公开(公告)号：US20080210987A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11916161

申请日：2006-05-24

申请人： Paolo Bondavalli ,  Pierre Legagneux ,  Pierre Le Barny ,  Didier Pribat ,  Julien Nagle

发明人： Paolo Bondavalli ,  Pierre Legagneux ,  Pierre Le Barny ,  Didier Pribat ,  Julien Nagle

IPC分类号： H01L29/78 ,  G01N27/00

CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/957

摘要： In an array R of field-effect transistors for detecting analytes, each transistor of the array comprises a gate G, a semiconductor nanotube or nanowire element NT connected at one end to a source electrode S and at another end to a drain electrode D, in order to form, at each end, a junction J1, J2 with the channel. At least transistors FET1,1, FET1,2 of the array are differentiated by a different conducting material (m1, m2) of the source electrode S and/or drain electrode D.

摘要翻译： 在用于检测分析物的场效应晶体管的阵列R中，阵列的每个晶体管包括栅极G，半导体纳米管或纳米线元件NT，其一端连接到源电极S，另一端连接到漏电极D， 为了在每一端形成与通道的连接点J 1，J 2 2。 阵列的至少晶体管FET1 / 2N，FET1,2 由不同的导电材料（m 1，m， > 2 源极电极S和/或漏电极D.

公开(公告)号：US08115198B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US11916161

申请日：2006-05-24

申请人： Paolo Bondavalli ,  Pierre Legagneux ,  Pierre Le Barny ,  Didier Pribat ,  Julien Nagle

发明人： Paolo Bondavalli ,  Pierre Legagneux ,  Pierre Le Barny ,  Didier Pribat ,  Julien Nagle

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/957

摘要： In an array R of field-effect transistors for detecting analytes, each transistor of the array comprises a gate G, a semiconductor nanotube or nanowire element NT connected at one end to a source electrode S and at another end to a drain electrode D, in order to form, at each end, a junction J1, J2 with the channel. At least transistors FET1,1, FET1,2 of the array are differentiated by a different conducting material (m1, m2) of the source electrode S and/or drain electrode D.

摘要翻译： 在用于检测分析物的场效应晶体管的阵列R中，阵列的每个晶体管包括栅极G，半导体纳米管或纳米线元件NT，其一端连接到源电极S，另一端连接到漏电极D， 在每一端形成与通道的连接点J1，J2。 阵列的至少晶体管FET1,1，FET1,2由源电极S和/或漏电极D的不同导电材料（m1，m2）区分开。

公开(公告)号：US06236670B1

公开(公告)日：2001-05-22

申请号：US09147312

申请日：1998-11-25

申请人： Julien Nagle ,  Emmanuel Rosencher

发明人： Julien Nagle ,  Emmanuel Rosencher

IPC分类号： H01S500

CPC分类号： H01S5/3095 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/2004

摘要： A laser made of a stack of laser diodes. The stack is inserted between two mirrors to create a laser cavity. The stack of diodes is produced by epitaxial growth of a set of semiconductor layers. The ohmic contact between two adjacent laser diodes is provided by an Esaki diode junction. The optical field of the mode created in the laser cavity is periodically cancelled at the Esaki diode junctions so as to create structures with small dimensions.

摘要翻译： 由激光二极管组成的激光器。 将叠层插入两个反射镜之间以产生激光腔。 通过一组半导体层的外延生长产生二极管堆叠。 两个相邻激光二极管之间的欧姆接触由Esaki二极管结提供。 激光腔中产生的模式的光场在Esaki二极管接头周期性地被消除，以便产生具有小尺寸的结构。

公开(公告)号：US5081634A

公开(公告)日：1992-01-14

申请号：US547040

申请日：1990-07-02

申请人： Claude Weisbuch ,  Julien Nagle

发明人： Claude Weisbuch ,  Julien Nagle

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/34

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/34

摘要： The quantum well semiconductor laser has at least one ultrafine layer with a thickness smaller than the critical thickness, the material of which is isoelectronic with that of the well.

摘要翻译： 量子阱半导体激光器具有至少一个厚度小于临界厚度的超微细层，其临界厚度与阱的等电子质量相同。

公开(公告)号：US5057881A

公开(公告)日：1991-10-15

申请号：US444194

申请日：1989-11-30

申请人： Hans Lobentanzer ,  Wolfgang Stolz ,  Klaus Ploog ,  Julien Nagle

发明人： Hans Lobentanzer ,  Wolfgang Stolz ,  Klaus Ploog ,  Julien Nagle

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01S5/00 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/34

摘要： A multiple quantum well light emitting compositional semiconductor device ch as a laser diode or a light emitting diode has an active region comprising an alternating sequence of layers of well layer material and of barrier layer material. The thickness of the barrier layer and of the adjacent well layers is chosen such that for one type of charge carrier a relatively high probability exists for such charge carriers to be present in the barrier region whereas the other type of charge carriers are localized in the potential wells. In this way it is possible to reduce the probability of non-radiative Auger recombination processes occurring thus reducing the threshold current and increasing the quantum efficiency of the device. This is particularly important since material systems with a small bandgap which lase at long wavelengths suitable for optical fibre transmission normally suffer performance penalties due to non-radiative Auger recombination and these penalties can be substantially reduced by tailoring the layer thicknesses to achieve the described probability distributions.

摘要翻译： 诸如激光二极管或发光二极管的多量子阱发光组合半导体器件具有包括阱层材料层和势垒层材料的交替序列的有源区。 选择阻挡层和相邻阱层的厚度，使得对于一种类型的电荷载体，存在这样的电荷载流子存在于阻挡区域中的相对高的概率，而另一种类型的载流子被定位在电位 井。 以这种方式，可以降低发生的非辐射俄歇复合过程的可能性，从而降低阈值电流并提高器件的量子效率。 这是特别重要的，因为具有适用于光纤传输的长波长的小带隙的材料系统通常由于非辐射俄歇复合而遭受性能惩罚，并且通过调整层厚度可以显着减少这些惩罚以实现所描述的概率分布 。

公开(公告)号：US5311221A

公开(公告)日：1994-05-10

申请号：US364680

申请日：1989-05-11

申请人： Nakita Vodjdani ,  Claude Weisbuch ,  Borge Vinter ,  Julien Nagle ,  Michel Papuchon ,  Jean-Paul Pocholle ,  Dominique Delacourt

发明人： Nakita Vodjdani ,  Claude Weisbuch ,  Borge Vinter ,  Julien Nagle ,  Michel Papuchon ,  Jean-Paul Pocholle ,  Dominique Delacourt

IPC分类号： G02F1/017 ,  G02F3/00 ,  H01L31/0352 ,  G02B6/10 ,  H01L33/00 ,  G02B5/14

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01716 ,  G02F3/00 ,  H01L31/035236 ,  G02F1/01708

摘要： A semi-conducting structure delimits two quantal wells (CP1, CP2) connected across a barrier layer (CB). The application of an electric field to the structure makes possible the transfer of electrons from one of the wells to the other. The electron-hole pairs are created by a wave-pump, or by the doping of one of the wells. This makes possible, in particular, a dual control by means of the wave-pump and the electric field, thus creating an "AND"-function modulator.

摘要翻译： 半导电结构限定跨越阻挡层（CB）连接的两个量子阱（CP1，CP2）。 电场对结构的应用使电子从一个孔传递到另一个井成为可能。 电子 - 空穴对由波泵产生，或通过掺杂其中一个孔产生。 这使得能够特别地通过波泵和电场进行双重控制，从而产生“和”功能的调制器。