公开(公告)号：US07807972B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12069484

申请日：2008-02-11

申请人： Paul Lambkin ,  William A. Lane ,  Andrew David Bain

发明人： Paul Lambkin ,  William A. Lane ,  Andrew David Bain

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC分类号： G01J1/04 ,  G01J1/0407 ,  G01J1/0411 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/024 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0803 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0831 ,  G01J5/0853 ,  G01J2005/066 ,  G01J2005/068 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02325 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a sensor including a first sensor element formed in a first substrate and at least one optical element formed in a second substrate, the first and second substrates being configured relative to one another such that the second substrate forms a cap over the first sensor element. The cap includes a diffractive optical element and an aperture stop which collectively determine the wavelength of incident radiation that is allowed through the cap and onto the at least one optical element.

摘要翻译： 本发明提供了一种传感器，其包括形成在第一基板中的第一传感器元件和形成在第二基板中的至少一个光学元件，第一和第二基板相对于彼此配置，使得第二基板在第一传感器上形成盖 元件。 盖包括衍射光学元件和孔径光阑，其共同地确定允许通过盖并且到达至少一个光学元件的入射辐射的波长。

公开(公告)号：US20080202209A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12069484

申请日：2008-02-11

申请人： Paul Lambkin ,  William A. Lane ,  Andrew David Bain

发明人： Paul Lambkin ,  William A. Lane ,  Andrew David Bain

IPC分类号： G01N7/00 ,  G01J3/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： G01J1/04 ,  G01J1/0407 ,  G01J1/0411 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/024 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0803 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0831 ,  G01J5/0853 ,  G01J2005/066 ,  G01J2005/068 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02325 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a sensor including a first sensor element formed in a first substrate and at least one optical element formed in a second substrate, the first and second substrates being configured relative to one another such that the second substrate forms a cap over the first sensor element. The cap includes a diffractive optical element and an aperture stop which collectively determine the wavelength of incident radiation that is allowed through the cap and onto the at least one optical element.

摘要翻译： 本发明提供了一种传感器，其包括形成在第一基板中的第一传感器元件和形成在第二基板中的至少一个光学元件，第一和第二基板相对于彼此配置，使得第二基板在第一传感器上形成盖 元件。 盖包括衍射光学元件和孔径光阑，其共同地确定允许通过盖并且到达至少一个光学元件的入射辐射的波长。

公开(公告)号：US08357985B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US13350582

申请日：2012-01-13

申请人： William Allan Lane ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson

发明人： William Allan Lane ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66272

摘要： A bipolar transistor comprising an emitter region, a base region and a collector region, and a guard region spaced from and surrounding the base. The guard region can be formed in the same steps that form the base, and can serve to spread out the depletion layer in operation.

摘要翻译： 包括发射极区域，基极区域和集电极区域的双极晶体管以及与基极隔开并围绕基极的保护区域。 保护区域可以形成在形成基底的相同步骤中，并且可以用于在操作中扩散耗尽层。

公开(公告)号：US08350352B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12611074

申请日：2009-11-02

申请人： William Allan Lane ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson

发明人： William Allan Lane ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66272

摘要： A bipolar transistor comprising an emitter region, a base region and a collector region, and a guard region spaced from and surrounding the base. The guard region can be formed in the same steps that form the base, and can serve to spread out the depletion layer in operation.

摘要翻译： 包括发射极区域，基极区域和集电极区域的双极晶体管以及与基极隔开并围绕基极的保护区域。 保护区域可以形成在形成基底的相同步骤中，并且可以用于在操作中扩散耗尽层。

公开(公告)号：US08058704B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12611068

申请日：2009-11-02

申请人： Bernard Patrick Stenson ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  William Allan Lane

发明人： Bernard Patrick Stenson ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7322

摘要： A bipolar transistor, comprising a collector, a base and an emitter, in which the collector comprises a relatively heavily doped region, and a relatively lightly doped region adjacent the base, and in which the relatively heavily doped region is substantially omitted from an intrinsic region of the transistor.

摘要翻译： 一种双极晶体管，包括集电极，基极和发射极，其中集电极包括相对重掺杂的区域，以及与基极相邻的较轻掺杂的区域，并且其中相对重掺杂的区域基本上从本征区域中省略 的晶体管。

公开(公告)号：US20110101500A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12611068

申请日：2009-11-02

申请人： Bernard Patrick Stenson ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  William Allan Lane

发明人： Bernard Patrick Stenson ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/86

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7322

摘要： A bipolar transistor, comprising a collector, a base and an emitter, in which the collector comprises a relatively heavily doped region, and a relatively lightly doped region adjacent the base, and in which the relatively heavily doped region is substantially omitted from an intrinsic region of the transistor.

