公开(公告)号：US20120007221A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13241810

申请日：2011-09-23

申请人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

发明人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

IPC分类号： H01L29/66 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an integrated circuit includes providing a buffer layer comprising a dielectric material above a layer of conductive material and providing a layer of mask material above the buffer layer. The mask material comprises amorphous carbon. The method also includes removing a portion of the buffer layer and the layer of mask material to form a mask. A feature is formed in the layer of conductive material according to the mask.

摘要翻译： 形成集成电路的方法包括在导电材料层之上提供包括电介质材料的缓冲层，并在缓冲层上方提供一层掩模材料。 掩模材料包括无定形碳。 该方法还包括去除缓冲层的一部分和掩模材料层以形成掩模。 根据掩模在导电材料层中形成特征。

公开(公告)号：US07521304B1

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US10230775

申请日：2002-08-29

申请人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

发明人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an integrated circuit includes providing a buffer layer comprising a dielectric material above a layer of conductive material and providing a layer of mask material above the buffer layer. The mask material comprises amorphous carbon. The method also includes removing a portion of the buffer layer and the layer of mask material to form a mask. A feature is formed in the layer of conductive material according to the mask.

摘要翻译： 形成集成电路的方法包括在导电材料层之上提供包括电介质材料的缓冲层，并在缓冲层上方提供一层掩模材料。 掩模材料包括无定形碳。 该方法还包括去除缓冲层的一部分和掩模材料层以形成掩模。 根据掩模在导电材料层中形成特征。

公开(公告)号：US08629535B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13241810

申请日：2011-09-23

申请人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

发明人： Richard J. Huang ,  Scott A. Bell ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an integrated circuit includes providing a buffer layer comprising a dielectric material above a layer of conductive material and providing a layer of mask material above the buffer layer. The mask material comprises amorphous carbon. The method also includes removing a portion of the buffer layer and the layer of mask material to form a mask. A feature is formed in the layer of conductive material according to the mask.

摘要翻译： 形成集成电路的方法包括在导电材料层之上提供包括电介质材料的缓冲层，并在缓冲层上方提供一层掩模材料。 掩模材料包括无定形碳。 该方法还包括去除缓冲层的一部分和掩模材料层以形成掩模。 根据掩模在导电材料层中形成特征。

公开(公告)号：US06875664B1

公开(公告)日：2005-04-05

申请号：US10230794

申请日：2002-08-29

申请人： Richard J. Huang ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

发明人： Richard J. Huang ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Philip A. Fisher ,  Cyrus E. Tabery ,  Lu You

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32139

摘要： A method of forming an integrated circuit using an amorphous carbon hard mask involves providing an amorphous carbon material layer above a layer of conductive material and providing an anti-reflective coating (ARC) material layer above the amorphous carbon material. A transition region is formed intermediate the amorphous carbon material layer and the ARC material layer. The transition region has a concentration profile that provides a transition between the amorphous carbon material layer and the ARC material layer. A portion of the amorphous carbon material layer, the ARC material layer, and the transition region is removed to form a hard mask, and a feature is formed in the layer of conductive material according to the hard mask.

摘要翻译： 使用无定形碳硬掩模形成集成电路的方法包括在导电材料层之上提供无定形碳材料层，并在无定形碳材料上方提供抗反射涂层（ARC）材料层。 在无定形碳材料层和ARC材料层之间形成过渡区域。 过渡区域具有提供无定形碳材料层和ARC材料层之间的转变的浓度分布。 去除非晶碳材料层，ARC材料层和过渡区域的一部分以形成硬掩模，并且根据硬掩模在导电材料层中形成特征。

公开(公告)号：US06855627B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10309923

申请日：2002-12-04

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Scott A. Bell ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Scott A. Bell ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0332

摘要： An exemplary embodiment relates to a method of using an amorphous carbon layer to prevent photoresist poisoning. The method includes doping a first amorphous carbon layer located above a substrate, providing an oxide layer above the first amorphous carbon layer where the oxide layer has a pinhole, and providing a second amorphous carbon layer adjacent to the oxide layer. The second amorphous carbon layer is undoped and the second amorphous carbon layer helps prevent photoresist poisoning.

