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    Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
    6.
    发明授权
    Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells 有权
    形成碲化镉光电池的接触电极的方法

    公开(公告)号：US08524524B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US12765225

    申请日：2010-04-22

    申请人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Juan Carlos Rojo ,  Roman Shuba

    发明人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Juan Carlos Rojo ,  Roman Shuba

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

    摘要： A method for forming a back contact for a photovoltaic cell that includes at least one semiconductor layer is provided. The method includes applying a continuous film of a chemically active material on a surface of the semiconductor layer and activating the chemically active material such that the activated material etches the surface of the semiconductor layer. The method further includes removing the continuous film of the activated material from the photovoltaic cell and depositing a metal contact layer on the etched surface of the semiconductor layer.

    摘要翻译： 提供一种用于形成包括至少一个半导体层的光伏电池的背接触的方法。 该方法包括在半导体层的表面上施加化学活性材料的连续膜并激活化学活性材料，使得活化的材料蚀刻半导体层的表面。 该方法还包括从光伏电池移除活化材料的连续膜并在半导体层的蚀刻表面上沉积金属接触层。

    METHOD FOR DEPOSITION
    8.
    发明申请
    METHOD FOR DEPOSITION 审中-公开
    沉积方法

    公开(公告)号：US20130108789A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13285501

    申请日：2011-10-31

    申请人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Roman Shuba

    发明人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Roman Shuba

    IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C14/34 ,  C23C16/448

    CPC分类号： H01L31/1828 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0629

    摘要： Embodiments of the present invention include a method. The method includes producing a first vapor from a solid source material, reacting hydrogen telluride to form a second vapor comprising tellurium, and depositing on a support a coating material comprising tellurium within a deposition environment, the deposition environment comprising the first vapor and the second vapor. Another embodiment is a system. The system includes a deposition chamber disposed to contain a deposition environment in fluid communication with a support; a solid source material disposed in fluid communication with the deposition chamber; and a hydrogen telluride source in fluid communication in fluid communication with the deposition chamber.

    摘要翻译： 本发明的实施例包括一种方法。 该方法包括从固体源材料制备第一蒸气，使碲化碲反应形成包含碲的第二蒸气，以及在沉积环境中在载体上沉积包含碲的涂层材料，沉积环境包括第一蒸气和第二蒸气 。 另一个实施例是系统。 该系统包括沉积室，其设置成容纳与载体流体连通的沉积环境; 设置成与沉积室流体连通的固体源材料; 和与沉积室流体连通的流体连通的碲化氢源。