公开(公告)号：US06133152A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US880194

申请日：1997-05-16

申请人： Benjamin Bierman ,  Meredith J. Williams ,  David S. Ballance ,  Brian Haas ,  Paul Deaton ,  James V. Tietz

发明人： Benjamin Bierman ,  Meredith J. Williams ,  David S. Ballance ,  Brian Haas ,  Paul Deaton ,  James V. Tietz

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  H01L21/26 ,  H01L21/687 ,  H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： An apparatus to isolate a rotating frame in a processing chamber, comprising: a support cylinder rotatably extending from the rotating frame; and a co-rotating edge ring extension extending from the support cylinder to at least one of substantially thermally, optically and mechanically isolate the region above the co-rotating edge ring extension from the region below the co-rotating edge ring extension.

摘要翻译： 一种用于隔离处理室中的旋转框架的装置，包括：可旋转地从所述旋转框架延伸的支撑筒; 以及从所述支撑筒延伸到至少一个基本上热，光学和机械地将所述共旋转边缘环延伸部上方的区域与所述同向旋转边缘环延伸部下方的区域隔开的共同旋转边缘环延伸。

公开(公告)号：US6123766A

公开(公告)日：2000-09-26

申请号：US872123

申请日：1997-05-16

申请人： Meredith J. Williams ,  David S. Ballance ,  Benjamin Bierman ,  Paul Deaton ,  Brian Haas ,  Nobuyuki Takahashi ,  James V. Tietz

发明人： Meredith J. Williams ,  David S. Ballance ,  Benjamin Bierman ,  Paul Deaton ,  Brian Haas ,  Nobuyuki Takahashi ,  James V. Tietz

IPC分类号： C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16

CPC分类号： C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  Y10T117/1008

摘要： A method for controlling the temperature of a substrate in a processing chamber. The processing chamber employs a heating control over at least two heating zones. Each heating zone is independently controllable according to a measured signal corresponding to the substrate temperature and a user-definable offset.

摘要翻译： 一种用于控制处理室中的衬底的温度的方法。 处理室采用对至少两个加热区的加热控制。 根据与衬底温度和用户可定义的偏移相对应的测量信号，每个加热区可独立控制。

公开(公告)号：US6035100A

公开(公告)日：2000-03-07

申请号：US858089

申请日：1997-05-16

申请人： Benjamin Bierman ,  David S. Ballance ,  James V. Tietz ,  Brian Haas ,  Meredith J. Williams ,  Paul Deaton

发明人： Benjamin Bierman ,  David S. Ballance ,  James V. Tietz ,  Brian Haas ,  Meredith J. Williams ,  Paul Deaton

IPC分类号： G01J5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  F27B5/08 ,  F27B5/14 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67017 ,  G01J5/0003

摘要： In one embodiment, the invention is directed to an apparatus for preventing depositions from occurring on a reflector in a processing chamber, comprising: a cover disposed adjacent to the reflector, the cover optically transparent over a range of wavelengths in which the reflector is reflective; and at least one cover support for maintaining the position of the cover relative to the reflector.

摘要翻译： 在一个实施例中，本发明涉及一种用于防止在处理室中的反射器上发生沉积的装置，包括：邻近反射器布置的盖，所述盖在反射器反射的波长范围内可光学透明; 以及用于保持盖相对于反射器的位置的至少一个盖支撑件。

公开(公告)号：US5960555A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US858091

申请日：1997-05-16

申请人： Paul Deaton ,  Benjamin Bierman ,  Meredith J. Williams ,  Brian Haas ,  David S. Ballance ,  James V. Tietz

发明人： Paul Deaton ,  Benjamin Bierman ,  Meredith J. Williams ,  Brian Haas ,  David S. Ballance ,  James V. Tietz

IPC分类号： H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/31 ,  F26B11/18

CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/455

摘要： An apparatus for purging the backside of a substrate in a process chamber includes a purge gas injector. The injector includes a substantially annular-shaped opening providing a slit that is structured and arranged to direct a flow of purge gas about radially outward therefrom in a direction approximately parallel to a plane defined by the substrate, wherein the substrate is supported in the process chamber above the purge gas injector. When the substrate is rotated at a sufficient speed, the purge gas flowing from the injector is impelled to flow spirally outward along the backside of the substrate.

摘要翻译： 用于清洗处理室中的衬底背面的装置包括净化气体注入器。 喷射器包括大致环形的开口，其提供狭缝，该狭缝被构造和布置成沿着大致平行于由衬底限定的平面的方向引导吹扫气体的径向向外流动，其中衬底被支撑在处理室 在吹扫气体喷射器之上。 当衬底以足够的速度旋转时，从注射器流出的吹扫气体被推动沿着衬底的背面螺旋地向外流动。

公开(公告)号：US6048403A

公开(公告)日：2000-04-11

申请号：US053286

申请日：1998-04-01

申请人： Paul Deaton ,  Meredith J. Williams

发明人： Paul Deaton ,  Meredith J. Williams

IPC分类号： B08B13/00 ,  C03C23/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  C23C16/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： C23C16/4583 ,  C23C16/4405

摘要： A substrate support, for example an edge ring, includes an upper ledge for supporting a first substrate, such as a semiconductor wafer, during a first process, and a lower ledge contiguous with the upper ledge for supporting a second substrate during a second process for cleaning the substrate support. A method of processing substrates supported by the edge ring in a thermal process chamber is also disclosed.