摘要翻译： 一种双极晶体管，包括集电极，基极和发射极，其中集电极包括相对重掺杂的区域，以及与基极相邻的较轻掺杂的区域，并且其中相对重掺杂的区域基本上从本征区域中省略 的晶体管。

公开(公告)号：US09520486B2

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：US12612609

申请日：2009-11-04

申请人： Edward John Coyne ,  Patrick Martin McGuinness ,  Paul Malachy Daly ,  Bernard Patrick Stenson ,  David J. Clarke ,  Andrew David Bain ,  William Allan Lane

发明人： Edward John Coyne ,  Patrick Martin McGuinness ,  Paul Malachy Daly ,  Bernard Patrick Stenson ,  David J. Clarke ,  Andrew David Bain ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78 ,  H01L29/735 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus including an electrostatic discharge (ESD) protection device comprising a semiconductor having first, second and third regions arranged to form a transistor, wherein the first region is doped with a first impurity of a first conductivity type and is separated from the second region which is doped with a second impurity of a second conductivity type opposite the first type, and wherein a dimensional constraint of the regions defines an operational threshold of the ESD protection device. In one example, the separation between a collector and an emitter of a bipolar transistor defines a trigger voltage to cause the electrostatic discharge protection device to become conducting. In another example, a width of a bipolar transistor base controls a holding voltage of the electrostatic discharge protection device.

摘要翻译： 一种包括静电放电（ESD）保护装置的装置，包括具有布置成形成晶体管的第一，第二和第三区域的半导体，其中第一区域掺杂有第一导电类型的第一杂质并与第二区域分离， 掺杂有与第一类型相反的第二导电类型的第二杂质，并且其中所述区域的尺寸约束限定了ESD保护装置的操作阈值。 在一个示例中，双极晶体管的集电极和发射极之间的间隔定义了使静电放电保护器件导通的触发电压。 在另一示例中，双极晶体管基极的宽度控制静电放电保护器件的保持电压。

公开(公告)号：US08390039B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12611055

申请日：2009-11-02

申请人： Derek Frederick Bowers ,  Andrew David Bain ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

发明人： Derek Frederick Bowers ,  Andrew David Bain ,  Paul Malachy Daly ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/66901

摘要： A field effect transistor having a drain, a gate and a source, where the drain and source are formed by semiconductor regions of a first type, and in which a further doped region is provided intermediate the gate and the drain. Field gradients around the drain are thereby reduced.

摘要翻译： 一种具有漏极，栅极和源极的场效应晶体管，其中漏极和源极由第一类型的半导体区域形成，并且其中在栅极和漏极之间设置另外的掺杂区域。 从而减少排水管周围的场梯度。

公开(公告)号：US20120217551A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13468809

申请日：2012-05-10

申请人： Paul Malachy Daly ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

发明人： Paul Malachy Daly ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuiness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/66901

摘要： A junction field effect transistor having a drain and a source, each defined by regions of a first type of semiconductor interconnected by a channel, and in which a dopant profile at a side of the drain facing the channel is modified so as to provide a region of reduced doping compared to a body region of the drain. The region of reduced doping and the body region can be defined by the same mask and doping step, but the mask is shaped to provide a lesser amount and thus less depth of doping for the region of reduced doping.

摘要翻译： 具有漏极和源极的结型场效应晶体管，每个由通过沟道互连的第一类型半导体的区域限定，并且其中面向沟道的漏极侧的掺杂剂分布被修改以提供区域 与漏极的体区相比减少掺杂。 减少掺杂的区域和体区可以通过相同的掩模和掺杂步骤来限定，但是掩模被成形为为减少掺杂的区域提供较少量的掺杂深度。

公开(公告)号：US08193046B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12611052

申请日：2009-11-02

申请人： Paul Malachy Daly ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

发明人： Paul Malachy Daly ,  Andrew David Bain ,  Derek Frederick Bowers ,  Anne Maria Deignan ,  Michael Thomas Dunbar ,  Patrick Martin McGuinness ,  Bernard Patrick Stenson ,  William Allan Lane

IPC分类号： H01L21/337

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/66901

摘要： A junction field effect transistor having a drain and a source, each defined by regions of a first type of semiconductor interconnected by a channel, and in which a dopant profile at a side of the drain facing the channel is modified so as to provide a region of reduced doping compared to a body region of the drain. The region of reduced doping and the body region can be defined by the same mask and doping step, but the mask is shaped to provide a lesser amount and thus less depth of doping for the region of reduced doping.

摘要翻译： 具有漏极和源极的结型场效应晶体管，每个由通过沟道互连的第一类型半导体的区域限定，并且其中面向沟道的漏极侧的掺杂剂分布被修改以提供区域 与漏极的体区相比减少掺杂。 减少掺杂的区域和体区可以通过相同的掩模和掺杂步骤来限定，但是掩模被成形为为减少掺杂的区域提供较少量的掺杂深度。