摘要翻译： 示例性实施方案涉及使用无定形碳层以防止光致抗蚀剂中毒的方法。 该方法包括掺杂位于衬底上方的第一非晶碳层，在氧化物层具有针孔的第一非晶碳层之上提供氧化物层，并且提供与氧化物层相邻的第二非晶碳层。 第二非晶碳层未掺杂，第二非晶碳层有助于防止光致抗蚀剂中毒。

公开(公告)号：US07084071B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10244650

申请日：2002-09-16

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Scott A. Bell ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Scott A. Bell ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/823828

摘要： A method of producing an integrated circuit includes providing a layer of polysilicon material above a semiconductor substrate and providing an amorphous carbon layer over the polysilicon material layer. The amorphous carbon layer comprises at least one undoped amorphous carbon layer and at least one doped amorphous carbon layer. A portion of the amorphous carbon layer is removed to form a hard mask, and the polysilicon material layer is etched according to the hard mask to form a line of polysilicon material.

摘要翻译： 制造集成电路的方法包括在半导体衬底上提供多晶硅材料层，并在多晶硅材料层上提供无定形碳层。 无定形碳层包括至少一个未掺杂的无定形碳层和至少一个掺杂的无定形碳层。 去除非晶碳层的一部分以形成硬掩模，并且根据硬掩模蚀刻多晶硅材料层以形成多晶硅材料线。

公开(公告)号：US06559017B1

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US10170909

申请日：2002-06-13

申请人： David E. Brown ,  Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

发明人： David E. Brown ,  Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Richard C. Nguyen ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of using amorphous carbon as spacer material in a disposable spacer process can include forming amorphous carbon spacers at lateral side walls of a gate structure over a substrate, implanting dopants in the substrate to form source and drain regions, ashing away the amorphous carbon spacers, and implanting dopants to form shallow structures in the substrate.

摘要翻译： 在一次性间隔物工艺中使用无定形碳作为隔离材料的方法可以包括在衬底上的栅极结构的横向侧壁上形成无定形碳间隔物，在衬底中注入掺杂剂以形成源极和漏极区域，将非晶碳间隔物 ，并植入掺杂剂以在衬底中形成浅结构。

公开(公告)号：US07169711B1

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10170984

申请日：2002-06-13

申请人： Christopher F. Lyons ,  Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Christopher F. Lyons ,  Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337

摘要： A method of using carbon spacers for critical dimension reduction can include providing a patterned photoresist layer above a substrate where the patterned photoresist layer has an aperture with a first width, depositing a carbon film over the photoresist layer and etching the deposited carbon film to form spacers on lateral side walls of the aperture of the patterned photoresist layer, etching the substrate using the formed spacers and patterned photoresist layer as a pattern to form a trench having a second width, and removing the patterned photoresist layer and formed spacers using an oxidizing etch.

摘要翻译： 使用碳间隔物进行临界尺寸减小的方法可以包括在基底上提供图案化的光致抗蚀剂层，其中图案化的光致抗蚀剂层具有第一宽度的孔，在光致抗蚀剂层上沉积碳膜并蚀刻沉积的碳膜以形成间隔物 在图案化光致抗蚀剂层的孔的侧壁上，使用所形成的间隔物和图案化的光致抗蚀剂层作为图案蚀刻衬底，以形成具有第二宽度的沟槽，并使用氧化蚀刻去除图案化的光致抗蚀剂层和形成的间隔物。

公开(公告)号：US06673684B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US10335726

申请日：2003-01-02

申请人： Richard J. Huang ,  Philip A. Fisher ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Richard J. Huang ,  Philip A. Fisher ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/32139

摘要： A method for producing an integrated circuit includes providing a diamond layer above a layer of conductive material. A cap layer is provided above the diamond layer and patterned to form a cap feature. The diamond layer is patterned according to the cap feature to form a mask, and at least a portion of the layer of conductive material is removed according to the mask.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路的方法包括在导电材料层之上提供金刚石层。 盖层设置在金刚石层之上并图案化以形成盖特征。 根据盖特征对金刚石层进行图案化以形成掩模，并且根据掩模去除导电材料层的至少一部分。

公开(公告)号：US07015124B1

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：US10424420

申请日：2003-04-28

申请人： Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Philip A. Fisher ,  Richard J. Huang ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28132 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32139

摘要： A method of producing an integrated circuit includes providing a mask definition structure above a layer of conductive material and providing a mask above the layer of conductive material and in contact with at least a portion of the mask definition structure. The mask definition structure comprises a first material and the mask comprises a second material, wherein at least one of the first and second materials comprises amorphous carbon. The mask definition structure is removed, and the layer of conductive material is patterned according to the mask.

摘要翻译： 一种制造集成电路的方法包括在导电材料层之上提供掩模定义结构，并在导电材料层之上提供掩模，并与掩模定义结构的至少一部分接触。 掩模定义结构包括第一材料，掩模包括第二材料，其中第一和第二材料中的至少一个包括无定形碳。 去除掩模定义结构，并根据掩模对导电材料层进行图案化。