摘要翻译： 衬底支撑件，例如边缘环，包括用于在第一工艺期间支撑第一衬底（例如半导体晶片）的上凸缘，以及在用于在第二工艺期间支撑第二衬底的与所述上凸缘邻接的下凸缘 清洁基板支架。 还公开了一种在热处理室中处理由边缘环支撑的衬底的方法。

公开(公告)号：US20120088193A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13267341

申请日：2011-10-06

申请人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul Deaton ,  Nitin K. Ingle ,  Abhijit Basu Mallick ,  Amit Chatterjee

发明人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul Deaton ,  Nitin K. Ingle ,  Abhijit Basu Mallick ,  Amit Chatterjee

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144

摘要： Methods for forming photoresists sensitive to radiation on a substrate are provided. Described are chemical vapor deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) as photoresists using a plasma which may be exposed to radiation to form a pattern. The deposition methods utilize precursors with cross-linkable moieties that will cross-link upon exposure to radiation. Radiation may be carried out in the with or without the presence of oxygen. Exposed or unexposed areas may then be developed in an aqueous base developer.

摘要翻译： 提供了在基板上形成对辐射敏感的光刻胶的方法。 描述了使用等离子体形成膜（例如，含硅膜）作为光致抗蚀剂的化学气相沉积方法，其可以暴露于辐射以形成图案。 沉积方法利用可交联部分的前体，其在暴露于辐射时将交联。 辐射可以在有或没有氧的情况下进行。 然后可以将曝光或未曝光的区域显影在碱性显影液中。

公开(公告)号：US07775508B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11554954

申请日：2006-10-31

申请人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

发明人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

IPC分类号： B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A method and apparatus for providing a precursor to a process chamber is described. The apparatus comprises an ampoule capable of receiving either a liquid precursor source material or a solid precursor source material. The ampoule is capable of delivering either a liquid precursor material to a vaporizer coupled to the process chamber, or a vaporized or gaseous precursor material to the process chamber. The ampoule also includes a continuous level sensor to accurately monitor the level of precursor source material within the ampoule.

摘要翻译： 描述了一种用于向处理室提供前体的方法和装置。 该装置包括能够接收液体前体源材料或固体前体源材料的安瓿。 安瓿能够将液体前体材料输送到耦合到处理室的蒸发器，或将蒸发的或气态的前体材料输送到处理室。 安瓿还包括连续液位传感器，以准确地监测安瓿内的前体源材料的含量。

公开(公告)号：US08536068B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13267213

申请日：2011-10-06

申请人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul Deaton

发明人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul Deaton

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144

摘要： Methods for forming photoresists sensitive to radiation on substrate are provided. Atomic layer deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) photoresists are described. The process can be repeated multiple times to deposit a plurality of silicon photoresist layers. Process of depositing photoresist and forming patterns in photoresist are also disclosed which utilize carbon containing underlayers such as amorphous carbon layers.

摘要翻译： 提供了在基板上形成对辐射敏感的光刻胶的方法。 描述了形成膜（例如，含硅膜）光致抗蚀剂的原子层沉积方法。 该过程可以重复多次以沉积多个硅光致抗蚀剂层。 还公开了在光致抗蚀剂中沉积光致抗蚀剂和形成图案的工艺，其利用含碳底层如无定形碳层。

公开(公告)号：US20140231930A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14183826

申请日：2014-02-19

申请人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul F. Ma ,  Paul Deaton

发明人： Timothy W. Weidman ,  Timothy Michaelson ,  Paul F. Ma ,  Paul Deaton

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76871 ,  H01L29/4966

摘要： Provided are methods of depositing hafnium or zirconium containing metal alloy films. Certain methods comprise sequentially exposing a substrate surface to alternating flows of an organometallic precursor and a reductant comprising M(BH4)4 to produce a metal alloy film on the substrate surface, wherein M is selected from hafnium and zirconium, and the organometallic precursor contains a metal N. Gate stacks are described comprising a copper barrier layer comprising boron, a first metal M selected from Hf and Zr, and a second metal N selected from tantalum, tungsten, copper, ruthenium, rhodium, cobalt and nickel; and a copper layer overlying the copper barrier seed layer.

摘要翻译： 提供了沉积含铪或锆的金属合金膜的方法。 某些方法包括将衬底表面依次暴露于有机金属前体和包含M（BH 4）4的还原剂的交替流，以在衬底表面上产生金属合金膜，其中M选自铪和锆，并且有机金属前体含有 描述了包括包含硼的铜阻挡层，选自Hf和Zr的第一金属M和选自钽，钨，铜，钌，铑，钴和镍的第二金属N的栅叠层。 以及覆盖在铜屏障种子层上的铜层。

公开(公告)号：US20130113085A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13289657

申请日：2011-11-04

申请人： Timothy Michaelson ,  Timothy W. Weidman ,  Paul Deaton

发明人： Timothy Michaelson ,  Timothy W. Weidman ,  Paul Deaton

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/38 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337

摘要： Provided are low temperature methods of depositing hafnium or zirconium containing films using a Hf(BH4)4 precursor, or Zr(BH4)4 precursor, respectively, as well as a co-reactant. The co-reactant can be selected to obtain certain film compositions. Co-reactants comprising an oxidant can be used to deposit oxygen into the film. Accordingly, also provided are films comprising a metal, boron and oxygen, wherein the metal comprises hafnium where a Hf(BH4)4 precursor is used, or zirconium, where a Zr(BH4)4 precursor is used.

摘要翻译： 提供了分别使用Hf（BH4）4前体或Zr（BH4）4前体以及共反应物沉积含铪或含锆膜的低温方法。 可以选择共反应物以获得某些膜组合物。 可以使用包含氧化剂的共反应物将氧沉积到膜中。 因此，还提供了包含金属，硼和氧的膜，其中金属包括使用Hf（BH4）4前体的铪或使用Zr（BH4）4前体的锆）。