substrate using a gas cluster ion beam. The method includes maintaining a reduced-pressure environment around a substrate holder and holding a substrate securely within that reduced-pressure environment. A gas-cluster ion beam formed from a pressurized gas mixture including an inert gas and at least one other atomic or molecular specie is provided to the reduced-pressure environment and accelerated. In one embodiment, the method includes irradiating the accelerated gas-cluster ion beam onto one or more surface portions of the substrate to form an infused region or gas-cluster ion-impact region therein by introducing part or all of the atomic or molecular specie into the surface. In another embodiment, the method includes modifying at least one electrical property of the surface of the substrate by irradiating the accelerated gas-cluster ion beam onto one or more surface portions of the substrate.

摘要翻译： 使用气体团簇离子束将材料注入或引入衬底的方法。 该方法包括保持围绕衬底保持器的减压环境并将衬底牢固地保持在该减压环境内。 将由包含惰性气体和至少一种其它原子或分子物质的加压气体混合物形成的气体簇离子束提供给减压环境并加速。 在一个实施例中，该方法包括将加速的气体团簇离子束照射到衬底的一个或多个表面部分上，以通过将部分或全部原子或分子物质引入到其中来形成输入区域或气体团簇离子冲击区域 表面。 在另一个实施方案中，该方法包括通过将加速的气体 - 团簇离子束照射到衬底的一个或多个表面部分来修饰衬底的表面的至少一个电性质。

公开(公告)号：US07410890B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11150698

申请日：2005-06-11

申请人： Allen R. Kirkpatrick ,  Sean Kirkpatrick ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault ,  John O. Borland ,  John J. Hautala ,  Wesley J. Skinner

发明人： Allen R. Kirkpatrick ,  Sean Kirkpatrick ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault ,  John O. Borland ,  John J. Hautala ,  Wesley J. Skinner

IPC分类号： H01L21/34

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2656 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/324

摘要： Method of forming one or more doped regions in a semiconductor substrate and semiconductor junctions formed thereby, using gas cluster ion beams.

摘要翻译： 使用气体簇离子束在半导体衬底中形成一个或多个掺杂区域和由此形成的半导体结的方法。

公开(公告)号：US20090104754A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12338582

申请日：2008-12-18

申请人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

发明人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883 ,  H01L29/518

摘要： Embodiments of methods for improving electrical leakage performance and minimizing electromigration in semiconductor devices are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

公开(公告)号：US20090087577A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11863036

申请日：2007-09-27

申请人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

发明人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76867

摘要： Embodiments of methods for improving electrical leakage performance and minimizing electromigration in semiconductor devices are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 这里通常描述了用于改善半导体器件中的漏电性能和最小化电迁移的方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08192805B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12338582

申请日：2008-12-18

申请人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

发明人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

IPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  B05D5/12 ,  B05D3/06 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883 ,  H01L29/518

摘要： Embodiments of methods for improving electrical leakage performance and minimizing electromigration in semiconductor devices are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 这里通常描述了用于改善半导体器件中的漏电性能和最小化电迁移的方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07981483B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11863036

申请日：2007-09-27

申请人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

发明人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76867

摘要： Embodiments of methods for improving electrical leakage performance and minimizing electromigration in semiconductor devices are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 这里通常描述了用于改善半导体器件中的漏电性能和最小化电迁移的方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07754588B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11864318

申请日：2007-09-28

申请人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

发明人： Noel Russell ,  Steven Sherman ,  John J. Hautala

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01J27/026 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825

摘要： Embodiments of methods for improving a copper/dielectric interface in semiconductor devices are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 这里通常描述用于改善半导体器件中的铜/电介质界面的方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20100193898A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12428856

申请日：2009-04-23

申请人： John J. Hautala ,  Edmund Burke ,  Martin D. Tabat ,  Luis Fernandez

发明人： John J. Hautala ,  Edmund Burke ,  Martin D. Tabat ,  Luis Fernandez

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/34 ,  C23C16/342 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/513 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/7607

摘要： A method of forming shallow trench isolation on a substrate using a gas cluster ion beam (GCIB) is described. The method comprises generating a GCIB, and irradiating the substrate with the GCIB to form a shallow trench isolation structure by depositing a dielectric layer in at least one region on the substrate.

摘要翻译： 描述了使用气体簇离子束（GCIB）在衬底上形成浅沟槽隔离的方法。 该方法包括产生GCIB，并且通过在衬底上的至少一个区域中沉积介电层，用GCIB照射衬底以形成浅沟槽隔离结构。

公开(公告)号：US07905199B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US12145156

申请日：2008-06-24

申请人： John J. Hautala ,  Martin D. Tabat

发明人： John J. Hautala ,  Martin D. Tabat

IPC分类号： H01J27/02 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C26/00 ,  H01J2237/0812

摘要： A method for growing material on a substrate is described. The method comprises directionally growing a thin film on one or more surfaces of a substrate using a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a source of precursor for the thin film, wherein the growth occurs on surfaces oriented substantially perpendicular to the direction of incidence of the GCIB, and growth is substantially avoided on surfaces oriented substantially parallel to the direction of incidence.

摘要翻译： 描述了在衬底上生长材料的方法。 该方法包括使用由薄膜前体源形成的气体簇离子束（GCIB）在衬底的一个或多个表面上定向生长薄膜，其中生长发生在基本上垂直于入射方向取向的表面上 的GCIB，并且在基本上平行于入射方向定向的表面上基本上避免了生长。